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    Resistive memory device and fabrication methods
    91.
    发明授权
    Resistive memory device and fabrication methods 有权
    电阻式存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08946669B1

    公开(公告)日：2015-02-03

    申请号：US13586815

    申请日：2012-08-15

    申请人： Sung Hyun Jo ,  Kuk-Hwan Kim ,  Tanmay Kumar

    发明人： Sung Hyun Jo ,  Kuk-Hwan Kim ,  Tanmay Kumar

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/145 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

    摘要： A method for forming a resistive memory device includes providing a substrate comprising a first metal material, forming a conductive silicon-bearing layer on top of the first metal material, wherein the conductive silicon-bearing layer comprises an upper region and a lower region, and wherein the lower region is adjacent to the first metal material, forming an amorphous layer from the upper region of the conductive silicon-bearing layer, and disposing an active metal material above the amorphous layer.

    摘要翻译： 一种用于形成电阻式存储器件的方法包括提供包括第一金属材料的衬底，在第一金属材料的顶部上形成导电含硅层，其中导电含硅层包括上部区域和下部区域，以及 其中所述下部区域与所述第一金属材料相邻，从所述导电含硅层的上部区域形成非晶层，并且在所述非晶层的上方设置活性金属材料。

    Terminal device and method for transceiving data thereof
    93.
    发明授权
    Terminal device and method for transceiving data thereof 有权
    用于收发数据的终端装置及方法

    公开(公告)号：US08630583B2

    公开(公告)日：2014-01-14

    申请号：US12561698

    申请日：2009-09-17

    申请人： Ka-won Cheon ,  Jae-uk Han ,  Ji-su Jung ,  Hyun-koo Kwak ,  Sung-joon Park ,  Soo-hyun Jo

    发明人： Ka-won Cheon ,  Jae-uk Han ,  Ji-su Jung ,  Hyun-koo Kwak ,  Sung-joon Park ,  Soo-hyun Jo

    IPC分类号： H04B7/24 ,  H04B5/00 ,  H04B7/00

    CPC分类号： H04W4/80 ,  G06F3/017 ,  H04M1/7253 ,  H04M1/72558 ,  H04M2250/12 ,  H04M2250/64

    摘要： A terminal device and a data transceiving method are provided. The terminal device includes a sensing unit which senses a momentum of the terminal device, an interface unit which receives a momentum from at least one external device, and a control unit which performs one of a data receiving operation, a data transmitting operation, and a data transceiving operation with the at least one external device depending on a comparison value obtained from a comparison of the sensed momentum with the received momentum to allow two devices to exchange data more easily.

    摘要翻译： 提供终端设备和数据收发方法。 终端装置包括感测终端装置的动量的感测单元，从至少一个外部装置接收动量的接口单元，以及执行数据接收操作，数据发送操作和数据发送操作之一的控制单元 根据从感测到的动量与接收到的动量的比较获得的比较值，使用至少一个外部设备进行数据收发操作，以允许两个设备更容易地交换数据。

    Rectification element and method for resistive switching for non volatile memory device
    95.
    发明授权
    Rectification element and method for resistive switching for non volatile memory device 有权
    用于非易失性存储器件的电阻式开关的整流元件和方法

    公开(公告)号：US08351241B2

    公开(公告)日：2013-01-08

    申请号：US12826653

    申请日：2010-06-29

    申请人： Wei Lu ,  Sung Hyun Jo

    发明人： Wei Lu ,  Sung Hyun Jo

    IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/15

    CPC分类号： H01L45/1616 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H02H9/08

    摘要： A method of suppressing propagation of leakage current in an array of switching devices. The method includes providing a dielectric breakdown element integrally and serially connected to a switching element within each of the switching device. A read voltage (for example) is applied to a selected cell. The propagation of leakage current is suppressed by each of the dielectric breakdown element in unselected cells in the array. The read voltage is sufficient to cause breakdown in the selected cells but insufficient to cause breakdown in the serially connected, unselected cells in a specific embodiment. Methods to fabricate of such devices and to program, to erase and to read the device are provided.

    摘要翻译： 一种抑制开关元件阵列中漏电流传播的方法。 该方法包括提供整体并串联连接到每个开关装置内的开关元件的电介质击穿元件。 读取电压（例如）被施加到所选择的单元。 泄漏电流的传播被阵列中未选择的单元中的每个介质击穿元件抑制。 在特定实施例中，读取电压足以导致所选择的单元中的击穿，但不足以导致串联连接的未选择的单元中的击穿。 提供了制造这种设备并编程，擦除和读取设备的方法。

    SWITCHING DEVICE HAVING A NON-LINEAR ELEMENT
    96.
    发明申请
    SWITCHING DEVICE HAVING A NON-LINEAR ELEMENT 有权
    具有非线性元件的开关器件

    公开(公告)号：US20120305879A1

    公开(公告)日：2012-12-06

    申请号：US13149757

    申请日：2011-05-31

    申请人： Wei Lu ,  Sung Hyun Jo

    发明人： Wei Lu ,  Sung Hyun Jo

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/148

    摘要： A switching device includes a substrate; a first electrode formed over the substrate; a second electrode formed over the first electrode; a switching medium disposed between the first and second electrode; and a nonlinear element disposed between the first and second electrodes and electrically coupled in series to the first electrode and the switching medium. The nonlinear element is configured to change from a first resistance state to a second resistance state on application of a voltage greater than a threshold.

    摘要翻译： 开关装置包括：基板; 形成在所述基板上的第一电极; 形成在所述第一电极上的第二电极; 布置在第一和第二电极之间的开关介质; 以及设置在第一和第二电极之间并且与第一电极和开关介质串联电耦合的非线性元件。 非线性元件被配置为在施加大于阈值的电压时从第一电阻状态改变到第二电阻状态。

    Device to sense frequency band to share operating frequency bands in heterogeneous communication systems and method thereof
    98.
    发明授权
    Device to sense frequency band to share operating frequency bands in heterogeneous communication systems and method thereof 失效
    用于感测频带以在异构通信系统中共享工作频带的设备及其方法

    公开(公告)号：US08121630B2

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US12422693

    申请日：2009-04-13

    申请人： Tae Soo Kwon ,  Woong Sup Lee ,  Kyung Hun Jang ,  Hyo Sun Hwang ,  Dong Ho Cho ,  Ho Won Lee ,  O Hyun Jo

    发明人： Tae Soo Kwon ,  Woong Sup Lee ,  Kyung Hun Jang ,  Hyo Sun Hwang ,  Dong Ho Cho ,  Ho Won Lee ,  O Hyun Jo

    IPC分类号： H04B7/00

    CPC分类号： H04W16/14

    摘要： A cognitive radio communication device and method are provided. The cognitive radio communication device includes a reception unit to receive reference signals from a first communication device, a frequency division unit to divide operating frequency bands of the first communication device into a plurality of sub frequency bands, a first sensing unit to sense each of the plurality of sub frequency bands using the reference signals to estimate whether the first communication device uses each of the plurality of sub frequency bands, and to determine an unused frequency band group including at least one sub frequency band not used by the first communication device based on the estimated result, and a transmission unit to transmit data to a second communication device using the sub frequency band included in the unused frequency band group.

    摘要翻译： 提供了一种认知无线电通信装置和方法。 认知无线电通信设备包括：接收单元，用于从第一通信设备接收参考信号;分频单元，用于将第一通信设备的工作频带划分为多个子频带;第一感测单元，用于感测每个 使用参考信号来估计多个子频带，以估计第一通信设备是否使用多个子频带中的每一个，并且基于基于第一通信设备的第一通信设备不使用的至少一个子频带来确定未使用的频带组 估计结果，以及使用包含在未使用频带组中的子频带向第二通信装置发送数据的发送单元。

    NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT
    99.
    发明申请
    NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT 有权
    纳米金属氧化物电阻开关元件

    公开(公告)号：US20120001146A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13167920

    申请日：2011-06-24

    申请人： Wei Lu ,  Sung Hyun Jo

    发明人： Wei Lu ,  Sung Hyun Jo

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675

    摘要： A non-volatile memory device structure. The non-volatile memory device structure comprises a first electrode formed from a first metal material, a resistive switching element overlying the first electrode. The resistive switching element comprises a metal oxide material characterized by one or more oxygen deficient sites. The device includes a second electrode overlying the resistive switching layer, the second electrode being formed from a second metal material. The second electrode is made from a noble metal. The one or more oxygen deficient sites are caused to migrate from one of the first electrode or the second electrode towards the other electrode upon a voltage applied to the first electrode or the second electrode. The device can have a continuous change in resistance upon applying a continuous voltage ramp, suitable for an analog device. Alternatively, the device can have a sharp change in resistance upon applying the continuous voltage ramp, suitable for a digital device.

    摘要翻译： 非易失性存储器件结构。 非易失性存储器件结构包括由第一金属材料形成的第一电极，覆盖第一电极的电阻式开关元件。 电阻式开关元件包括以一个或多个缺氧部位为特征的金属氧化物材料。 该器件包括覆盖电阻开关层的第二电极，第二电极由第二金属材料形成。 第二电极由贵金属制成。 当施加到第一电极或第二电极的电压时，使一个或多个缺氧部位从第一电极或第二电极中的一个迁移到另一个电极。 当施加适用于模拟装置的连续电压斜坡时，该装置可以具有连续的电阻变化。 或者，在施加适用于数字设备的连续电压斜坡时，该装置可以具有急剧的电阻变化。