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115 条记录 (耗时 0.039 秒)

    Guiding calls via graphical user interface
    92.
    发明授权
    Guiding calls via graphical user interface 有权
    通过图形用户界面引导

    公开(公告)号：US08520830B2

    公开(公告)日：2013-08-27

    申请号：US13173265

    申请日：2011-06-30

    申请人： Amit Singh ,  Patrick Smith ,  Vijay Arumugam ,  Roopa Kotha ,  Fariborz Ebrahimi

    发明人： Amit Singh ,  Patrick Smith ,  Vijay Arumugam ,  Roopa Kotha ,  Fariborz Ebrahimi

    IPC分类号： H04M3/00

    CPC分类号： H04M3/5166 ,  H04M3/493 ,  H04M2203/252

    摘要： A user device may display, via a graphical user interface, questions associated with a voice menu that is used by an interactive voice response (IVR) system to forward calls. The user device may obtain, via the graphical user interface, user responses to the questions. In addition, the user device may send information corresponding to the user responses to the questions to a remote device. The remote device may query the IVR system to identify a call agent, in a call center, whose profile matches the information, obtain contact information of the call agent from the IVR system, and send the contact information to the user device. Furthermore, the user device may receive the contact information from the remote device and display the contact information via the graphical user interface.

    摘要翻译： 用户设备可以经由图形用户界面显示与由交互式语音响应（IVR）系统用于转发呼叫的语音菜单相关联的问题。 用户设备可以经由图形用户界面获得用户对问题的响应。 此外，用户设备可以向远程设备发送与用户对问题的响应相对应的信息。 远程设备可以查询IVR系统来识别呼叫中心中的呼叫中心，其配置文件与信息匹配，从IVR系统获取呼叫代理的联系人信息，并将联系人信息发送给用户设备。 此外，用户设备可以从远程设备接收联系人信息，并经由图形用户界面显示联系人信息。

    Process-variation tolerant series-connected NMOS and PMOS diodes, and standard cells, tags, and sensors containing the same
    93.
    发明授权
    Process-variation tolerant series-connected NMOS and PMOS diodes, and standard cells, tags, and sensors containing the same 有权
    工艺变异容差串联NMOS和PMOS二极管，以及标准单元，标签和含有这些二极管的传感器

    公开(公告)号：US08471308B2

    公开(公告)日：2013-06-25

    申请号：US13047627

    申请日：2011-03-14

    申请人： Vivek Subramanian ,  Patrick Smith

    发明人： Vivek Subramanian ,  Patrick Smith

    IPC分类号： H01L29/76

    CPC分类号： H01L29/86 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  Y10S257/91 ,  Y10T307/964

    摘要： Process variation-tolerant diodes and diode-connected thin film transistors (TFTs), printed or patterned structures (e.g., circuitry) containing such diodes and TFTs, methods of making the same, and applications of the same for identification tags and sensors are disclosed. A patterned structure comprising a complementary pair of diodes or diode-connected TFTs in series can stabilize the threshold voltage (Vt) of a diode manufactured using printing or laser writing techniques. The present invention advantageously utilizes the separation between the Vt of an NMOS TFT (Vtn) and the Vt of a PMOS TFT (Vtp) to establish and/or improve stability of a forward voltage drop across a printed or laser-written diode. Further applications of the present invention relate to reference voltage generators, voltage clamp circuits, methods of controlling voltages on related or differential signal transmission lines, and RFID and EAS tags and sensors.

    摘要翻译： 公开了包含这种二极管和TFT的工艺变容二极管和二极管连接的薄膜晶体管（TFT），印刷或图案化结构（例如电路），其制造方法及其用于识别标签和传感器的应用。 包括串联的互补二极管或二极管连接的TFT的图案化结构可以稳定使用印刷或激光写入技术制造的二极管的阈值电压（Vt）。 本发明有利地利用NMOS TFT（Vtn）的Vt和PMOS TFT（Vtp）的Vt之间的间隔来建立和/或提高印刷或激光写入的二极管上的正向压降的稳定性。 本发明的其它应用涉及参考电压发生器，电压钳位电路，控制相关或差分信号传输线上的电压的方法，以及RFID和EAS标签和传感器。

    Printed non-volatile memory
    94.
    发明授权
    Printed non-volatile memory 有权
    打印的非易失性存储器

    公开(公告)号：US08264027B2

    公开(公告)日：2012-09-11

    申请号：US12723542

    申请日：2010-03-12

    申请人： Arvind Kamath ,  Patrick Smith ,  James Montague Cleeves

    发明人： Arvind Kamath ,  Patrick Smith ,  James Montague Cleeves

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11558 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

    摘要： A nonvolatile memory cell is disclosed, having first and second semiconductor islands at the same horizontal level and spaced a predetermined distance apart, the first semiconductor island providing a control gate and the second semiconductor island providing source and drain terminals; a gate dielectric layer on at least part of the first semiconductor island; a tunneling dielectric layer on at least part of the second semiconductor island; a floating gate on at least part of the gate dielectric layer and the tunneling dielectric layer; and a metal layer in electrical contact with the control gate and the source and drain terminals. In one advantageous embodiment, the nonvolatile memory cell may be manufactured using an “all-printed” process technology.

    摘要翻译： 公开了一种非易失性存储器单元，其具有在相同水平位置处并且间隔开预定距离的第一和第二半导体岛，所述第一半岛具有提供控制栅极和所述第二半岛岛提供源极和漏极端子; 在所述第一半导体岛的至少一部分上的栅介质层; 在所述第二半导体岛的至少一部分上的隧道介电层; 至少部分栅极电介质层和隧道电介质层上的浮栅; 以及与控制栅极以及源极和漏极端子电接触的金属层。 在一个有利的实施例中，可以使用“全印刷”工艺技术来制造非易失性存储单元。

    Lock assembly with removable shackle
    95.
    发明授权
    Lock assembly with removable shackle 有权
    锁紧组件与可移动卸扣

    公开(公告)号：US07856855B2

    公开(公告)日：2010-12-28

    申请号：US11690241

    申请日：2007-03-23

    申请人： Steven A. Fantl ,  Patrick Smith

    发明人： Steven A. Fantl ,  Patrick Smith

    IPC分类号： E05B67/22

    CPC分类号： E05B67/24 ,  E05B17/0062 ,  E05B63/0056 ,  E05B67/003 ,  E05B67/063 ,  Y10T70/454 ,  Y10T70/457 ,  Y10T70/459 ,  Y10T70/461

    摘要： A lock assembly has a lock body and a shackle. The shackle has a leg. A locking element is disposed in the lock body. The locking element is selectively engageable to the shackle. A cam is disposed in the lock body. The cam has a lock position for moving the locking element to engage the shackle. There is also an unlocked position for moving the locking element to disengage the shackle. The cam has a shackle removal position for removing the shackle from the lock body. The leg has a shackle removal recess sized to receive the locking element sufficiently so as to permit movement of the cam to the shackle removal position. The cam is configured to displace the locking element into the shackle removal recess.

    摘要翻译： 锁组件具有锁体和钩环。 手铐有一条腿。 锁定元件设置在锁体内。 锁定元件可选择性地接合到钩环。 凸轮设置在锁体内。 凸轮具有用于移动锁定元件以接合钩环的锁定位置。 还有一个解锁位置，用于移动锁定元件以脱离钩环。 凸轮具有用于从锁体去除钩环的卸扣位置。 该腿具有一个卸扣槽，其尺寸被设计成足以容纳锁定元件，以允许凸轮移动到卸扣位置。 凸轮构造成将锁定元件移动到卸载凹槽中。

    Solid brazed laminate structures
    96.
    发明授权
    Solid brazed laminate structures 有权
    固体钎焊层压结构

    公开(公告)号：US07819304B2

    公开(公告)日：2010-10-26

    申请号：US11690213

    申请日：2007-03-23

    申请人： Patrick Smith

    发明人： Patrick Smith

    IPC分类号： B23K35/12 ,  E05B67/22

    CPC分类号： B23K1/0008 ,  Y10T70/413 ,  Y10T70/459 ,  Y10T70/489

    摘要： An example method of manufacturing a solid brazed laminate structure includes stacking a first lamina on a second lamina with an interfacial spacing between them, aligning mating portions of the first lamina and the second lamina, and introducing a braze material at least partially into the interfacial spacing to join the first lamina and the second lamina together. One example solid brazed laminate structure includes a lock assembly. Another example solid brazed structure includes a gear assembly.

    摘要翻译： 制造固体钎焊层压结构的示例性方法包括将第一层板叠置在第二层板上，其间具有界面间隔，使第一层板和第二层板的配合部分对准，并将钎焊材料至少部分地引入界面间隔 一起加入第一层和第二层。 一个实例的固体钎焊层压结构包括锁组件。 另一个实例的钎焊结构包括齿轮组件。

    Method of manufacturing complementary diodes
    97.
    发明授权
    Method of manufacturing complementary diodes 有权
    制造互补二极管的方法

    公开(公告)号：US07528017B2

    公开(公告)日：2009-05-05

    申请号：US11521924

    申请日：2006-09-15

    申请人： Vivek Subramanian ,  Patrick Smith

    发明人： Vivek Subramanian ,  Patrick Smith

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/86 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  Y10S257/91 ,  Y10T307/964

    摘要： Process variation-tolerant diodes and diode-connected thin film transistors (TFTs), printed or patterned structures (e.g., circuitry) containing such diodes and TFTs, methods of making the same, and applications of the same for identification tags and sensors are disclosed. A patterned structure comprising a complementary pair of diodes or diode-connected TFTs in series can stabilize the threshold voltage (Vt) of a diode manufactured using printing or laser writing techniques. The present invention advantageously utilizes the separation between the Vt of an NMOS TFT (Vtn) and the Vt of a PMOS TFT (Vtp) to establish and/or improve stability of a forward voltage drop across a printed or laser-written diode. Further applications of the present invention relate to reference voltage generators, voltage clamp circuits, methods of controlling voltages on related or differential signal transmission lines, and RFID and EAS tags and sensors.

    摘要翻译： 公开了包含这种二极管和TFT的工艺变容二极管和二极管连接的薄膜晶体管（TFT），印刷或图案化结构（例如电路），其制造方法及其用于识别标签和传感器的应用。 包括串联的互补二极管或二极管连接的TFT的图案化结构可以稳定使用印刷或激光写入技术制造的二极管的阈值电压（Vt）。 本发明有利地利用NMOS TFT（Vtn）的Vt和PMOS TFT（Vtp）的Vt之间的间隔来建立和/或提高印刷或激光写入的二极管上的正向压降的稳定性。 本发明的其它应用涉及参考电压发生器，电压钳位电路，控制相关或差分信号传输线上的电压的方法，以及RFID和EAS标签和传感器。

    Transitions having disparate surfaces
    99.
    发明申请
    Transitions having disparate surfaces 失效
    具有不同表面的过渡

    公开(公告)号：US20080168729A1

    公开(公告)日：2008-07-17

    申请号：US11907965

    申请日：2007-10-18

    申请人： Dan Brunedal ,  Patrick Smith

    发明人： Dan Brunedal ,  Patrick Smith

    IPC分类号： E04F19/06 ,  E04B1/68 ,  B44F9/00

    CPC分类号： E04F11/16 ,  E04F19/061 ,  E04F19/062 ,  E04F19/065 ,  F21S4/28 ,  F21V33/006 ,  F21Y2115/10

    摘要： A structure to form flooring transitions having outer surfaces comprising two disparate materials. In a preferred embodiment the flooring transitions includes a T-shaped molding and at least one attachment thereto. The outer surfaces of the T-molding and attachment may be comprised of different materials, even though they may sometimes have the same pattern or décor. For example, the T-molding may have a surface of real wood or veneer and the attachment may have an outer surface of abrasion resistant foil, metal, or even a visual perception element, such as lights or reflective tape. A kit is also disclosed.

    摘要翻译： 一种形成具有包括两种不同材料的外表面的地板过渡的结构。 在优选实施例中，地板过渡部分包括T形模制件和至少一个附件。 T型和附件的外表面可以由不同的材料组成，尽管它们有时可以具有相同的图案或装饰。 例如，T型模具可以具有真实木材或单板的表面，并且附件可以具有耐磨箔，金属或甚至视觉感知元件（例如灯或反射带）的外表面。 还披露了一个套件。