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    CPP Device with a Plurality of Metal Oxide Templates in a Confining Current Path (CCP) Spacer
    1.
    发明申请
    CPP Device with a Plurality of Metal Oxide Templates in a Confining Current Path (CCP) Spacer 有权
    具有多个金属氧化物模板的CPP器件在限流电路（CCP）间隔器中

    公开(公告)号：US20150170836A1

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：US14628508

    申请日：2015-02-23

    申请人： TDK Corporation ,  Kabushiki Kaisha Toshiba

    发明人： Kunliang Zhang ,  Min Li ,  Yue Liu ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

    IPC分类号： H01F41/30

    CPC分类号： H01F41/307 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49227

    摘要： A novel CCP scheme is disclosed for a CPP-GMR sensor in which an amorphous metal/alloy layer such as Hf is inserted between a lower Cu spacer and an oxidizable layer such as Al, Mg, or AlCu prior to performing a pre-ion treatment (PIT) and ion assisted oxidation (IAO) to transform the amorphous layer into a first metal oxide template and the oxidizable layer into a second metal oxide template both having Cu metal paths therein. The amorphous layer promotes smoothness and smaller grain size in the oxidizable layer to minimize variations in the metal paths and thereby improves dR/R, R, and dR uniformity by 50% or more. A thin Cu layer may be inserted between the amorphous layer and oxidizable layer before the PIT and IAO processes are performed.

    摘要翻译： 公开了一种用于CPP-GMR传感器的新型CCP方案，其中在执行预离子处理之前，在诸如Al，Mg或AlCu的下部Cu间隔物和可氧化层之间插入诸如Hf的非晶态金属/合金层 （PIT）和离子辅助氧化（IAO），以将非晶层转变为第一金属氧化物模板，并将可氧化层转变成其中具有Cu金属路径的第二金属氧化物模板。 无定形层促进可氧化层中的平滑度和较小的晶粒尺寸以最小化金属路径的变化，从而将dR / R，R和DR均匀度提高50％以上。 在执行PIT和IAO处理之前，可以在非晶层和可氧化层之间插入薄Cu层。

    High moment side shield design for area density improvement of perpendicular magnetic recording (PMR) writer
    4.
    发明授权
    High moment side shield design for area density improvement of perpendicular magnetic recording (PMR) writer 有权
    垂直磁记录（PMR）作者的面积密度改善的高矩侧面设计

    公开(公告)号：US09589582B2

    公开(公告)日：2017-03-07

    申请号：US15162091

    申请日：2016-05-23

    申请人： Headway Technologies, Inc. ,  TDK Corporation

    发明人： Yue Liu ,  Atsushi Yamaguchi ,  Yuhui Tang ,  Jiun-Ting Lee ,  Yaguang Wei ,  Xiaomin Liu ,  Hideyuki Ukita ,  Moris Dovek ,  Michitaka Nishiyama

    IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/60 ,  G11B5/127

    CPC分类号： G11B5/3116 ,  G11B5/00826 ,  G11B5/11 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/187 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/23 ,  G11B5/315 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/6082

    摘要： A PMR writer is disclosed wherein a hot seed layer (HS) made of a 19-24 kilogauss (kG) magnetic material is formed between a gap layer and a 10-16 kG magnetic layer in the side shields, and between the leading gap and a 16-19 kG magnetic layer in the leading shield to improve the track field gradient and cross-track field gradient while maintaining write-ability. The HS is from 10 to 100 nm thick and has a first side facing the write pole with a height of ≦0.15 micron, and a second side facing a main pole flared side that may extend to a full side shield height of ≦0.5 micron. The trailing shield has a second hot seed layer on the write gap and a 16-19 kG magnetic layer that contacts the 10-16 kG side shield magnetic layer thereby forming an all wrap around (AWA) shield configuration.

    摘要翻译： 公开了一种PMR写入器，其中在侧面屏蔽之间的间隙层和10-16kG磁性层之间以及在前导间隙和第二磁性层之间形成由19-24千兆（kG）磁性材料制成的热种子层（HS） 一个16-19 kG的磁屏蔽层，以提高轨道场梯度和跨轨道场梯度，同时保持写入能力。 HS为10至100nm厚，并且具有面向高度≤0.15微米的写极的第一面和面向主极扩张侧的第二面，其可延伸至≤0.5微米的全侧屏蔽高度。 后屏蔽在写间隙上具有第二热种子层，以及接触10-16kG侧屏蔽磁性层的16-19kG磁性层，从而形成全包裹（AWA）屏蔽配置。

    High Moment Side Shield Design for Area Density Improvement of Perpendicular Magnetic Recording (PMR) Writer
    5.
    发明申请
    High Moment Side Shield Design for Area Density Improvement of Perpendicular Magnetic Recording (PMR) Writer 审中-公开
    垂直磁记录（PMR）作者区域密度改进的高瞬时侧屏设计

    公开(公告)号：US20160307586A1

    公开(公告)日：2016-10-20

    申请号：US15162091

    申请日：2016-05-23

    申请人： Headway Technologies, Inc. ,  TDK Corporation

    发明人： Yue Liu ,  Atsushi Yamaguchi ,  Yuhui Tang ,  Jiun-Ting Lee ,  Yaguang Wei ,  Xiaomin Liu ,  Hideyuki Ukita ,  Moris Dovek ,  Michitaka Nishiyama

    IPC分类号： G11B5/31 ,  G11B5/127 ,  G11B5/60

    CPC分类号： G11B5/3116 ,  G11B5/00826 ,  G11B5/11 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/187 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/23 ,  G11B5/315 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/6082

    摘要： A PMR writer is disclosed wherein a hot seed layer (HS) made of a 19-24 kilogauss (kG) magnetic material is formed between a gap layer and a 10-16 kG magnetic layer in the side shields, and between the leading gap and a 16-19 kG magnetic layer in the leading shield to improve Hy_grad and Hy_grad_x while maintaining write-ability. The HS is from 10 to 100 nm thick and has a first side facing the write pole with a height of ≦0.15 micron, and a second side facing a main pole flared side that may extend to a full side shield height of ≦0.5 micron. First and second sides may form a continuous curve or a double tapered design where first and second sides have different angles with respect to a center plane. The side shield design described herein is especially beneficial for side gaps of 20-60 nm.

    摘要翻译： 公开了一种PMR写入器，其中在侧面屏蔽之间的间隙层和10-16kG磁性层之间以及在前导间隙和第二磁性层之间形成由19-24千兆（kG）磁性材料制成的热种子层（HS） 一个16-19 kG的磁屏蔽层，在保持写入能力的同时提高Hy_grad和Hy_grad_x。 HS为10至100nm厚，并且具有面向高度≤0.15微米的写极的第一面和面向主极扩张侧的第二面，其可延伸至≤0.5微米的全侧屏蔽高度。 第一和第二侧可以形成连续曲线或双锥形设计，其中第一和第二侧相对于中心平面具有不同的角度。 本文所述的侧面屏蔽设计对于20-60nm的侧面间隙特别有利。