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    ＳｉＣ基底的雷射退火裝置
    1.
    发明专利
    ＳｉＣ基底的雷射退火裝置 审中-公开
    ＳｉＣ基底的激光退火设备

    公开(公告)号：TW202027128A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108148441

    申请日：2019-12-30

    申请人： 大陸商上海微電子裝備(集團)股份有限公司 ,  SHANGHAI MICRO ELECTRONICS EQUIPMENT (GROUP) CO., LTD.

    发明人： 周炯 ,  周偉

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786 ,  B23K26/062 ,  B23K26/064 ,  B23K26/073 ,  B23K26/082 ,  B23K26/352

    摘要： 一種SiC基底的雷射退火裝置，其特徵係其包含：雷射發射單元，設置為提供退火所需的雷射光源；雷射整形單元，設置為將前述雷射發射單元發射的雷射整形為矩形光斑，前述矩形光斑的掃描向的能量分佈呈梯形；掃描振鏡單元，設置為控制來自前述雷射整形單元的雷射光束以使前述雷射光束在待退火的SiC基底表面按預設掃描方式掃描；工件承載機構，設置為承載待退火的SiC基底；及主控制器，分別與前述雷射發射單元、前述雷射整形單元、前述掃描振鏡單元及前述工件承載機構電連接。

    简体摘要： 一种SiC基底的激光退火设备，其特征系其包含：激光发射单元，设置为提供退火所需的激光光源；激光整形单元，设置为将前述激光发射单元发射的激光整形为矩形光斑，前述矩形光斑的扫描向的能量分布呈梯形；扫描振镜单元，设置为控制来自前述激光整形单元的激光光束以使前述激光光束在待退火的SiC基底表面按默认扫描方式扫描；工件承载机构，设置为承载待退火的SiC基底；及主控制器，分别与前述激光发射单元、前述激光整形单元、前述扫描振镜单元及前述工件承载机构电连接。

    具有電洞阻擋層的電晶體
    3.
    发明专利
    具有電洞阻擋層的電晶體 审中-公开
    具有电洞阻挡层的晶体管

    公开(公告)号：TW201709520A

    公开(公告)日：2017-03-01

    申请号：TW105111335

    申请日：2016-04-12

    申请人： MACOM技術解決控股公司 ,  MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC.

    发明人： 韓森 艾倫W ,  HANSON, ALLEN W. ,  奎瓦斯 蓋比瑞兒R ,  CUEVA, GABRIEL R. ,  史儲伯 韋恩M ,  STRUBLE, WAYNE M. ,  張延 ,  ZHANG, YAN

    IPC分类号： H01L29/768 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/04

    CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7784 ,  H01L29/7785

    摘要： 揭示的設備包括通道層、第一層、電洞阻擋層、第二層。通道層可以建構成響應於在閘極節點的電壓而攜載汲極電流。第一層可以在通道層和閘極節點之間。第一層一般而言具有第一能帶間隙。電洞阻擋層可以接觸第一層。電洞阻擋層一般而言具有第二能帶間隙，其(i)形成相對於第一能帶間隙而偏移的價帶，並且(ii)建構成阻礙通道層和第一層之一或更多者中所產生的電洞抵達閘極節點。閘極節點可以接觸第二層。設備一般而言包括場效電晶體。

    简体摘要： 揭示的设备包括信道层、第一层、电洞阻挡层、第二层。信道层可以建构成响应于在闸极节点的电压而携载汲极电流。第一层可以在信道层和闸极节点之间。第一层一般而言具有第一能带间隙。电洞阻挡层可以接触第一层。电洞阻挡层一般而言具有第二能带间隙，其(i)形成相对于第一能带间隙而偏移的价带，并且(ii)建构成阻碍信道层和第一层之一或更多者中所产生的电洞抵达闸极节点。闸极节点可以接触第二层。设备一般而言包括场效应管。

    拓撲受限電漿增強循環沉積方法
    6.
    发明专利
    拓撲受限電漿增強循環沉積方法 审中-公开
    拓扑受限等离子增强循环沉积方法

    公开(公告)号：TW201833993A

    公开(公告)日：2018-09-16

    申请号：TW106138996

    申请日：2017-11-10

    申请人： 美商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B. V.

    发明人： 布朗卡爾 提摩西 朱俐 文森特 ,  BLANQUART, TIMOTHEE JULIEN VINCENT

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

    摘要： 在一具體例中，本發明提供一種將設置於模板上具有間隔之垂直間隔件所構成之圖案轉移至該模板之方法，其包括藉由電漿增強循環沉積將作為間隔件傘層之層實質上僅沉積於由矽或金屬氧化物製成之各垂直間隔件的頂表面上，其中實質上沒有層被沉積於垂直間隔件之側壁及模板之暴露表面上，隨後使用具有間隔件傘層的垂直間隔件，藉由各向異性蝕刻，將垂直間隔件所構成之圖案轉移至模板。

    简体摘要： 在一具体例中，本发明提供一种将设置于模板上具有间隔之垂直间隔件所构成之图案转移至该模板之方法，其包括借由等离子增强循环沉积将作为间隔件伞层之层实质上仅沉积于由硅或金属氧化物制成之各垂直间隔件的顶表面上，其中实质上没有层被沉积于垂直间隔件之侧壁及模板之暴露表面上，随后使用具有间隔件伞层的垂直间隔件，借由各向异性蚀刻，将垂直间隔件所构成之图案转移至模板。