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    形成漿料之方法
    4.
    发明专利
    形成漿料之方法 审中-公开
    形成浆料之方法

    公开(公告)号：TW201341481A

    公开(公告)日：2013-10-16

    申请号：TW102111764

    申请日：2013-04-01

    申请人： 旺能光電股份有限公司 ,  DELSOLAR CO., LTD.

    发明人： 廖曰淳 ,  LIAO, YUEH CHUN ,  楊豐瑜 ,  YANG, FENG YU ,  丁晴 ,  TING, CHING

    IPC分类号： C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  H01L21/368 ,  H01L31/0296

    CPC分类号： C09D11/037 ,  C09D11/322 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

    摘要： 一種形成漿料之方法包括形成金屬離子與金屬錯合物離子之至少其中之一、形成金屬硫化物奈米粒子、形成一第一溶液，使得第一溶液包括金屬硫化物奈米粒子以及金屬離子與金屬錯合物離子之至少其中之一，其中金屬硫化物奈米粒子、金屬離子與金屬錯合物離子所包含之金屬係選自由週期表第I、II、III或IV族元素、以及在金屬硫化物奈米粒子、金屬離子及金屬錯合物離子之金屬並不包含一硫化物半導體材料之所有金屬元素時，重複金屬硫化物奈米粒子、金屬離子與金屬錯合物離子之至少其中之一之形成步驟，且形成作為漿料的第一溶液。

    简体摘要： 一种形成浆料之方法包括形成金属离子与金属错合物离子之至少其中之一、形成金属硫化物奈米粒子、形成一第一溶液，使得第一溶液包括金属硫化物奈米粒子以及金属离子与金属错合物离子之至少其中之一，其中金属硫化物奈米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含之金属系选自由周期表第I、II、III或IV族元素、以及在金属硫化物奈米粒子、金属离子及金属错合物离子之金属并不包含一硫化物半导体材料之所有金属元素时，重复金属硫化物奈米粒子、金属离子与金属错合物离子之至少其中之一之形成步骤，且形成作为浆料的第一溶液。

    放射線檢測元件、及其製造方法
    5.
    发明专利
    放射線檢測元件、及其製造方法 审中-公开
    放射线检测组件、及其制造方法

    公开(公告)号：TW202005066A

    公开(公告)日：2020-01-16

    申请号：TW108137609

    申请日：2018-09-12

    申请人： 日商JX金屬股份有限公司 ,  JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION

    发明人： 山田浩平 ,  YAMADA, KOHEI ,  村上幸司 ,  MURAKAMI, KOJI ,  野田朗 ,  NODA, AKIRA

    IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L31/115 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0224 ,  G01T1/24

    摘要： 本發明提供一種放射線檢測元件，其於由含有碲化鎘或碲化鋅鎘之化合物半導體結晶所構成之基板之表面具備多個電極部與電極間之絕緣部，於上述多個電極部與基板之間存在含有碲之氧化物之中間層，將距上述電極間之絕緣部之端部500 nm之內側之碲氧化物層之厚度設為100 nm以下，而即便於如製成電極之密接性較高且為了獲得高精細之放射線繪製圖像而電極間之間隔較窄之放射線檢測元件的情形時，亦不會產生因多個電極間之絕緣不充分而引起之性能不良。

    简体摘要： 本发明提供一种放射线检测组件，其于由含有碲化镉或碲化锌镉之化合物半导体结晶所构成之基板之表面具备多个电极部与电极间之绝缘部，于上述多个电极部与基板之间存在含有碲之氧化物之中间层，将距上述电极间之绝缘部之端部500 nm之内侧之碲氧化物层之厚度设为100 nm以下，而即便于如制成电极之密接性较高且为了获得高精细之放射线绘制图像而电极间之间隔较窄之放射线检测组件的情形时，亦不会产生因多个电极间之绝缘不充分而引起之性能不良。

    具有氧化鋅奈米片構造層之紫外光檢測器及其製造方法
    7.
    发明专利
    具有氧化鋅奈米片構造層之紫外光檢測器及其製造方法 审中-公开
    具有氧化锌奈米片构造层之紫外光检测器及其制造方法

    公开(公告)号：TW201603294A

    公开(公告)日：2016-01-16

    申请号：TW103122915

    申请日：2014-07-02

    申请人： 國立虎尾科技大學 ,  NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY

    发明人： 楊勝州 ,  YOUNG, SHENG JOUE ,  劉宜鑫 ,  LIU, YI HSING ,  姬梁文 ,  JI, LIANG WEN

    IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

    CPC分类号： Y02P70/521

    摘要： 一種具有氧化鋅奈米片構造層之紫外光檢測器，其包含：一基板、一形成於該基板之表面之金屬電極層，該金屬電極層至少包含兩個電極；及一形成於該基板及該金屬電極層表面且為站立片狀型態之複數個氧化鋅奈米片，兩兩相鄰之間的該氧化鋅奈米片形成複數個奈米間隔通道，每個該氧化鋅奈米片主要朝向c軸方向(c-axis)生成；本發明所形成氧化鋅奈米片構造為薄膜型態的二維奈米結構，亦即在水平的方向(X與Y軸)並未受到奈米尺度的限制，而在Z軸的方向有著奈米尺度的表現，使得本發明能廣泛應用於氣體感測器、光感測器或發光二極體等等元件。

    简体摘要： 一种具有氧化锌奈米片构造层之紫外光检测器，其包含：一基板、一形成于该基板之表面之金属电极层，该金属电极层至少包含两个电极；及一形成于该基板及该金属电极层表面且为站立片状型态之复数个氧化锌奈米片，两两相邻之间的该氧化锌奈米片形成复数个奈米间隔信道，每个该氧化锌奈米片主要朝向c轴方向(c-axis)生成；本发明所形成氧化锌奈米片构造为薄膜型态的二维奈米结构，亦即在水平的方向(X与Y轴)并未受到奈米尺度的限制，而在Z轴的方向有着奈米尺度的表现，使得本发明能广泛应用于气体传感器、光传感器或发光二极管等等组件。

    漿料成分、硫化物半導體膜、太陽能電池及其形成方法
    10.
    发明专利
    漿料成分、硫化物半導體膜、太陽能電池及其形成方法 审中-公开
    浆料成分、硫化物半导体膜、太阳能电池及其形成方法

    公开(公告)号：TW201341486A

    公开(公告)日：2013-10-16

    申请号：TW102111761

    申请日：2013-04-01

    申请人： 旺能光電股份有限公司 ,  DELSOLAR CO., LTD.

    发明人： 廖曰淳 ,  LIAO, YUEH CHUN ,  楊豐瑜 ,  YANG, FENG YU ,  丁晴 ,  TING, CHING

    IPC分类号： C09D5/24 ,  C09D11/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0296

    CPC分类号： C09D11/322 ,  B82Y30/00 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

    摘要： 一種漿料成分包含有一溶劑系統、複數個金屬硫化物奈米粒子、金屬離子與金屬錯合物離子之至少其中之一以及鈉源。金屬離子與該金屬錯合物離子之至少其中之一分佈於金屬硫化物奈米粒子的表面上，且用於在溶劑系統中分散金屬硫化物奈米粒子。鈉源分散於溶劑系統中及/或包含於金屬硫化物奈米粒子、金屬離子與金屬錯合物離子之至少其中之一中。金屬硫化物奈米粒子、金屬離子與金屬錯合物離子所包含之金屬係選自由週期表第I、II、III及IV族元素以及鈉所構成之組合，並且包含一硫化物半導體材料之所有金屬元素。

    简体摘要： 一种浆料成分包含有一溶剂系统、复数个金属硫化物奈米粒子、金属离子与金属错合物离子之至少其中之一以及钠源。金属离子与该金属错合物离子之至少其中之一分布于金属硫化物奈米粒子的表面上，且用于在溶剂系统中分散金属硫化物奈米粒子。钠源分散于溶剂系统中及/或包含于金属硫化物奈米粒子、金属离子与金属错合物离子之至少其中之一中。金属硫化物奈米粒子、金属离子与金属错合物离子所包含之金属系选自由周期表第I、II、III及IV族元素以及钠所构成之组合，并且包含一硫化物半导体材料之所有金属元素。