公开(公告)号：US20120119374A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US12945700

申请日：2010-11-12

申请人： Arifur Rahman ,  Bahareh Banijamali

发明人： Arifur Rahman ,  Bahareh Banijamali

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a top surface and a bottom surface, and a through-silicon via (TSV) extending from the top surface of the substrate to the bottom surface of the substrate, the TSV having a height and a side profile extending along a longitudinal axis, wherein the side profile has an upper segment forming a first angle relative to the longitudinal axis, and a lower segment forming a second angle relative to the longitudinal axis, the second angle being different from the first angle, and wherein the lower segment has a height that is less than 20% of the height of the TSV.

摘要翻译： 半导体器件包括具有顶表面和底表面的衬底以及从衬底的顶表面延伸到衬底的底表面的穿硅通孔（TSV），TSV具有高度和侧面延伸 沿着纵向轴线，其中所述侧部轮廓具有相对于所述纵向轴线形成第一角度的上部部分，以及相对于所述纵向轴线形成第二角度的下部部分，所述第二角度与所述第一角度不同，并且其中 下段高度小于TSV高度的20％。

公开(公告)号：US08384225B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12945700

申请日：2010-11-12

申请人： Arifur Rahman ,  Bahareh Banijamali

发明人： Arifur Rahman ,  Bahareh Banijamali

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a top surface and a bottom surface, and a through-silicon via (TSV) extending from the top surface of the substrate to the bottom surface of the substrate, the TSV having a height and a side profile extending along a longitudinal axis, wherein the side profile has an upper segment forming a first angle relative to the longitudinal axis, and a lower segment forming a second angle relative to the longitudinal axis, the second angle being different from the first angle, and wherein the lower segment has a height that is less than 20% of the height of the TSV.

摘要翻译： 半导体器件包括具有顶表面和底表面的衬底以及从衬底的顶表面延伸到衬底的底表面的穿硅通孔（TSV），TSV具有高度和侧面延伸 沿着纵向轴线，其中所述侧部轮廓具有相对于所述纵向轴线形成第一角度的上部部分，以及相对于所述纵向轴线形成第二角度的下部部分，所述第二角度与所述第一角度不同，并且其中 下段高度小于TSV高度的20％。

公开(公告)号：US08704364B2

公开(公告)日：2014-04-22

申请号：US13369215

申请日：2012-02-08

申请人： Bahareh Banijamali

发明人： Bahareh Banijamali

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L29/40 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/014

摘要： An integrated circuit structure can include a first interposer and a second interposer. The first interposer and the second interposer can be coplanar. The integrated circuit structure further can include at least a first die that is coupled to the first interposer and the second interposer.

摘要翻译： 集成电路结构可以包括第一插入件和第二插入件。 第一插入器和第二插入器可以是共面的。 集成电路结构还可以包括至少第一裸片，其耦合到第一插入器和第二插入器。

公开(公告)号：US08742477B1

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US12961376

申请日：2010-12-06

申请人： Bahareh Banijamali

发明人： Bahareh Banijamali

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/70 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L23/147 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

摘要： An integrated circuit structure can include a silicon interposer. The silicon interposer can include a first elliptical TSV and a keep out zone (KOZ) for stress effects upon active devices surrounding the first elliptical TSV. A size of the KOZ can be determined by a transverse diameter and a conjugate diameter of the first elliptical TSV.

摘要翻译： 集成电路结构可以包括硅插入器。 硅插入器可以包括用于对围绕第一椭圆形TSV的有源器件的应力影响的第一椭圆形TSV和保留区域（KOZ）。 KOZ的尺寸可以通过第一椭圆形TSV的横向直径和共轭直径来确定。

公开(公告)号：US20130200511A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：US13369215

申请日：2012-02-08

申请人： Bahareh Banijamali

发明人： Bahareh Banijamali

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/014

摘要： An integrated circuit structure can include a first interposer and a second interposer. The first interposer and the second interposer can be coplanar. The integrated circuit structure further can include at least a first die that is coupled to the first interposer and the second interposer.

摘要翻译： 集成电路结构可以包括第一插入件和第二插入件。 第一插入器和第二插入器可以是共面的。 集成电路结构还可以包括至少第一裸片，其耦合到第一插入器和第二插入器。