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    Magnetoresistive sensor with AFM-stabilized bottom shield
    7.
    发明授权
    Magnetoresistive sensor with AFM-stabilized bottom shield 有权
    具有AFM稳定底板的磁阻传感器

    公开(公告)号：US09251815B2

    公开(公告)日：2016-02-02

    申请号：US13930150

    申请日：2013-06-28

    申请人： Seagate Technology LLC

    发明人： Eric W. Singleton ,  Konstantin Nikolaev ,  Liwen Tan ,  Jae-Young Yi ,  Victor Boris Sapozhnikov ,  Mohammed Sharia Ullah Patwari

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3912 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996

    摘要： An apparatus disclosed herein includes a sensor stack including a first layer and an AFM stabilized bottom shield in proximity to the first layer, wherein the AFM stabilized bottom shield is magnetically coupled to the first layer. The apparatus reduces shield-to-shield spacing. The pinned layer of the bottom shield and a pinned layer of the sensor stack are stabilized using the AFM layer in the bottom shield. In one implementation, the bottom shield is made of the SAF structure, with the top layer of the structure adjacent to a pinned layer in the sensor stack.

    摘要翻译： 本文公开的装置包括传感器堆叠，其包括靠近第一层的第一层和AFM稳定的底部屏蔽，其中AFM稳定的底部屏蔽物磁耦合到第一层。 该设备减少屏蔽间隔。 使用底部屏蔽中的AFM层来稳定底部屏蔽的固定层和传感器堆叠的固定层。 在一个实施方案中，底部屏蔽由SAF结构制成，结构的顶层与传感器堆叠中的固定层相邻。

    Dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor
    8.
    发明授权
    Dual capping layer utilized in a magnetoresistive effect sensor 有权
    双重封盖层用于磁阻效应传感器

    公开(公告)号：US09183858B2

    公开(公告)日：2015-11-10

    申请号：US14166699

    申请日：2014-01-28

    申请人： HGST Netherlands B.V.

    发明人： Norihiro Okawa ,  Koujiro Komagaki

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3912 ,  G01R33/098 ,  G11B5/39 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/398

    摘要： The present disclosure generally relates to a read head sensor in a magnetic recording head. The read head sensor comprises a dual capping layer in a sensor stack that may reduce magnetic coupling so as to enhance magnetic bias field, e.g., domain control, in the read head sensor. Furthermore, an upper shield with multiple film stack having different film properties may also be utilized to enhance bias field generated to the read head sensor. Additionally, a coil structure may be positioned adjacent to a side shield to enhance bias field generation in the read head sensor.

    摘要翻译： 本公开总体上涉及磁记录头中的读取头传感器。 读取头传感器包括传感器堆叠中的双重覆盖层，其可以减少磁耦合，以便增强读取头传感器中的磁偏置场，例如域控制。 此外，也可以利用具有不同膜特性的具有多个膜叠层的上屏蔽来增强对读头传感器产生的偏置场。 此外，线圈结构可以被定位成与侧屏蔽相邻，以增强读头传感器中的偏磁场产生。

    SPIN TRANSPORT SENSOR
    9.
    发明申请
    SPIN TRANSPORT SENSOR 有权
    旋转运输传感器

    公开(公告)号：US20150302872A1

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：US14754372

    申请日：2015-06-29

    申请人： Seagate Technology LLC

    发明人： Eric Walter Singleton ,  Zhiguo Ge

    IPC分类号： G11B5/39 ,  G01R33/09 ,  G01R33/12 ,  G11B5/31

    CPC分类号： G11B5/3906 ,  G01R33/091 ,  G01R33/1284 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/33 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3929 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3938 ,  G11B5/398

    摘要： The implementations disclosed herein provide for a spin transport sensor including a synthetic antiferromagnet (SAF) adjacent a shield element. The SAF extends to an air-bearing surface (ABS) and provides a current path from a current source to an ABS-region of a spin conductor layer. Spin current diffuses from the spin conductor layer to an adjacent free layer, which generates a measurable electrical voltage in a free layer of the spin transport sensor. The SAF serves as both a magnetic shield and a spin injector to the spin conductor layer.

    摘要翻译： 本文公开的实施方案提供了一种自旋传输传感器，其包括邻近屏蔽元件的合成反铁磁体（SAF）。 SAF延伸到空气轴承表面（ABS），并提供从电流源到自旋导体层的ABS区域的电流路径。 旋转电流从自旋导体层扩散到相邻的自由层，其在自旋传输传感器的自由层中产生可测量的电压。 SAF用作磁屏蔽和自旋注入器到纺丝导体层。

    ZIG-ZAG MIMO HEAD REDUCING SPACE BETWEEN THREE SENSORS
    10.
    发明申请
    ZIG-ZAG MIMO HEAD REDUCING SPACE BETWEEN THREE SENSORS 有权
    ZIG-ZAG MIMO HEAD减少三个传感器之间的空间

    公开(公告)号：US20150287427A1

    公开(公告)日：2015-10-08

    申请号：US14743145

    申请日：2015-06-18

    申请人： HGST Netherlands B.V.

    发明人： Hideki MASHIMA ,  Nobuo YOSHIDA ,  Iwata NORIHIRO ,  Tsutomu YASUDA

    IPC分类号： G11B5/39

    CPC分类号： G11B5/3929 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3948 ,  G11B5/3951 ,  G11B5/3954 ,  G11B5/3977 ,  G11B5/398

    摘要： The embodiments disclosed generally relate to a magnetic recording head having three magnetoresistive effect elements. The structure comprises a first magnetoresistive effect element on a lower magnetic shield layer. Additionally, two lower electrodes are disposed on the two sides of the first magnetoresistive effect element. A second magnetoresistive effect element is disposed on a lower electrode while a third magnetoresistive effect element on another lower electrode. An upper magnetic shield layer is disposed between the second magnetoresistive effect element and the third magnetoresistive effect element. The upper magnetic shield also serves as an electrode of the first magnetoresistive effect element.

    摘要翻译： 所公开的实施例通常涉及具有三个磁阻效应元件的磁记录头。 该结构包括在下磁屏蔽层上的第一磁阻效应元件。 此外，两个下电极设置在第一磁阻效应元件的两侧。 第二磁阻效应元件设置在下电极上，而第三磁阻效应元件设置在另一下电极上。 上磁屏蔽层设置在第二磁阻效应元件和第三磁阻效应元件之间。 上磁屏蔽还用作第一磁阻效应元件的电极。