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    PHOTOMASK AND METHOD FOR FORMING THE SAME
    2.
    发明申请
    PHOTOMASK AND METHOD FOR FORMING THE SAME 有权
    光刻胶及其形成方法

    公开(公告)号：US20130337370A1

    公开(公告)日：2013-12-19

    申请号：US13495291

    申请日：2012-06-13

    申请人： Hsin-Chang Lee ,  Pei-Cheng Hsu ,  Chia-Jen Chen ,  Anthony Yen

    发明人： Hsin-Chang Lee ,  Pei-Cheng Hsu ,  Chia-Jen Chen ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G03F1/44 ,  G03F1/76 ,  G03F7/20 ,  G03F1/68

    CPC分类号： G03F1/76 ,  G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/44 ,  G03F1/50 ,  G03F1/68 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5068

    摘要： A photomask having a machine-readable identifying mark and suitable for manufacturing integrated circuit devices and a method for forming the photomask and identifying mark are disclosed. An exemplary embodiment includes receiving a design layout corresponding to a pattern to be formed on a photomask blank. A specification of an identifying code is also received along with the photomask blank, which includes a substrate, a reflective layer, and an absorptive layer. A first patterning is performed using the design layout. A second patterning is performed using the specification of the identifying code.

    摘要翻译： 公开了一种具有机读识别标记并适于制造集成电路器件的光掩模和用于形成光掩模和识别标记的方法。 示例性实施例包括接收与在光掩模坯件上形成的图案相对应的设计布局。 识别码的规格也与包括基底，反射层和吸收层的光掩模坯料一起被接收。 使用设计布局进行第一图案化。 使用识别码的说明来执行第二图案化。

    Reduce mask overlay error by removing film deposited on blank of mask
    3.
    发明授权
    Reduce mask overlay error by removing film deposited on blank of mask 有权
    通过去除沉积在面罩空白上的薄膜来减少掩模覆盖误差

    公开(公告)号：US08589828B2

    公开(公告)日：2013-11-19

    申请号：US13398923

    申请日：2012-02-17

    申请人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Lee-Chih Yeh ,  Anthony Yen

    发明人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Lee-Chih Yeh ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00 ,  G03F1/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/20 ,  G03F1/42

    CPC分类号： G03F1/00 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/36 ,  G03F1/42 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5081 ,  G06F19/00 ,  G21K5/00

    摘要： A method for reducing layer overlay errors by synchronizing the density of mask material in the frame area across the masks in a set is disclosed. An exemplary method includes creating a mask design database corresponding to a mask and containing a die area with one or more dies and a frame area outside the die area. Fiducial features within the frame area are identified, and from the fiducial features, an idle frame area is identified. A reference mask design, which corresponds to a reference mask configured to be aligned with the mask, is used to determine a reference density for the idle frame area. The idle frame area of the mask design database is modified to correspond to the reference density. The modified mask design database is then available for further use including manufacturing the mask.

    摘要翻译： 公开了一种通过使一组中的掩模之间的框区域中的掩模材料的密度同步来减少层重叠误差的方法。 一种示例性方法包括创建对应于掩模并且包含具有一个或多个管芯的管芯区域和管芯区域外部的框架区域的掩模设计数据库。 识别帧区域内的基准特征，并从基准特征中识别空闲帧区域。 使用对应于被配置为与掩模对准的参考掩模的参考掩模设计来确定空闲帧区域的参考密度。 修改掩模设计数据库的空闲帧区域以对应于参考密度。 然后，修改的掩模设计数据库可用于进一步使用，包括制造掩模。

    Photoresist reflow for enhanced process window for random, isolated, semi-dense, and other non-dense contacts
    5.
    发明授权
    Photoresist reflow for enhanced process window for random, isolated, semi-dense, and other non-dense contacts 有权
    用于增强工艺窗口的光刻胶回流，用于随机，隔离，半密度和其他非致密接触

    公开(公告)号：US06784005B2

    公开(公告)日：2004-08-31

    申请号：US10078064

    申请日：2002-02-16

    申请人： Huan-Tai Lin ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen

    发明人： Huan-Tai Lin ,  Shinn-Sheng Yu ,  Anthony Yen

    IPC分类号： H01L2166

    CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  Y10S438/947 ,  Y10S438/975

    摘要： Photoresist reflow for an enhanced process window for non-dense contacts is disclosed. A corrective bias is determined for application to each of a number of contacts at different pitches, to achieve a substantially identical critical dimension for each contact. The corrective bias is determined based on a first and a second critical dimension for each contact, where the first critical dimension is before photoresist reflow, and potentially inclusive of optical proximity effects, and the second critical dimension is after photoresist reflow. A photomask is then constructed for a semiconductor design that incorporates the corrective bias that has been determined for the contacts of the design. Lithographical processing of the semiconductor design on a semiconductor wafer using thus photomask, and subsequent photoresist reflow, thus achieves a substantially identical critical dimension for each of the contacts of the semiconductor design.

    摘要翻译： 公开了用于非致密接触的增强工艺窗口的光刻胶回流。 确定以不同间距施加到多个触点中的每一个的校正偏压，以实现每个触点的基本上相同的临界尺寸。 基于每个接触件的第一和第二临界尺寸确定校正偏压，其中第一临界尺寸在光致抗蚀剂回流之前，并且潜在地包括光学邻近效应，并且第二临界尺寸在光致抗蚀剂回流之后。 然后构造一个光掩模用于半导体设计，其包含已经为设计的触点确定的校正偏差。 使用这样的光掩模和随后的光致抗蚀剂回流在半导体晶片上的半导体设计的光刻处理从而为半导体设计的每个触点实现了基本相同的临界尺寸。

    Reducing photoresist shrinkage via plasma treatment
    6.
    发明授权
    Reducing photoresist shrinkage via plasma treatment 失效
    通过等离子体处理减少光致抗蚀剂的收缩

    公开(公告)号：US06774044B2

    公开(公告)日：2004-08-10

    申请号：US10047266

    申请日：2002-01-14

    申请人： Chih-Ming Ke ,  Tsai-Sheng Giau ,  Jaw-Jung Shin ,  Anthony Yen

    发明人： Chih-Ming Ke ,  Tsai-Sheng Giau ,  Jaw-Jung Shin ,  Anthony Yen

    IPC分类号： H01L21302

    CPC分类号： H01L21/31058 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274

    摘要： Reducing photoresist shrinkage by plasma treatment is disclosed. A semiconductor wafer having one or more photoresist layers is plasma treated, such as plasma curing, plasma etching, and/or high-density plasma etching the wafer. After plasma treating, one or more critical dimensions on the photoresist layers is measured using an electron beam, such as by using a scanning electron microscope (SEM). The plasma treating of the wafer prior to measuring the critical dimensions using the electron beam decreases shrinkage of the photoresist layer when using the electron beam.

    摘要翻译： 公开了通过等离子体处理降低光刻胶的收缩率。 具有一个或多个光致抗蚀剂层的半导体晶片被等离子体处理，例如等离子体固化，等离子体蚀刻和/或高密度等离子体蚀刻晶片。 在等离子体处理之后，使用电子束，例如通过使用扫描电子显微镜（SEM）测量光致抗蚀剂层上的一个或多个临界尺寸。 在使用电子束测量临界尺寸之前对晶片的等离子体处理降低了当使用电子束时光致抗蚀剂层的收缩。

    Process flow and pellicle type for 157 nm mask making
    7.
    发明授权
    Process flow and pellicle type for 157 nm mask making 失效
    157 nm掩模制作的工艺流程和防护薄膜

    公开(公告)号：US06720116B1

    公开(公告)日：2004-04-13

    申请号：US10339186

    申请日：2003-01-09

    申请人： San-De Tzu ,  Anthony Yen ,  Chung Hsing Chang ,  Chen-Hao Hsieh

    发明人： San-De Tzu ,  Anthony Yen ,  Chung Hsing Chang ,  Chen-Hao Hsieh

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/62 ,  G03F1/48 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60

    摘要： A method for forming a photomask and pellicle suitable for use in photolithography with incident electromagnetic radiation in a wavelength range from above 250 nm to below 150 nm. The opaque regions of the photomask are formed directly within a transparent F-doped quartz layer by either gallium ion staining using a focused ion beam (FIB) or by deposition of carbon atoms within trenches formed in the transparent layer, said carbon atom deposition being a result of the interaction of a FIB with styrene molecules. An alignment boundary formed on the resulting mask allows a hard pellicle to be fit directly over it so as to avoid warping.

    摘要翻译： 一种用于形成适用于光刻中的光掩模和防护薄膜的方法，其中入射电磁辐射的波长范围为250nm至150nm以下。 光掩模的不透明区域通过使用聚焦离子束（FIB）的镓离子染色或通过在形成在透明层中的沟槽内沉积碳原子而直接在透明的F掺杂的石英层内形成，所述碳原子沉积为 FIB与苯乙烯分子相互作用的结果。 形成在所得到的掩模上的对准边界允许硬防护薄膜直接配合在其上，以避免翘曲。

    Method and system for improved optical imaging in microlithography
    8.
    发明授权
    Method and system for improved optical imaging in microlithography 有权
    在微光刻中改进光学成像的方法和系统

    公开(公告)号：US06151103A

    公开(公告)日：2000-11-21

    申请号：US281530

    申请日：1999-03-30

    申请人： Jing-Shing Shu ,  Anthony Yen

    发明人： Jing-Shing Shu ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G02B5/20 ,  G02B27/46 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03B27/42 ,  G02B27/42 ,  G03B27/72

    CPC分类号： G03F7/70058 ,  G02B27/46 ,  G03F1/72 ,  G03F1/84 ,  G03F7/7025 ,  G03F7/70308 ,  G03F7/70591 ,  G03F7/70641

    摘要： An improved microlithographic imaging system (100) is disclosed. The system comprises a filter (183) substantially aligned with a first image plane, adjacent to an aperture (185). The filter is formed in response to an image projected by a light source (110) through a reticle (160) onto the first image plane. The improved microlithographic imaging system has higher resolution and depth of focus than prior art imaging systems, due to the additional filtering performed by the filter (183). A filter in accordance with the invention can be fabricated easily and inexpensively, using conventional microlithography techniques. A filter in accordance with the invention can also be used to detect or correct flaws in the reticle (160).

    摘要翻译： 公开了一种改进的微光刻成像系统（100）。 该系统包括与第一图像平面基本对齐的滤光器（183），邻近孔（185）。 响应于由光源（110）通过掩模版（160）投影到第一图像平面上的图像而形成滤光器。 由于过滤器（183）执行的附加过滤，改进的微光刻成像系统具有比现有技术的成像系统更高的分辨率和更高的聚焦深度。 根据本发明的过滤器可以使用常规的微光刻技术容易且廉价地制造。 根据本发明的过滤器还可以用于检测或纠正标线（160）中的缺陷。

    Reflective mask and method of making same
    9.
    发明授权
    Reflective mask and method of making same 有权
    反光罩及其制作方法

    公开(公告)号：US08877409B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US13451705

    申请日：2012-04-20

    申请人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    发明人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G03F1/24

    CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  H01L21/0337

    摘要： A reflective mask is described. The mask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a conductive layer deposited on a first surface of the LTEM substrate, a stack of reflective multilayers (ML) deposited on a second surface of the LTEM substrate, a capping layer deposited on the stack of reflective ML, a first absorption layer deposited on the first capping layer, a main pattern, and a border ditch. The border ditch reaches to the capping layer, a second absorption layer deposited inside the border ditch, and the second absorption layer contacts the capping layer. In some instances, the border ditch crosses the capping layer and partially enters the reflective multilayer.

    摘要翻译： 描述了一种反光罩。 掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，沉积在LTEM衬底的第一表面上的导电层，沉积在LTEM衬底的第二表面上的反射多层堆叠（ML），沉积在 堆叠的反射ML，沉积在第一盖层上的第一吸收层，主图案和边界沟。 边界沟到达覆盖层，沉积在边界沟内的第二吸收层，第二吸收层接触覆盖层。 在一些情况下，边界沟穿过覆盖层并部分地进入反射层。