公开(公告)号：US08039179B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12980764

申请日：2010-12-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F9/00

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality, of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为假线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。

公开(公告)号：US20110151359A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12980764

申请日：2010-12-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  G06F17/50

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality, of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为假线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。

公开(公告)号：US20120021589A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13248932

申请日：2011-09-29

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a photolithography apparatus including a photomask. The photomask includes a pattern having a plurality of features, in an example, dummy line features. The pattern includes a first region being in the form of a localized on-grid array and a second region where at least one of the features has an increased width. The apparatus may include a second photomask which may define an active region. The feature with an increased width may be adjacent, and outside, the defined active region.

摘要翻译： 提供了一种包括光掩模的光刻设备。 光掩模包括具有多个特征的图案，在示例中为虚线特征。 该图案包括呈局部网格阵列形式的第一区域和其中至少一个特征具有增加的宽度的第二区域。 该装置可以包括可以限定有源区域的第二光掩模。 具有增加的宽度的特征可以与所定义的有效区域相邻并且在外部。

公开(公告)号：US20100183961A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12356405

申请日：2009-01-20

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03F7/20 ,  G06F17/50 ,  G03F1/00 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a method including layout design of an integrated circuit. A first pattern is provided. The first pattern includes an array of dummy line features and a plurality of spacer elements abutting the dummy line features. A second pattern is provided. The second pattern defines an active region of an integrated circuit device. An edge spacer element of the active region is determined. A dummy line feature of the array of dummy line features is biased (e.g., increased in width), the dummy line feature is adjacent an edge spacer element.

摘要翻译： 提供了一种包括集成电路的布局设计的方法。 提供了第一种模式。 第一图案包括虚线特征的阵列和与虚线特征相邻的多个间隔元件。 提供了第二种模式。 第二图案定义了集成电路器件的有源区。 确定有源区的边缘间隔元件。 假线特征阵列的虚线特征被偏置（例如，宽度增加），虚线特征与边缘间隔元件相邻。

公开(公告)号：US07862962B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12356405

申请日：2009-01-20

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen ,  Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Jeff J. Xu ,  Clement Hsingjen Wann

IPC分类号： G03F9/00 ,  G03C5/00

CPC分类号： H01L27/0203 ,  G03F1/00 ,  G03F1/36 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66795

摘要： Provided is a method including layout design of an integrated circuit. A first pattern is provided. The first pattern includes an array of dummy line features and a plurality of spacer elements abutting the dummy line features. A second pattern is provided. The second pattern defines an active region of an integrated circuit device. An edge spacer element of the active region is determined. A dummy line feature of the array of dummy line features is biased (e.g., increased in width), the dummy line feature is adjacent an edge spacer element.

摘要翻译： 提供了一种包括集成电路的布局设计的方法。 提供了第一种模式。 第一图案包括虚线特征的阵列和与虚线特征相邻的多个间隔元件。 提供了第二种模式。 第二图案定义了集成电路器件的有源区。 确定有源区的边缘间隔元件。 假线特征阵列的虚线特征被偏置（例如，宽度增加），虚线特征与边缘间隔元件相邻。

公开(公告)号：US08486769B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US12949881

申请日：2010-11-19

申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L21/823431

摘要： A method for forming a plurality of fins on a semiconductor substrate includes depositing a spacer layer to fill in gaps between the plurality of fins, the fins comprising a first material and the spacer layer comprising a second material. A first area is defined where the fins need to be broadened and a second area is defined where the fins do not need to be broadened. The method also includes patterning the spacer layer to remove spacers in the first area where the fins need to be broadened and applying an epitaxy process at a predetermined rate to grow a layer of the first material on fins in the first area. The spacer layer is removed in the second area where the fins do not need broadening.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成多个散热片的方法包括沉积间隔层以填充多个散热片之间的间隙，散热片包括第一材料，间隔层包括第二材料。 限定翅片需要扩大的第一区域，并且限定翅片不需要扩大的第二区域。 该方法还包括图案化间隔层以去除第一区域中的间隔物，其中翅片需要变宽，并以预定的速率施加外延过程，以在第一区域的翅片上生长第一材料的层。 在翅片不需要加宽的第二区域中移除间隔层。

公开(公告)号：US20120126375A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US12949881

申请日：2010-11-19

申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L21/823431

摘要： A method for forming a plurality of fins on a semiconductor substrate includes depositing a spacer layer to fill in gaps between the plurality of fins, the fins comprising a first material and the spacer layer comprising a second material. A first area is defined where the fins need to be broadened and a second area is defined where the fins do not need to be broadened. The method also includes patterning the spacer layer to remove spacers in the first area where the fins need to be broadened and applying an epitaxy process at a predetermined rate to grow a layer of the first material on fins in the first area. The spacer layer is removed in the second area where the fins do not need broadening.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成多个散热片的方法包括沉积间隔层以填充多个散热片之间的间隙，散热片包括第一材料，间隔层包括第二材料。 限定翅片需要扩大的第一区域，并且限定翅片不需要扩大的第二区域。 该方法还包括图案化间隔层以去除第一区域中的间隔物，其中翅片需要变宽，并以预定的速率施加外延过程，以在第一区域的翅片上生长第一材料的层。 在翅片不需要加宽的第二区域中移除间隔层。

公开(公告)号：US09324866B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：US13356235

申请日：2012-01-23

申请人： Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Chih-Hao Chang ,  Hsin-Chih Chen ,  Kai-Tai Chang ,  Ming-Feng Shieh ,  Kuei-Liang Lu ,  Yi-Tang Lin

发明人： Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Chih-Hao Chang ,  Hsin-Chih Chen ,  Kai-Tai Chang ,  Ming-Feng Shieh ,  Kuei-Liang Lu ,  Yi-Tang Lin

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： The present disclosure provides a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate; an isolation feature formed in the semiconductor substrate; a first active region and a second active region formed in the semiconductor substrate, wherein the first and second active regions extend in a first direction and are separated from each other by the isolation feature; and a dummy gate disposed on the isolation feature, wherein the dummy gate extends in the first direction to the first active region from one side and to the second active region from another side.

摘要翻译： 本公开提供了一种半导体结构。 半导体结构包括半导体衬底; 形成在半导体衬底中的隔离特征; 形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一和第二有源区在第一方向上延伸并且通过隔离特征彼此分离; 以及设置在所述隔离特征上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向上从另一侧的一侧延伸到所述第一有源区域并且从另一侧向所述第二有源区域延伸。

公开(公告)号：US20130187237A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13356235

申请日：2012-01-23

申请人： Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Chih-Hao Chang ,  Hsin-Chih Chen ,  Kai-Tai Chang ,  Ming-Feng Shieh ,  Kuei-Liang Lu ,  Yi-Tang Lin

发明人： Shao-Ming Yu ,  Chang-Yun Chang ,  Chih-Hao Chang ,  Hsin-Chih Chen ,  Kai-Tai Chang ,  Ming-Feng Shieh ,  Kuei-Liang Lu ,  Yi-Tang Lin

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： The present disclosure provides a semiconductor structure. The semiconductor structure includes a semiconductor substrate; an isolation feature formed in the semiconductor substrate; a first active region and a second active region formed in the semiconductor substrate, wherein the first and second active regions extend in a first direction and are separated from each other by the isolation feature; and a dummy gate disposed on the isolation feature, wherein the dummy gate extends in the first direction to the first active region from one side and to the second active region from another side.

摘要翻译： 本公开提供了一种半导体结构。 半导体结构包括半导体衬底; 形成在半导体衬底中的隔离特征; 形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一和第二有源区在第一方向上延伸并且通过隔离特征彼此分离; 以及设置在所述隔离特征上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向上从另一侧的一侧延伸到所述第一有源区域并且从另一侧向所述第二有源区域延伸。

公开(公告)号：US20130164924A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：US13335479

申请日：2011-12-22

申请人： Ming-Feng Shieh ,  Chih-Hao Yu ,  Chang-Yun Chang

发明人： Ming-Feng Shieh ,  Chih-Hao Yu ,  Chang-Yun Chang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845

摘要： A structure and method of forming a semiconductor device with a fin is provided. In an embodiment a hard mask is utilized to pattern a gate electrode layer and is then removed. After the hard mask has been removed, the gate electrode layer may be separated into individual gate electrodes.