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    Method for fabricating a semiconductor device
    2.
    发明授权
    Method for fabricating a semiconductor device 有权
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：US08530316B2

    公开(公告)日：2013-09-10

    申请号：US13736453

    申请日：2013-01-08

    申请人： Yu-Hung Cheng ,  Jhi-Cherng Lu ,  Ming-Hua Yu ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Yu-Hung Cheng ,  Jhi-Cherng Lu ,  Ming-Hua Yu ,  Chii-Horng Li ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7848

    摘要： A method for fabricating a semiconductor device, the method including growing a first semiconductor structure comprising a first semiconductor material on a surface of a substrate, wherein growing the first semiconductor structure includes forming a semiconductor particle comprising the first semiconductor material on a second semiconductor structure of the semiconductor device. The method further includes forming a protection layer of a second semiconductor material on the first semiconductor structure, wherein forming the protection layer includes forming the protection layer on the semiconductor particle. The method further includes removing a portion of the protection layer, wherein removing the portion of the protection layer includes fully removing the protection layer on the semiconductor particle and the semiconductor particle.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底的表面上生长包括第一半导体材料的第一半导体结构，其中生长第一半导体结构包括在第二半导体结构的第二半导体结构上形成包含第一半导体材料的半导体粒子 半导体器件。 该方法还包括在第一半导体结构上形成第二半导体材料的保护层，其中形成保护层包括在半导体颗粒上形成保护层。 该方法还包括去除保护层的一部分，其中去除保护层的部分包括完全去除半导体颗粒和半导体颗粒上的保护层。

    Bottle-neck recess in a semiconductor device
    4.
    发明授权
    Bottle-neck recess in a semiconductor device 有权
    半导体器件中的瓶颈凹槽

    公开(公告)号：US09054130B2

    公开(公告)日：2015-06-09

    申请号：US12841763

    申请日：2010-07-22

    申请人： Eric Peng ,  Chao-Cheng Chen ,  Ming-Hua Yu ,  Ying Hao Hsieh ,  Tze-Liang Lee ,  Chii-Horng Li ,  Syun-Ming Jang ,  Shih-Hao Lo

    发明人： Eric Peng ,  Chao-Cheng Chen ,  Ming-Hua Yu ,  Ying Hao Hsieh ,  Tze-Liang Lee ,  Chii-Horng Li ,  Syun-Ming Jang ,  Shih-Hao Lo

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L29/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device that includes providing a silicon substrate, forming a gate stack over the silicon substrate, performing a biased dry etching process to the substrate to remove a portion of the silicon substrate, thereby forming a recess region in the silicon substrate, performing a non-biased etching process to the recess region in the silicon substrate, thereby forming a bottle-neck shaped recess region in the silicon substrate, and epi-growing a semiconductor material in the bottle-neck shaped recess region in the silicon substrate. An embodiment may include a biased dry etching process including adding HeO2 gas and HBr gas. An embodiment may include performing a first biased dry etching process including N2 gas and performing a second biased dry etching process not including N2 gas. An embodiment may include performing an oxidation process to the recess region in the silicon substrate by adding oxygen gas to form silicon oxide on a portion of the recess region in the silicon substrate. As such, these processes form polymer protection to help form the bottle-neck shaped recess.

    摘要翻译： 本公开提供了一种制造半导体器件的方法，其包括提供硅衬底，在硅衬底上形成栅极堆叠，对衬底执行偏置的干蚀刻工艺以去除硅衬底的一部分，从而形成凹陷区域 在硅衬底中，对硅衬底中的凹陷区域进行非偏置蚀刻工艺，从而在硅衬底中形成瓶颈形凹部区域，并且在瓶颈形凹部区域中生长半导体材料 在硅衬底中。 一个实施例可以包括偏置的干蚀刻工艺，包括加入HeO2气体和HBr气体。 实施例可以包括执行包括N 2气体的第一偏压干法蚀刻工艺，并执行不包括N 2气体的第二偏压干式蚀刻工艺。 一个实施例可以包括通过在硅衬底中的一部分凹陷区域上添加氧气以形成氧化硅，来对硅衬底中的凹陷区域进行氧化处理。 因此，这些方法形成聚合物保护以帮助形成瓶颈形凹部。

    BOTTLE-NECK RECESS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE
    6.
    发明申请
    BOTTLE-NECK RECESS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    半导体器件中的瓶颈记录

    公开(公告)号：US20110049567A1

    公开(公告)日：2011-03-03

    申请号：US12841763

    申请日：2010-07-22

    申请人： Eric Peng ,  Chao-Cheng Chen ,  Ming-Hua Yu ,  Ying Hao Hsieh ,  Tze-Liang Lee ,  Chii-Horng Li ,  Syun-Ming Jang ,  Shih-Hao Lo

    发明人： Eric Peng ,  Chao-Cheng Chen ,  Ming-Hua Yu ,  Ying Hao Hsieh ,  Tze-Liang Lee ,  Chii-Horng Li ,  Syun-Ming Jang ,  Shih-Hao Lo

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device that includes providing a silicon substrate, forming a gate stack over the silicon substrate, performing a biased dry etching process to the substrate to remove a portion of the silicon substrate, thereby forming a recess region in the silicon substrate, performing a non-biased etching process to the recess region in the silicon substrate, thereby forming a bottle-neck shaped recess region in the silicon substrate, and epi-growing a semiconductor material in the bottle-neck shaped recess region in the silicon substrate. An embodiment may include a biased dry etching process including adding HeO2 gas and HBr gas. An embodiment may include performing a first biased dry etching process including N2 gas and performing a second biased dry etching process not including N2 gas. An embodiment may include performing an oxidation process to the recess region in the silicon substrate by adding oxygen gas to form silicon oxide on a portion of the recess region in the silicon substrate. As such, these processes form polymer protection to help form the bottle-neck shaped recess.

    摘要翻译： 本公开提供了一种制造半导体器件的方法，其包括提供硅衬底，在硅衬底上形成栅极堆叠，对衬底执行偏置的干蚀刻工艺以去除硅衬底的一部分，从而形成凹陷区域 在硅衬底中，对硅衬底中的凹部进行无偏压蚀刻工艺，从而在硅衬底中形成瓶颈形凹部区域，并且在瓶颈形凹部区域中形成半导体材料 在硅衬底中。 一个实施例可以包括偏置的干蚀刻工艺，包括加入HeO2气体和HBr气体。 实施例可以包括执行包括N 2气体的第一偏压干法蚀刻工艺，并执行不包括N 2气体的第二偏压干式蚀刻工艺。 一个实施例可以包括通过在硅衬底中的一部分凹陷区域上添加氧气以形成氧化硅，来对硅衬底中的凹陷区域进行氧化处理。 因此，这些方法形成聚合物保护以帮助形成瓶颈形凹部。

    Source/Drain Strained Layers
    7.
    发明申请
    Source/Drain Strained Layers 有权
    源/排水层

    公开(公告)号：US20110230022A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US13117782

    申请日：2011-05-27

    申请人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof wherein a PMOS source/drain region of a transistor within the substrate includes a first strained layer in the PMOS source/drain region and a first capping layer in contact with the first strained layer. Further, the semiconductor device and method provide for an NMOS source/drain region of a transistor within the substrate including a second strained layer in the NMOS source/drain region and a second capping layer in contact with the second strained layer.

    摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其中所述衬底内的晶体管的PMOS源极/漏极区域包括所述PMOS源极/漏极区域中的第一应变层和与所述第一应变层接触的第一覆盖层。 此外，半导体器件和方法提供了衬底内的晶体管的NMOS源极/漏极区域，其包括NMOS源极/漏极区域中的第二应变层和与第二应变层接触的第二覆盖层。

    Source/drain strained layers
    8.
    发明授权
    Source/drain strained layers 有权
    源/漏应变层

    公开(公告)号：US07973337B2

    公开(公告)日：2011-07-05

    申请号：US12844896

    申请日：2010-07-28

    申请人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H01L31/0328

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof wherein a PMOS source/drain region of a transistor within the substrate includes a first strained layer in the PMOS source/drain region and a first capping layer in contact with the first strained layer. Further, the semiconductor device and method provide for an NMOS source/drain region of a transistor within the substrate including a second strained layer in the NMOS source/drain region and a second capping layer in contact with the second strained layer.

    摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其中所述衬底内的晶体管的PMOS源极/漏极区域包括所述PMOS源极/漏极区域中的第一应变层和与所述第一应变层接触的第一覆盖层。 此外，半导体器件和方法提供了衬底内的晶体管的NMOS源极/漏极区域，其包括NMOS源极/漏极区域中的第二应变层和与第二应变层接触的第二覆盖层。

    Source/drain strained layers
    9.
    发明授权
    Source/drain strained layers 有权
    源/漏应变层

    公开(公告)号：US07781799B2

    公开(公告)日：2010-08-24

    申请号：US11923420

    申请日：2007-10-24

    申请人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H01L31/0328

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof wherein a PMOS source/drain region of a transistor within the substrate includes a first strained layer in the PMOS source/drain region and a first capping layer in contact with the first strained layer. Further, the semiconductor device and method provide for an NMOS source/drain region of a transistor within the substrate including a second strained layer in the NMOS source/drain region and a second capping layer in contact with the second strained layer.

    摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其中所述衬底内的晶体管的PMOS源极/漏极区域包括所述PMOS源极/漏极区域中的第一应变层和与所述第一应变层接触的第一覆盖层。 此外，半导体器件和方法提供了衬底内的晶体管的NMOS源极/漏极区域，其包括NMOS源极/漏极区域中的第二应变层和与第二应变层接触的第二覆盖层。

    Source/Drain Strained Layers
    10.
    发明申请
    Source/Drain Strained Layers 有权
    源/排水层

    公开(公告)号：US20100289086A1

    公开(公告)日：2010-11-18

    申请号：US12844896

    申请日：2010-07-28

    申请人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Ming-Hua Yu ,  Ling-Yen Yeh ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H01L27/092

    CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

    摘要： A semiconductor device and method of manufacture thereof wherein a PMOS source/drain region of a transistor within the substrate includes a first strained layer in the PMOS source/drain region and a first capping layer in contact with the first strained layer. Further, the semiconductor device and method provide for an NMOS source/drain region of a transistor within the substrate including a second strained layer in the NMOS source/drain region and a second capping layer in contact with the second strained layer.

    摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法，其中所述衬底内的晶体管的PMOS源极/漏极区域包括所述PMOS源极/漏极区域中的第一应变层和与所述第一应变层接触的第一覆盖层。 此外，半导体器件和方法提供了衬底内的晶体管的NMOS源极/漏极区域，其包括NMOS源极/漏极区域中的第二应变层和与第二应变层接触的第二覆盖层。