公开(公告)号：US07440194B1

公开(公告)日：2008-10-21

申请号：US11959247

申请日：2007-12-18

申请人： Chun-Ling Lin ,  Chun-Hsiang Huang ,  Chung Lee

发明人： Chun-Ling Lin ,  Chun-Hsiang Huang ,  Chung Lee

IPC分类号： G02B15/14

CPC分类号： G02B15/177

摘要： An exemplary zoom lens for use in projection technology includes, in this order from the magnification side to the minification side thereof, a first lens group having negative refraction of power, a second lens group having positive refraction of power, a third lens group having positive refraction of power, a fourth lens group having negative refraction of power, and a fifth lens group having positive refraction of power, wherein the zoom lens satisfies the formulas: −1.5

摘要翻译： 用于投影技术的示例性变焦镜头包括从放大倍率到细化侧的顺序，具有负折射功率的第一透镜组，具有正折射率的第二透镜组，具有正的折射率的第三透镜组 功率折射，具有负折射率的第四透镜组和具有正的折射率的第五透镜组，其中变焦透镜满足以下公式：-1.5

公开(公告)号：US20130337645A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：US13525568

申请日：2012-06-18

申请人： Hsin-Yu Chen ,  Yu-Han Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Ching-Li Yang ,  Home-Been Cheng

发明人： Hsin-Yu Chen ,  Yu-Han Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Ching-Li Yang ,  Home-Been Cheng

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898

摘要： A method of processing a substrate is provided. The method includes: providing a substrate, wherein the substrate includes a silicon layer; etching the substrate to form a cavity; filling a first conductor in part of the cavity; performing a first thermal treatment on the first conductor; filling a second conductor in the cavity to fill-up the cavity; and performing a second thermal treatment on the first conductor and the second conductor.

摘要翻译： 提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括：提供衬底，其中衬底包括硅层; 蚀刻基板以形成空腔; 在腔的一部分中填充第一导体; 对所述第一导体执行第一热处理; 在腔中填充第二导体以填充空腔; 以及对所述第一导体和所述第二导体执行第二热处理。

公开(公告)号：US20130045594A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13212187

申请日：2011-08-18

申请人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

发明人： Yu-Ren Wang ,  Te-Lin Sun ,  Szu-Hao Lai ,  Po-Chun Chen ,  Chih-Hsun Lin ,  Che-Nan Tsai ,  Chun-Ling Lin ,  Chiu-Hsien Yeh

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7848

摘要： A manufacturing method for a semiconductor device having a metal gate includes providing a substrate having at least a first semiconductor device formed thereon, forming a first gate trench in the first semiconductor device, forming a first work function metal layer in the first gate trench, and performing a decoupled plasma oxidation to the first work function metal layer.

摘要翻译： 具有金属栅极的半导体器件的制造方法包括提供至少形成有第一半导体器件的衬底，在第一半导体器件中形成第一栅极沟槽，在第一栅极沟槽中形成第一功函数金属层，以及 对第一功函数金属层进行解耦等离子体氧化。

公开(公告)号：US20120305403A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13154420

申请日：2011-06-06

申请人： Chun-Ling Lin ,  Yen-Liang Lu ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

发明人： Chun-Ling Lin ,  Yen-Liang Lu ,  Chi-Mao Hsu ,  Chin-Fu Lin ,  Chun-Hung Chen ,  Tsun-Min Cheng ,  Meng-Hong Tsai

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D5/00

CPC分类号： C25D5/54 ,  C25D3/38 ,  C25D5/00 ,  C25D5/10 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76879

摘要： An electrical chemical plating process is provided. A semiconductor structure is provided in an electrical plating platform. A pre-electrical-plating step is performed wherein the pre-electrical-plating step is carried out under a fixed voltage environment and lasts for 0.2 to 0.5 seconds after the current is above the threshold current of the electrical plating platform. After the pre-electrical-plating step, a first electrical plating step is performed on the semiconductor structure.

摘要翻译： 提供电化学镀工艺。 半导体结构设置在电镀平台中。 进行预电镀步骤，其中预电镀步骤在固定电压环境下进行，并且在电流高于电镀平台的阈值电流之后持续0.2至0.5秒。 在预电镀步骤之后，对半导体结构进行第一电镀步骤。

公开(公告)号：US20120270389A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13090312

申请日：2011-04-20

申请人： Chun-Ling LIN ,  Chin-Fu Lin ,  Chi-Mao Hsu

发明人： Chun-Ling LIN ,  Chin-Fu Lin ,  Chi-Mao Hsu

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/2855 ,  C23C14/0641 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/7681

摘要： A method for manufacturing a metal nitride layer including the following steps is provided. Firstly, a substrate is provided. Then, a physical vapor deposition process is performed at a temperature between 210° C. and 390° C. to form a metal nitride layer on the substrate. Also, the physical vapor deposition process can be performed on a pressure between 21 mTorr and 91 mTorr. The method can be used in the manufacturing process of an interconnection structure for decreasing the film stress of the metal nitride layer. Therefore, the interconnection structure can be prevented from line distortion and film collapse.

摘要翻译： 提供了包括以下步骤的金属氮化物层的制造方法。 首先，提供基板。 然后，在210℃和390℃之间的温度下进行物理气相沉积工艺，以在衬底上形成金属氮化物层。 此外，物理气相沉积工艺可以在21mTorr和91mTorr之间的压力下进行。 该方法可用于互连结构的制造过程中，以降低金属氮化物层的膜应力。 因此，可以防止互连结构线路变形和薄膜塌陷。

公开(公告)号：US07564634B2

公开(公告)日：2009-07-21

申请号：US11946325

申请日：2007-11-28

申请人： Chun-Ling Lin ,  Chun-Hsiang Huang ,  Chung Lee

发明人： Chun-Ling Lin ,  Chun-Hsiang Huang ,  Chung Lee

IPC分类号： G02B9/62 ,  G02B13/04

CPC分类号： G02B9/62 ,  G02B13/005 ,  G02B13/22

摘要： A lens system comprises a first lens negative in power, a second lens positive in power, a third lens negative in power, a fourth lens positive in power, a fifth lens negative in power, and a sixth lens positive in power. The lens system meets a criteria of TT/f≦1.68 and 0.3

摘要翻译： 透镜系统包括：功率为负的第一透镜，功率正的第二透镜，功率为负的第三透镜，功率为正的第四透镜，功率为负的第五透镜，以及功率为正的第六透镜。 透镜系统满足TT / f <= 1.68和0.3

公开(公告)号：US20090073571A1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：US11959218

申请日：2007-12-18

申请人： CHUN-LING LIN ,  CHUN-HSIANG HUANG

发明人： CHUN-LING LIN ,  CHUN-HSIANG HUANG

IPC分类号： G02B9/34

CPC分类号： G02B9/34 ,  G02B13/005 ,  G02B13/0055

摘要： A projecting lens system includes a first lens positive in power, a second lens negative in power, a third lens positive in power, and a fourth lens positive in power. The projecting lens system meets a criteria of 1.4

摘要翻译： 投影透镜系统包括功率正的第一透镜，功率为负的第二透镜，功率正的第三透镜和功率正的第四透镜。 投影镜头系统符合1.4