公开(公告)号：US20070057374A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：US11162513

申请日：2005-09-13

申请人： Paul McLaughlin ,  Sujatha Sankaran ,  Theodorus Standaert

发明人： Paul McLaughlin ,  Sujatha Sankaran ,  Theodorus Standaert

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

摘要： A semiconductor interconnect structure and method providing an embedded barrier layer to prevent damage to the dielectric material during or after Chemical Mechanical Polishing. The method employs a combination of an embedded film, etchback, using either selective CoWP or a conformal cap such as a SiCNH film, to protect the dielectric material from the CMP process as well as subsequent etch, clean and deposition steps of the next interconnect level.

摘要翻译： 一种半导体互连结构和方法，提供嵌入的阻挡层，以防止在化学机械抛光期间或之后损坏电介质材料。 该方法采用嵌入膜，回蚀，使用选择性CoWP或诸如SiCNH膜的共形盖的组合来保护介电材料免受CMP工艺以及随后的下一个互连级别的蚀刻，清洁和沉积步骤 。

公开(公告)号：US20070032055A1

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：US11161538

申请日：2005-08-08

申请人： Theodorus Standaert ,  William Brearley ,  Stephen Greco ,  Sujatha Sankaran

发明人： Theodorus Standaert ,  William Brearley ,  Stephen Greco ,  Sujatha Sankaran

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and structure for a composite stud contact interface with a decreased contact resistance and improved reliability. A selective dry etch is used which comprises a fluorine containing gas. The contact resistance is reduced by partially dry-etching back the tungsten contact after or during the M1 RIE process. The recessed contact is then subsequently metalized during the M1 liner/plating process. The tungsten contact height is reduced after it has been fully formed.

摘要翻译： 具有降低的接触电阻和改善的可靠性的复合螺柱接触界面的方法和结构。 使用包含含氟气体的选择性干蚀刻。 在M1 RIE工艺过程中或之后，通过部分干法蚀刻钨触点来降低接触电阻。 然后在M1衬套/电镀工艺期间将凹陷接触件金属化。 钨接触高度在完全成型后减小。

公开(公告)号：US20070054489A1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：US11503259

申请日：2006-08-14

申请人： Kwong Wong ,  Louis Hsu ,  Timothy Dalton ,  Carl Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence Clevenger ,  Theodorus Standaert

发明人： Kwong Wong ,  Louis Hsu ,  Timothy Dalton ,  Carl Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence Clevenger ,  Theodorus Standaert

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making an interconnect that includes providing an interconnect structure in a dielectric material, recessing the dielectric material such that a portion of the interconnect structure extends above an upper surface of the dielectric; and depositing an encasing cap over the extended portion of the interconnect structure.

摘要翻译： 一种制造互连的方法，包括在电介质材料中提供互连结构，使电介质材料凹陷，使得互连结构的一部分在电介质的上表面上方延伸; 以及在所述互连结构的延伸部分上沉积封装盖。

公开(公告)号：US20050176237A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：US10772777

申请日：2004-02-05

申请人： Theodorus Standaert ,  Bernd Kastenmeier ,  Yi-Hsiung Lin ,  Yi-Fang Cheng ,  Larry Clevenger ,  Stephen Greco ,  O Sung Kwon

发明人： Theodorus Standaert ,  Bernd Kastenmeier ,  Yi-Hsiung Lin ,  Yi-Fang Cheng ,  Larry Clevenger ,  Stephen Greco ,  O Sung Kwon

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76867

摘要： In damascene processing, metal hardmask sputtering redeposition that occurs during reactive ion etching (RIE) is exploited to produce, during the RIE process, a desired barrier metal liner on the etched feature.

摘要翻译： 在镶嵌加工中，在反应离子蚀刻（RIE）期间发生的金属硬掩模溅射再沉积被利用以在RIE工艺期间在蚀刻特征上产生期望的阻挡金属衬垫。

公开(公告)号：US20060160349A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：US11034890

申请日：2005-01-14

申请人： Kwong Wong ,  Louis Hsu ,  Timothy Dalton ,  Carl Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence Clevenger ,  Theodorus Standaert

发明人： Kwong Wong ,  Louis Hsu ,  Timothy Dalton ,  Carl Radens ,  Chih-Chao Yang ,  Lawrence Clevenger ,  Theodorus Standaert

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method of making an interconnect comprising: providing an interconnect structure in a dielectric material, recessing the dielectric material such that a portion of the interconnect structure extends above an upper surface of the dielectric; and depositing an encasing cap over the extended portion of the interconnect structure.

摘要翻译： 一种制造互连的方法，包括：在介电材料中提供互连结构，使所述电介质材料凹陷，使得所述互连结构的一部分在所述电介质的上表面上方延伸; 以及在所述互连结构的延伸部分上沉积封装盖。

公开(公告)号：US20060024961A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10710706

申请日：2004-07-29

申请人： Matthew Angyal ,  Peter Biolsi ,  Lawrence Clevenger ,  Habib Hichri ,  Bernd Kastenmeier ,  Michael Lane ,  Jeffrey Marino ,  Vincent McGahay ,  Theodorus Standaert

发明人： Matthew Angyal ,  Peter Biolsi ,  Lawrence Clevenger ,  Habib Hichri ,  Bernd Kastenmeier ,  Michael Lane ,  Jeffrey Marino ,  Vincent McGahay ,  Theodorus Standaert

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76844

摘要： Methods for sealing an organic ILD layer and a metal layer after an etching step. The method includes etching through an ILD layer and leaving a remaining portion of an underlying metal layer cap, maintaining the device in an inert gas, and depositing at least a portion of a liner into the opening to seal the ILD layer and the metal layer. Subsequent processing may include formation of a via by etching through the portion of the liner and the remaining portion of the cap layer, and depositing a metal.

摘要翻译： 在蚀刻步骤之后密封有机ILD层和金属层的方法。 该方法包括蚀刻穿过ILD层并留下下面的金属层帽的剩余部分，将该装置保持在惰性气体中，并将​​衬垫的至少一部分沉积到开口中以密封ILD层和金属层。 随后的处理可以包括通过蚀刻穿过衬套的一部分和盖层的剩余部分以及沉积金属来形成通孔。