公开(公告)号：US07042016B2

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10808158

申请日：2004-03-23

申请人： Takao Nakamura ,  Hiroki Mori ,  Koji Katayama

发明人： Takao Nakamura ,  Hiroki Mori ,  Koji Katayama

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/04 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48463

摘要： A semiconductor optical device comprises a superlattice contact semiconductor region and a metal electrode. The superlattice contact semiconductor region has a superlattice structure. The superlattice contact semiconductor region includes a II–VI compound semiconductor region and a II–VI compound semiconductor layer. The II–VI compound semiconductor region contains zinc, selenium and tellurium, and the II–VI compound semiconductor layer contains zinc and selenium. The metal electrode is provided on said superlattice contact semiconductor region and the metal electrode is electrically bonded to the first II–VI compound semiconductor layer.

摘要翻译： 半导体光学器件包括超晶格接触半导体区域和金属电极。 超晶格接触半导体区域具有超晶格结构。 超晶格接触半导体区域包括II-VI族化合物半导体区域和II-VI族化合物半导体层。 II-VI化合物半导体区域含有锌，硒和碲，II-VI化合物半导体层含有锌和硒。 金属电极设置在所述超晶格接触半导体区域上，金属电极与第一II-VI族化合物半导体层电连接。

公开(公告)号：US20050062054A1

公开(公告)日：2005-03-24

申请号：US10829306

申请日：2004-04-20

申请人： Shinsuke Fujiwara ,  Takao Nakamura ,  Hiroki Mori ,  Koji Katayama

发明人： Shinsuke Fujiwara ,  Takao Nakamura ,  Hiroki Mori ,  Koji Katayama

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L33/06 ,  H01S5/327

摘要： A ZnSe based light emitting device enabling longer lifetime is provided. The light emitting device is formed on a compound semiconductor, includes an active layer positioned between an n-type ZnMgSSe cladding layer and a p-type ZnMgSSe cladding layer, and has a barrier layer having a band gap larger than that of the p-type ZnMgSSe cladding layer, provided between the active layer and the p-type ZnMgSSe cladding layer.

摘要翻译： 提供了一种能延长使用寿命的基于ZnSe的发光器件。 发光器件形成在化合物半导体上，包括位于n型ZnMgSSe覆层和p型ZnMgSSe覆层之间的有源层，并且具有比p型的带隙大的带隙的阻挡层 ZnMgSSe包层，设置在有源层和p型ZnMgSSe覆层之间。

公开(公告)号：US06713790B2

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：US10212799

申请日：2002-08-07

申请人： Akira Asai ,  Teruhito Oonishi ,  Takeshi Takagi ,  Tohru Saitoh ,  Yoshihiro Hara ,  Koichiro Yuki ,  Katsuya Nozawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Yo Ichikawa

发明人： Akira Asai ,  Teruhito Oonishi ,  Takeshi Takagi ,  Tohru Saitoh ,  Yoshihiro Hara ,  Koichiro Yuki ,  Katsuya Nozawa ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Koji Katayama ,  Yo Ichikawa

IPC分类号： H01L31072

CPC分类号： H01L29/66242 ,  H01L21/763 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/7378

摘要： In the method for fabricating a semiconductor device of the present invention, a collector layer of a first conductivity type is formed in a region of a semiconductor substrate sandwiched by device isolation. A collector opening is formed through a first insulating layer deposited on the semiconductor substrate so that the range of the collector opening covers the collector layer and part of the device isolation. A semiconductor layer of a second conductivity type as an external base is formed on a portion of the semiconductor substrate located inside the collector opening, while junction leak prevention layers of the same conductivity type as the external base are formed in the semiconductor substrate. Thus, the active region is narrower than the collector opening reducing the transistor area, while minimizing junction leak.

摘要翻译： 在本发明的半导体装置的制造方法中，在被器件分离夹持的半导体基板的区域中形成有第一导电型的集电极层。 通过沉积在半导体衬底上的第一绝缘层形成集电极开口，使得集电极开口的范围覆盖集电极层和器件隔离的一部分。 在位于集电体开口内部的半导体基板的一部分上形成作为外部基底的第二导电类型的半导体层，同时在半导体衬底中形成与外部基底相同的导电类型的防漏层。 因此，有源区域比集电极开口窄，减小晶体管面积，同时最小化结漏电。

公开(公告)号：US06420731B1

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09603855

申请日：2000-06-26

申请人： Koji Katayama ,  Hideki Matsubara ,  Akihiko Saegusa

发明人： Koji Katayama ,  Hideki Matsubara ,  Akihiko Saegusa

IPC分类号： H01L2715

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L33/42

摘要： An injected current restriction region for restricting an increase in defects by restricting an injected current for light emission is provided inside a ZnSe-based LED. When an end of a light transmitting Au electrode is separated from a cleavage plane, a region near the cleavage plane serves as the injected current restriction region.

摘要翻译： 在ZnSe基LED内部设置用于通过限制用于发光的注入电流来限制缺陷增加的注入电流限制区域。 当透光性Au电极的端部与解理面分离时，解理面附近的区域成为注入电流限制区域。

公开(公告)号：US5748294A

公开(公告)日：1998-05-05

申请号：US626326

申请日：1996-04-02

申请人： Koji Katayama

发明人： Koji Katayama

IPC分类号： B60R21/00 ,  B60T7/22 ,  G01S7/48 ,  G01S7/481 ,  G01S7/497 ,  G01S13/60 ,  G01S17/93 ,  B60T7/16 ,  E04G3/00 ,  G01B11/26 ,  G01C3/08

CPC分类号： G01S17/936 ,  B60T7/22 ,  G01S7/4814 ,  G01S7/4972

摘要： Disclosed herein is an optical-axis adjusting device for a vehicle light radar device where a light-transmitting window for irradiating a beam of light to an object of measurement and a light-receiving window for receiving reflected light from the object are disposed. The optical-axis adjusting device comprises an adjusting unit provided at the front of the light radar device for adjusting the irradiating direction of the beam of light.

摘要翻译： 这里公开了一种用于车辆用光雷达装置的光轴调整装置，其中设置用于将光束照射到测量对象的光透射窗口和用于接收来自物体的反射光的光接收窗口。 光轴调整装置包括设置在光雷达装置前部的调节单元，用于调节光束的照射方向。