公开(公告)号：US06743898B2

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：US09808847

申请日：2001-03-15

申请人： Yong Sung Choi ,  Li Li

发明人： Yong Sung Choi ,  Li Li

IPC分类号： C12P2108

CPC分类号： C07K16/28 ,  A61K2039/505 ,  C07K2317/73

摘要： The present invention provides monoclonal antibodies which interfere with the interactions between FDCs and B cells, thereby suppressing the proliferation and/or differentiation of B cells in lymphoid follicles. The monoclonal antibodies of the present invention are useful for treating follicular lymphomas, multiple myeloma as well as autoimmune diseases.

摘要翻译： 本发明提供干扰FDC和B细胞之间相互作用的单克隆抗体，从而抑制淋巴滤泡中B细胞的增殖和/或分化。 本发明的单克隆抗体可用于治疗滤泡性淋巴瘤，多发性骨髓瘤以及自身免疫性疾病。

公开(公告)号：US06743720B2

公开(公告)日：2004-06-01

申请号：US10405351

申请日：2003-04-01

申请人： Gary Chen ,  Li Li ,  Yongjun Jeff Hu

发明人： Gary Chen ,  Li Li ,  Yongjun Jeff Hu

IPC分类号： H01L21465

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32134

摘要： Metal nitride and metal oxynitride extrusions often form on metal suicides. These extrusions can cause short circuits and degrade processing yields. The present invention discloses a method of selectively removing such extrusions. In one embodiment, a novel wet etch comprising an oxidizing agent and a chelating agent selectively removes the extrusions from a wordline in a memory array. In another embodiment, the wet etch includes a base that adjusts the pH of the etch to selectively remove certain extrusions relative to other substances in the wordline. Accordingly, new metal silicide structures can be used to form novel wordlines and other types of integrated circuits.

摘要翻译： 金属氮化物和金属氮氧化物挤出物通常在金属硅化物上形成。 这些挤压可能导致短路并降低加工产量。 本发明公开了一种选择性地去除这种挤出物的方法。 在一个实施方案中，包含氧化剂和螯合剂的新型湿蚀刻选择性地从存储器阵列中的字线除去挤出物。 在另一个实施方案中，湿蚀刻包括调节蚀刻的pH以选择性地相对于字线中的其它物质去除某些挤出物的碱。 因此，可以使用新的金属硅化物结构来形成新颖的字线和其他类型的集成电路。

公开(公告)号：US06740923B2

公开(公告)日：2004-05-25

申请号：US10145250

申请日：2002-05-14

申请人： Zhiqiang Wu ,  Kunal Parekh ,  Li Li

发明人： Zhiqiang Wu ,  Kunal Parekh ,  Li Li

IPC分类号： H01L31119

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/82

摘要： The present invention is directed to fabrication of a capacitor formed with a substantially concave shape and having optional folded or convoluted surfaces. The concave shape optimizes surface area within a small volume and thereby enables the capacitor to hold a significant charge so as to assist in increased miniaturization efforts in the microelectronic field. The capacitor is fabricated in microelectronic fashion consistent with a dense DRAM array. Methods of fabrication include stack building with storage nodes that extend above a semiconductor substrate surface.

摘要翻译： 本发明涉及一种电容器的制造，该电容器形成为具有大致凹入形状且具有可选择的折叠或回旋表面。 凹形形状在小体积内优化表面积，从而使电容器能够保持大量电荷，从而有助于微电子领域中的增加的小型化努力。 电容器以与电致密DRAM阵列一致的微电子方式制造。 制造方法包括具有在半导体衬底表面上方延伸的存储节点的堆叠构造。

公开(公告)号：US06713348B2

公开(公告)日：2004-03-30

申请号：US10293124

申请日：2002-11-12

申请人： David Y. Kao ,  Li Li

发明人： David Y. Kao ,  Li Li

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/28132 ,  H01L21/32139 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/95

摘要： A method used during the formation of a semiconductor device comprises the steps of forming a polycrystalline silicon layer over a semiconductor substrate assembly and forming a silicon nitride layer over the polycrystalline silicon layer. A silicon dioxide layer is formed over the silicon nitride layer and the silicon dioxide and silicon nitride layers are patterned using a patterned mask having a width, thereby forming sidewalls in the two layers. The nitride and oxide layers are subjected to an oxygen plasma which treats the sidewalls and leaves a portion of the silicon nitride layer between the sidewalls untreated. The silicon dioxide and the untreated portion of the silicon nitride layer are removed thereby resulting in pillars of treated silicon nitride. Finally, the polycrystalline silicon is etched using the pillars as a mask. The patterned polycrystalline silicon layer thereby comprises features having widths narrower than the width of the original mask.

摘要翻译： 在形成半导体器件期间使用的方法包括以下步骤：在半导体衬底组件上形成多晶硅层，并在多晶硅层上形成氮化硅层。 在氮化硅层之上形成二氧化硅层，并且使用具有宽度的图案化掩模来对二氧化硅和氮化硅层进行图案化，从而在两层中形成侧壁。 氮化物层和氧化物层经受氧等离子体，其处理侧壁并且在未被处理的侧壁之间留下氮化硅层的一部分。 去除二氧化硅和氮化硅层的未处理部分，从而得到经处理的氮化硅的柱。 最后，使用柱作为掩模蚀刻多晶硅。 因此，图案化的多晶硅层包括具有比原始掩模的宽度窄的宽度的特征。

公开(公告)号：US06686275B2

公开(公告)日：2004-02-03

申请号：US10405201

申请日：2003-04-01

申请人： Gary Chen ,  Li Li

发明人： Gary Chen ,  Li Li

IPC分类号： H01L21461

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32134

摘要： Metal nitride and metal oxynitride extrusions often form on metal silicides. These extrusions can cause short circuits and degrade processing yields. The present invention discloses a method of selectively removing such extrusions. In one embodiment, a novel wet etch comprising an oxidizing agent and a chelating agent selectively removes the extrusions from a wordline in a memory array. In another embodiment, the wet etch includes a base that adjusts the pH of the etch to selectively remove certain extrusions relative to other substances in the wordline. Accordingly, new metal silicide structures can be used to form novel wordlines and other types of integrated circuits.

摘要翻译： 金属氮化物和金属氮氧化合物通常在金属硅化物上形成。 这些挤压可能导致短路并降低加工产量。 本发明公开了一种选择性地去除这种挤出物的方法。 在一个实施方案中，包含氧化剂和螯合剂的新型湿蚀刻选择性地从存储器阵列中的字线除去挤出物。 在另一个实施方案中，湿蚀刻包括调节蚀刻的pH以选择性地相对于字线中的其它物质去除某些挤出物的碱。 因此，可以使用新的金属硅化物结构来形成新颖的字线和其他类型的集成电路。

公开(公告)号：US06682984B1

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09535483

申请日：2000-03-24

申请人： Zhiqiang Wu ,  Kunal Parekh ,  Li Li

发明人： Zhiqiang Wu ,  Kunal Parekh ,  Li Li

IPC分类号： H01L2120

CPC分类号： H01L27/10852 ,  H01L28/82

摘要： The present invention is directed to fabrication of a capacitor formed with a substantially concave shape and having optional folded or convoluted surfaces. The concave shape optimizes surface area within a small volume and thereby enables the capacitor to hold a significant charge so as to assist in increased miniaturization efforts in the microelectronic field. The capacitor is fabricated in microelectronic fashion consistent with a dense DRAM array. Methods of fabrication include stack building with storage nodes that extend above a semiconductor substrate surface.

摘要翻译： 本发明涉及一种电容器的制造，该电容器形成为具有大致凹入形状且具有可选择的折叠或回旋表面。 凹形形状在小体积内优化表面积，从而使电容器能够保持大量电荷，从而有助于微电子领域中的增加的小型化努力。 电容器以与电致密DRAM阵列一致的微电子方式制造。 制造方法包括具有在半导体衬底表面上方延伸的存储节点的堆叠构造。

公开(公告)号：US06592777B2

公开(公告)日：2003-07-15

申请号：US09864606

申请日：2001-05-24

申请人： Gary Chen ,  Li Li ,  Yongjun Jeff Hu

发明人： Gary Chen ,  Li Li ,  Yongjun Jeff Hu

IPC分类号： C09K1300

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32134

摘要： Metal nitride and metal oxynitride extrusions often form on metal silicides. These extrusions can cause short circuits and degrade processing yields. The present invention discloses a method of selectively removing such extrusions. In one embodiment, a novel wet etch comprising an oxidizing agent and a chelating agent selectively removes the extrusions from a wordline in a memory array. In another embodiment, the wet etch includes a base that adjusts the pH of the etch to selectively remove certain extrusions relative to other substances in the wordline. Accordingly new metal silicide structures can be used to form novel wordlines and other types of integrated circuits.

摘要翻译： 金属氮化物和金属氮氧化合物通常在金属硅化物上形成。 这些挤压可能导致短路并降低加工产量。 本发明公开了一种选择性地去除这种挤出物的方法。 在一个实施方案中，包含氧化剂和螯合剂的新型湿蚀刻选择性地从存储器阵列中的字线除去挤出物。 在另一个实施方案中，湿蚀刻包括调节蚀刻的pH以选择性地相对于字线中的其它物质去除某些挤出物的碱。 因此，新的金属硅化物结构可用于形成新颖的字线和其他类型的集成电路。

公开(公告)号：US06497827B1

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：US09518292

申请日：2000-03-03

申请人： Li Li ,  Don L. Yates

发明人： Li Li ,  Don L. Yates

IPC分类号： C23F100

CPC分类号： C03C15/00 ,  C03C17/22 ,  C03C2218/32 ,  C03C2218/33 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76202

摘要： A method for removing a plurality of dielectric films from a supporting substrate by providing a substrate with a second dielectric layer overlying a first dielectric layer, contacting the substrate at a first temperature with a first acid solution exhibiting a positive etch selectivity at the first temperature, and then contacting the substrate at a second temperature with a second acid solution exhibiting a positive etch selectivity at the second temperature. The first and second dielectric layers exhibit different etch rates in the first and second acid solutions. The first and second acid solutions may contain phosphoric acid. The first dielectric layer may be silicon nitride and the second dielectric layer may be silicon oxide. Under these conditions, the first temperature may be about 175° C. and the second temperature may be about 155° C.

摘要翻译： 一种用于通过提供衬底上覆盖第一介电层的第二电介质层，在第一温度下与第一温度下的第一酸溶液在第一温度下呈现正蚀刻选择性的第一酸溶液接触从衬底去除多个电介质膜的方法， 然后在第二温度下使基底与在第二温度下呈现正蚀刻选择性的第二酸溶液接触。 第一和第二介电层在第一和第二酸溶液中表现出不同的蚀刻速率。 第一和第二酸溶液可以含有磷酸。 第一电介质层可以是氮化硅，第二电介质层可以是氧化硅。 在这些条件下，第一温度可以是约175℃，第二温度可以是约155℃。

公开(公告)号：US06455906B2

公开(公告)日：2002-09-24

申请号：US09738796

申请日：2000-12-15

申请人： Gary Chen ,  Li Li ,  Yongjun Jeff Hu

发明人： Gary Chen ,  Li Li ,  Yongjun Jeff Hu

IPC分类号： H01L2945

CPC分类号： H01L29/4941 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/32134

摘要： Metal nitride and metal oxynitride extrusions often form on metal silicides. These extrusions can cause short circuits and degrade processing yields. The present invention discloses a method of selectively removing such extrusions. In one embodiment, a novel wet etch comprising an oxidizing agent and a chelating agent selectively removes the extrusions from a wordline in a memory array. In another embodiment, the wet etch includes a base that adjusts the pH of the etch to selectively remove certain extrusions relative to other substances in the wordline. Accordingly new metal silicide structures can be used to form novel wordlines and other types of integrated circuits.

摘要翻译： 金属氮化物和金属氮氧化合物通常在金属硅化物上形成。 这些挤压可能导致短路并降低加工产量。 本发明公开了一种选择性地去除这种挤出物的方法。 在一个实施方案中，包含氧化剂和螯合剂的新型湿蚀刻选择性地从存储器阵列中的字线除去挤出物。 在另一个实施方案中，湿蚀刻包括调节蚀刻的pH以选择性地相对于字线中的其它物质去除某些挤出物的碱。 因此，新的金属硅化物结构可用于形成新颖的字线和其他类型的集成电路。

公开(公告)号：US06451116B2

公开(公告)日：2002-09-17

申请号：US09920892

申请日：2001-08-01

申请人： Tongbi Jiang ,  Li Li

发明人： Tongbi Jiang ,  Li Li

IPC分类号： B05C302

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/7685 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  Y10S134/902

摘要： A method and apparatus is disclosed for sequential processing of integrated circuits, particularly for conductively passivating a contact pad with a material which resists formation of resistive oxides. In particular, a tank is divided into three compartments, each holding a different solution: a lower compartment and two upper compartments divided by a barrier, which extends across and partway down the tank. The solutions have different densities and therefore separate into different layers. In the illustrated embodiment, integrated circuits with patterned contact pads are passed through one of the upper compartments, in which oxide is removed from the contact pads. Continuing downward into the lower compartment and laterally beneath the barrier, a protective layer is selectively formed on the insulating layer surrounding the contact pads. As the integrated circuits are moved upwardly into the second upper compartment, a conducting monomer selectively forms on the contact pads prior to any exposure to air. The integrated circuits can then be transferred to an ozone chamber where polymerization results in a conductive passivation layer on the contact pad.

摘要翻译： 公开了用于集成电路的顺序处理的方法和装置，特别是用抵抗形成电阻氧化物的材料导电地钝化接触焊盘。 特别地，罐被分成三个隔室，每个隔间都有一个不同的解决方案：一个下隔室和两个隔离隔间的隔离隔板，两个隔间延伸横跨槽和一半的槽。 溶液具有不同的密度，因此分离成不同的层。 在所示实施例中，具有图案化接触焊盘的集成电路通过上隔室之一，其中氧化物从接触焊盘移除。 继续向下进入下隔室并在屏障下方横向放置，在围绕接触垫的绝缘层上选择性地形成保护层。 当集成电路向上移动到第二上隔室中时，在任何暴露于空气之前，在接触焊盘上选择性地形成导电单体。 然后可以将集成电路转移到臭氧室，其中聚合导致接触焊盘上的导电钝化层。