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    Vehicle surroundings monitoring device, and image production method/program
    126.
    发明授权
    Vehicle surroundings monitoring device, and image production method/program 有权
    车辆环境监控装置，图像制作方法/程序

    公开(公告)号：US07110021B2

    公开(公告)日：2006-09-19

    申请号：US10447523

    申请日：2003-05-29

    申请人： Kunio Nobori ,  Masamichi Nakagawa ,  Satoshi Sato ,  Mikiya Nakata

    发明人： Kunio Nobori ,  Masamichi Nakagawa ,  Satoshi Sato ,  Mikiya Nakata

    IPC分类号： H04N7/18 ,  H04N9/47

    CPC分类号： H04N7/181 ,  G01S5/16 ,  G01S11/12 ,  G06T7/74 ,  G06T7/97

    摘要： A synthesized image showing the situation around a vehicle is produced from images taken with cameras capturing the surroundings of the vehicle and presented to a display. A position computation section computes position information and the reliability of the position information, for a plurality of points in the camera images. An image variable-synthesis section produces a first synthesized image from the camera images using the position information. An image fixed-synthesis section produces a second synthesized image by road surface projection, for example, without use of the position information. A synthesis scheme selection section selects either one of the first and second synthesized images according to the reliability as the synthesized image to be presented.

    摘要翻译： 显示车辆周围情况的合成图像是从拍摄车辆周围的摄像机拍摄的图像产生的，呈现给显示器。 位置计算部分计算相机图像中的多个点的位置信息和位置信息的可靠性。 图像可变合成部分使用位置信息从照相机图像产生第一合成图像。 图像固定合成部，例如不使用位置信息，通过路面投影产生第二合成图像。 合成方案选择部根据可靠性选择第一和第二合成图像中的任一个作为要呈现的合成图像。

    Image capturing system
    129.
    发明申请
    Image capturing system 有权
    图像捕获系统

    公开(公告)号：US20060028558A1

    公开(公告)日：2006-02-09

    申请号：US11247178

    申请日：2005-10-12

    申请人： Satoshi Sato ,  Katsuji Aoki ,  Kunio Nobori ,  Jun Ozawa ,  Taro Imagawa

    发明人： Satoshi Sato ,  Katsuji Aoki ,  Kunio Nobori ,  Jun Ozawa ,  Taro Imagawa

    IPC分类号： H04N5/232

    CPC分类号： H04N1/00281 ,  H04N5/232 ,  H04N2101/00 ,  H04N2201/0017

    摘要： An image capturing apparatus (100) of an image taker side has an image capturing unit (101) which captures an image using a CCD sensor, a CMOS sensor and the like, an image capturing restriction signal receiving unit (102) which receives an image capturing restriction signal transmitted by a communication terminal (200), and an image capturing restriction unit (103) which restricts the image capturing performed by the image capturing unit (101) according to a request of the image capturing restriction signal. Further, the communication terminal (200) of a subject side has an image capturing restriction signal generation unit (201) which transmits the image capturing restriction signal for requesting to restrict the image capturing.

    摘要翻译： 图像接收器侧的图像捕获设备（100）具有使用CCD传感器，CMOS传感器等拍摄图像的图像捕获单元（101），接收图像的图像捕获限制信号接收单元（102） 由通信终端（200）发送的捕获限制信号，以及根据图像拍摄限制信号的请求来限制由图像捕获单元（101）执行的图像捕获的图像捕获限制单元（103）。 此外，被摄体侧的通信终端（200）具有图像拍摄限制信号生成单元（201），其发送用于请求限制图像拍摄的图像捕获限制信号。

    Apparatus for manufacturing silicon single crystal, method for manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal
    130.
    发明申请
    Apparatus for manufacturing silicon single crystal, method for manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal 有权
    硅单晶的制造装置，单晶硅的制造方法以及硅单晶

    公开(公告)号：US20060027160A1

    公开(公告)日：2006-02-09

    申请号：US11192039

    申请日：2005-07-29

    申请人： Youji Suzuki ,  Satoshi Sato

    发明人： Youji Suzuki ,  Satoshi Sato

    IPC分类号： C30B13/00

    CPC分类号： C30B15/20 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1056

    摘要： The apparatus for manufacturing a silicon single crystal includes: a crucible for storing molten silicon; a pulling-up device for pulling up a silicon single crystal from the molten silicon in the crucible to grow; a detecting device for detecting a position of the crucible in a vertical direction; and a control device for controlling a pulling rate for the silicon single crystal by the pulling-up device, based on the detected position of the crucible.

    摘要翻译： 制造硅单晶的装置包括：用于储存熔融硅的坩埚; 用于从坩埚中的熔融硅提起硅单晶的拉起装置成长; 用于检测坩埚在垂直方向上的位置的检测装置; 以及控制装置，用于根据所检测到的坩埚的位置，通过上拉装置控制硅单晶的拉拔速度。