公开(公告)号：US06815757B2

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：US10349066

申请日：2003-01-22

申请人： Reed W. Adams ,  William E. Grose ,  Sameer Pendharkar ,  Roland Bucksch

发明人： Reed W. Adams ,  William E. Grose ,  Sameer Pendharkar ,  Roland Bucksch

IPC分类号： H01L29788

CPC分类号： H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/7883

摘要： Disclosed are devices and associated methods for manufacturing an EEPROM memory cell (10) for use on a negatively biased substrate (12). The invention may be practiced using standard semiconductor processing techniques. Devices and methods are disclosed for a floating gate transistor for use as an EEPROM cell (10) including a DNwell (14) formed on a P-type substrate (12) for isolating the EEPROM cell (10) from the underlying P-type substrate (12).

摘要翻译： 公开了用于制造用于负偏压衬底（12）的EEPROM存储器单元（10）的器件和相关方法。 本发明可以使用标准半导体处理技术来实施。 公开了用作浮动栅晶体管的器件和方法，用作EEPROM单元（10），其包括形成在P型衬底（12）上的DNwell（14），用于将EEPROM单元（10）与下面的P型衬底 （12）。

公开(公告)号：US07039888B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10728068

申请日：2003-12-04

申请人： Philipp Steinmann ,  Amitava Chatterjee ,  Doug Weiser ,  Roland Bucksch

发明人： Philipp Steinmann ,  Amitava Chatterjee ,  Doug Weiser ,  Roland Bucksch

IPC分类号： G06F9/45 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L28/20 ,  G01R31/2846 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/2891 ,  H01L27/016

摘要： A method is presented, in which a thin film resistor is modeled to account for self-heating. The method includes fabricating the thin film resistor and characterizing a thermal resistance of the thin film resistor, wherein the thermal resistance accounts for self-heating thereof during operation. The thermal resistance is then used in a model for simulating integrated circuits using the thin film resistor.

摘要翻译： 提出了一种方法，其中薄膜电阻器被建模以考虑自热。 该方法包括制造薄膜电阻器并表征薄膜电阻器的热阻，其中热电阻在操作期间占其自身加热。 然后将热阻用于模拟使用薄膜电阻器的集成电路的模型中。

公开(公告)号：US20050124079A1

公开(公告)日：2005-06-09

申请号：US10728068

申请日：2003-12-04

申请人： Philipp Steinmann ,  Amitava Chatterjee ,  Doug Weiser ,  Roland Bucksch

发明人： Philipp Steinmann ,  Amitava Chatterjee ,  Doug Weiser ,  Roland Bucksch

IPC分类号： G01R31/28 ,  H01L21/02 ,  H01L27/01 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L28/20 ,  G01R31/2846 ,  G01R31/2884 ,  G01R31/2891 ,  H01L27/016

摘要： A method is presented, in which a thin film resistor is modeled to account for self-heating. The method includes fabricating the thin film resistor and characterizing a thermal resistance of the thin film resistor, wherein the thermal resistance accounts for self-heating thereof during operation. The thermal resistance is then used in a model for simulating integrated circuits using the thin film resistor.

摘要翻译： 提出了一种方法，其中薄膜电阻器被建模以考虑自热。 该方法包括制造薄膜电阻器并表征薄膜电阻器的热阻，其中热电阻在操作期间占其自身加热。 然后将热阻用于模拟使用薄膜电阻器的集成电路的模型中。

公开(公告)号：US06747308B2

公开(公告)日：2004-06-08

申请号：US10334319

申请日：2002-12-30

申请人： Jozef C. Mitros ,  Lily Springer ,  Roland Bucksch

发明人： Jozef C. Mitros ,  Lily Springer ,  Roland Bucksch

IPC分类号： H01L29788

CPC分类号： H01L29/7885 ,  G11C2216/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324

摘要： An EEPROM (100) comprises a source region (122), a drain region (120); and a polysilicon layer (110). The polysilicon layer (110) comprises a floating gate comprising at least one polysilicon finger (112A-112E) operatively coupling the source region (122) and drain region (120) and a control gate comprising at least one of the polysilicon fingers (112A-112E) capacitively coupled to the floating gate. The EEPROM (100) has a substantially reduce area compared to prior art EEPROM since an n-well region is eliminated.

摘要翻译： EEPROM（100）包括源区（122），漏区（120）; 和多晶硅层（110）。 多晶硅层（110）包括浮动栅极，其包括可操作地耦合源极区域（122）和漏极区域（120）的至少一个多晶硅指状物（112A-112E）和包括至少一个多晶硅指状物（112A- 112E）电容耦合到浮动栅极。 与现有技术的EEPROM相比，EEPROM（100）具有大大减小的面积，因为消除了n阱区域。