公开(公告)号：US20130298089A1

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：US13465909

申请日：2012-05-07

申请人： Lei Yuan ,  Hidekazu Yoshida ,  Youngtag Woo ,  Jongwook Kye

发明人： Lei Yuan ,  Hidekazu Yoshida ,  Youngtag Woo ,  Jongwook Kye

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5077 ,  G06F2217/12 ,  Y02P90/265

摘要： A method for increasing the robustness of a double patterning router used in the manufacture of integrated circuit devices that includes providing a set of original color rules defining an original color rule space, providing a set of integrated circuit designs defining a design space, providing a router processing engine, perturbing the original color rules to define a perturbed color rule space, applying the perturbed color rule space and the design space to the router processing engine to expose double pattern routing odd cycle decomposition errors, and feeding back the exposed decomposition errors to enhance router processing engine development by reconfiguring the router processing engine in accordance with the exposed decomposition errors.

摘要翻译： 一种用于增加用于制造集成电路器件的双重图案化路由器的鲁棒性的方法，其包括提供定义原始颜色规则空间的一组原始颜色规则，提供定义设计空间的一组集成电路设计，提供路由器 处理引擎，扰乱原始颜色规则以定义扰动的颜色规则空间，将扰动的颜色规则空间和设计空间应用于路由器处理引擎以暴露双模式路由奇数周期分解错误，并反馈暴露的分解错误以增强 通过根据暴露的分解错误重新配置路由器处理引擎来开发路由器处理引擎。

公开(公告)号：US20130146982A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13324699

申请日：2011-12-13

申请人： Mahbub Rashed ,  Steven Soss ,  Jongwook Kye ,  Irene Y. Lin ,  James Benjamin Gullette ,  Chinh Nguyen ,  Jeff Kim ,  Marc Tarabbia ,  Yuansheng Ma ,  Yunfei Deng ,  Rod Augur ,  Seung-Hyun Rhee ,  Scott Johnson ,  Subramani Kengeri ,  Suresh Venkatesan

发明人： Mahbub Rashed ,  Steven Soss ,  Jongwook Kye ,  Irene Y. Lin ,  James Benjamin Gullette ,  Chinh Nguyen ,  Jeff Kim ,  Marc Tarabbia ,  Yuansheng Ma ,  Yunfei Deng ,  Rod Augur ,  Seung-Hyun Rhee ,  Scott Johnson ,  Subramani Kengeri ,  Suresh Venkatesan

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11807 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device is provided for implementing at least one logic element. The semiconductor device includes a semiconductor substrate with a first transistor and a second transistor formed on the semiconductor substrate. Each of the transistors includes a source, a drain, and a gate. A CA layer is electrically connected to at least one of the source or the drain of the first transistor. A CB layer is electrically connected to at least one of the gates of the transistors and the CA layer.

摘要翻译： 提供半导体器件用于实现至少一个逻辑元件。 半导体器件包括具有第一晶体管的半导体衬底和形成在半导体衬底上的第二晶体管。 每个晶体管包括源极，漏极和栅极。 CA层电连接到第一晶体管的源极或漏极中的至少一个。 CB层电连接到晶体管和CA层的至少一个栅极。

公开(公告)号：US06977717B1

公开(公告)日：2005-12-20

申请号：US10727385

申请日：2003-12-04

申请人： Ivan Lalovic ,  Bruno M. LaFontaine ,  Jongwook Kye

发明人： Ivan Lalovic ,  Bruno M. LaFontaine ,  Jongwook Kye

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/54 ,  G03F7/20

CPC分类号： G03F7/70083 ,  G03F7/70941

摘要： A method and device for determining projection lens pupil transmission distribution in a photolithographic imaging system, the device including an illumination source; a transmissive reticle; an aperture layer having an illumination source side and a light emission side and comprising a plurality of openings therethrough; a diffuser mounted on the illumination source side of the aperture layer; a projection lens system; and an image plane, in which a pupil image corresponding to each of the plurality of openings in the aperture layer is formed at the image plane when radiation from the illumination source passes through the reticle, the diffuser, the aperture layer and the projection lens system, the pupil image having a projection lens pupil transmission distribution.

摘要翻译： 一种用于确定光刻成像系统中的投影透镜光瞳透射分布的方法和装置，所述装置包括照明源; 透射式掩模版 具有照明源侧和发光侧的孔径层，并且包括穿过其的多个开口; 安装在孔层的照明源侧的扩散器; 投影透镜系统; 以及图像平面，其中当来自照明源的辐射通过掩模版，漫射器，孔径层和投影透镜系统时，在像面上形成与孔径层中的多个开口中的每一个对应的光瞳图像 ，瞳孔图像具有投影透镜瞳孔传播分布。

公开(公告)号：US06831451B1

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10462196

申请日：2003-06-16

申请人： Hyeon-Seag Kim ,  Jongwook Kye

发明人： Hyeon-Seag Kim ,  Jongwook Kye

IPC分类号： G01N2700

CPC分类号： G01R31/287 ,  G01R31/2894 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/5002

摘要： According to one exemplary embodiment, a method for determining a Weibull slope at a specified temperature utilizing a test structure comprises a step of performing a number of groups of failure tests on the test structure to determine a number of groups of test data, where each of the groups of failure tests is performed at a respective one of a number of test temperatures, and where each group of failure tests corresponds to a respective group of test data. The method further comprises utilizing the number of groups of test data to determine a scaling line. The method further comprises determining a scaling factor at the specified temperature utilizing the scaling line. The method further comprises utilizing the scaling factor to determine the Weibull slope. The method may further comprise utilizing the Weibull slope to determine a lifetime of the semiconductor die.

摘要翻译： 根据一个示例性实施例，利用测试结构在指定温度下确定威布尔斜率的方法包括在测试结构上执行多组故障测试以确定测试数据组的数量的步骤，其中每个测试数据 故障测试组以多个测试温度中的相应一个执行，并且每组故障测试对应于相应的测试数据组。 该方法还包括利用测试数据组的数量来确定缩放线。 该方法还包括利用缩放线确定在指定温度下的比例因子。 该方法还包括利用缩放因子来确定威布尔斜率。 该方法还可以包括利用威布尔斜率来确定半导体管芯的寿命。

公开(公告)号：US06535280B1

公开(公告)日：2003-03-18

申请号：US09944794

申请日：2001-08-31

申请人： Bruno La Fontaine ,  Jongwook Kye ,  Harry Levinson

发明人： Bruno La Fontaine ,  Jongwook Kye ,  Harry Levinson

IPC分类号： G01J100

CPC分类号： G03F9/7026 ,  G03F9/7049

摘要： An optical monitor includes a body having a first plurality of parallel, substantially opaque, spaced apart lines thereon, and the second plurality of parallel, substantially opaque, spaced apart lines thereon, with a relatively small angle between the first and second pluralities of lines. A an image of the lines of the first plurality thereof is provided on the semiconductor body, upon relative movement of the monitor toward and away from the semiconductor body, the line images move relative to the semiconductor body. The images of the lines of the second plurality thereof provided on the semiconductor body move in a different manner upon relative movement if the monitor toward and away from the semiconductor body: The moiré fringe formed on the semiconductor body from images of the first and second plurality of lines during such movement is analyzed in order to achieve proper focus of the image on the semiconductor body.

摘要翻译： 光学监视器包括主体，其上具有第一多个平行的，基本上不透明的间隔开的线，以及其上的第二多个平行，基本上不透明的间隔开的线，在第一和第二多条线之间具有相对小的角度。 当半导体本体上的第一多个的线的图像被设置在半导体本体上时，当监视器朝向和远离半导体主体相对运动时，线图像相对于半导体本体移动。 如果监视器朝向和离开半导体主体，则设置在半导体主体上的第二多个的线的图像在相对移动时以不同的方式移动。从第一和第二多个图像的图像形成在半导体主体上的莫尔条纹 分析这种移动期间的线，以便在半导体本体上实现图像的适当聚焦。

公开(公告)号：US08802574B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13418895

申请日：2012-03-13

申请人： Lei Yuan ,  Jongwook Kye

发明人： Lei Yuan ,  Jongwook Kye

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F1/70

摘要： One illustrative method disclosed herein involves creating an overall target pattern that includes an odd-jogged feature with a crossover region that connects first and second line portions, wherein the crossover region has a first dimension in a first direction that is greater than a second dimension that is transverse to the first direction, decomposing the overall target pattern into a first sub-target pattern and a second sub-target pattern, wherein each of the sub-target patterns comprise a line portion and a first portion of the crossover region, and generating first and second sets of mask data corresponding to the first and second sub-target patterns, respectively.

摘要翻译： 本文公开的一种说明性方法包括创建包括具有连接第一和第二线部分的交叉区域的奇点运动特征的整体目标图案，其中，交叉区域具有大于第二尺寸的第一方向上的第一尺寸， 横向于第一方向，将总体目标图案分解为第一子目标图案和第二子目标图案，其中每个子目标图案包括线路部分和交叉区域的第一部分，并且产生 分别对应于第一和第二子目标图案的第一和第二组掩模数据。

公开(公告)号：US08361335B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US12480232

申请日：2009-06-08

申请人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye

发明人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye

IPC分类号： B44C1/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： G03F1/00 ,  G03B27/42 ,  G03F7/2024 ,  H01L21/0273

摘要： Methods are provided for fabricating a semiconductor device. One method comprises providing a first pattern having a first polygon, the first polygon having a first tonality and having a first side and a second side, the first side adjacent to a second polygon having a second tonality, and the second side adjacent to a third polygon having the second tonality, and forming a second pattern by reversing the tonality of the first pattern. The method further comprises forming a third pattern from the second pattern by converting the second polygon from the first tonality to the second tonality forming a fourth pattern from the second pattern by converting the third polygon from the first tonality to the second tonality forming a fifth pattern by reversing the tonality of the third pattern, and forming a sixth pattern by reversing the tonality of the fourth pattern.

摘要翻译： 提供了制造半导体器件的方法。 一种方法包括提供具有第一多边形的第一图案，所述第一多边形具有第一音调并且具有第一侧和第二侧，所述第一侧邻近于具有第二音调的第二多边形，并且所述第二侧相邻于第三多边形 具有第二色调的多边形，并且通过反转第一图案的色调来形成第二图案。 该方法还包括通过从第二图案将第二多边形从第一图案转换成第二色调而将第二多边形从第一色调转换成第二色调以从第二图案转换成第二色调，从第二图案形成第三图案， 通过颠倒第三图案的音调，并通过反转第四图案的音调形成第六图案。

公开(公告)号：US08153351B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12255514

申请日：2008-10-21

申请人： Thomas I. Wallow ,  Jongwook Kye

发明人： Thomas I. Wallow ,  Jongwook Kye

IPC分类号： G03F7/09 ,  G03F7/11

CPC分类号： G03F7/091

摘要： Photolithography methods using BARCs having graded optical properties are provided. In an exemplary embodiment, a photolithography method comprises the steps of depositing a BARC overlying a material to be patterned, the BARC having a refractive index and an absorbance. The BARC is modified such that, after the step of modifying, values of the refractive index and the absorbance are graded from first values at a first surface of the BARC to second values at a second surface of the BARC. The step of modifying is performed after the step of depositing.

摘要翻译： 提供了使用具有渐变光学特性的BARC的光刻方法。 在示例性实施例中，光刻方法包括沉积覆盖待图案化材料的BARC，BARC具有折射率和吸光度的步骤。 修改BARC使得在修改步骤之后，折射率和吸光度的值从BARC的第一表面处的第一值到BARC的第二表面处的第二值分级。 在存放步骤之后执行修改步骤。

公开(公告)号：US20090040483A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US11834979

申请日：2007-08-07

申请人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye ,  Ryoung-han Kim

发明人： Yunfei Deng ,  Jongwook Kye ,  Ryoung-han Kim

IPC分类号： G03B27/42 ,  G03B27/68

CPC分类号： G03B27/42

摘要： Accurate ultrafine patterns are formed using a multiple exposure technique comprising implementing an OPC procedure to form an exposure reticle to compensate for distortion of an overlying resist pattern caused by an underlying resist pattern. Embodiments include forming a first resist pattern in a first resist layer over a target layer using a first exposure reticle, forming a second exposure reticle by an OPC technique to compensate for distortion of a second resist pattern caused by the underlying first resist pattern, depositing a second resist layer on the first resist pattern, forming the second resist pattern in the second resist layer using the second exposure reticle, the first and second resist patterns constituting a final resist mask, and forming a pattern in the target layer using the final resist mask.

摘要翻译： 使用多重曝光技术形成精确的超细纹图案，该技术包括实施OPC程序以形成曝光掩模版，以补偿由下面的抗蚀剂图案引起的上覆抗蚀剂图案的变形。 实施例包括使用第一曝光掩模在目标层上在第一抗蚀剂层中形成第一抗蚀剂图案，通过OPC技术形成第二曝光掩模版，以补偿由下面的第一抗蚀剂图案引起的第二抗蚀剂图案的变形， 在第一抗蚀剂图案上的第二抗蚀剂层，使用第二曝光掩模在第二抗蚀剂层中形成第二抗蚀剂图案，第一和第二抗蚀剂图案构成最终抗蚀剂掩模，并且使用最终抗蚀剂掩模在目标层中形成图案 。

公开(公告)号：US20080171446A1

公开(公告)日：2008-07-17

申请号：US11623031

申请日：2007-01-12

申请人： Ryoung-han Kim ,  Thomas Ingolf Wallow ,  Harry Jay Levinson ,  Jongwook Kye ,  Alden R. Acheta

发明人： Ryoung-han Kim ,  Thomas Ingolf Wallow ,  Harry Jay Levinson ,  Jongwook Kye ,  Alden R. Acheta

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0338

摘要： A method for forming a semiconductor device is provided including processing a wafer having a target material; forming a first pattern over the target material; forming a protection layer over the first pattern; and forming a second pattern, over the target material and not over the protection layer, without an etching step between the forming the first pattern and the forming the second pattern.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件的方法，包括处理具有目标材料的晶片; 在目标材料上形成第一图案; 在所述第一图案上形成保护层; 并且在形成第一图案和形成第二图案之间没有蚀刻步骤的情况下，在目标材料上形成第二图案而不是在保护层上方。