公开(公告)号：US08501600B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13189978

申请日：2011-07-25

申请人： Errol Sanchez ,  Yi-Chiau Huang ,  David K. Carlson

发明人： Errol Sanchez ,  Yi-Chiau Huang ,  David K. Carlson

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02535 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

摘要： Methods for depositing germanium-containing layers on silicon-containing layers are provided herein. In some embodiments, a method may include depositing a first layer atop an upper surface of the silicon-containing layer, wherein the first layer comprises predominantly germanium (Ge) and further comprises a lattice adjustment element having a concentration selected to enhance electrical activity of dopant elements, wherein the dopant elements are disposed in at least one of the first layer or in an optional second layer deposited atop of the first layer, wherein the optional second layer, if present, comprises predominantly germanium (Ge). In some embodiments, the second layer is deposited atop the first layer. In some embodiments, the second layer comprises germanium (Ge) and dopant elements.

摘要翻译： 本文提供了在含硅层上沉积含锗层的方法。 在一些实施例中，一种方法可以包括沉积位于含硅层的上表面顶部的第一层，其中第一层主要包含锗（Ge），并且还包括具有选择以增强掺杂剂的电活性的浓度的晶格调节元件 元素，其中所述掺杂剂元素设置在所述第一层中的至少一个中或沉积在所述第一层顶部的任选的第二层中，其中所述任选的第二层（如果存在）主要包含锗（Ge）。 在一些实施例中，第二层沉积在第一层的顶部。 在一些实施例中，第二层包括锗（Ge）和掺杂元素。

公开(公告)号：US08524555B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13530238

申请日：2012-06-22

申请人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

发明人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

摘要： Methods and apparatus for providing constant emissivity of the backside of susceptors are described. Provided is a method comprising: providing a susceptor in a deposition chamber, the susceptor comprising a susceptor plate and a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof, the layer being stable in the presence of the reactive process gases; and locating the wafer on a support surface of the susceptor plate. The method can further comprise selectively depositing an epitaxial layer or a non-epitaxial layer on a surface of the wafer. The method can also further comprise selectively etching to maintain the oxide, nitride, oxynitride, or combinations thereof layer.

摘要翻译： 描述了用于提供感受器背面恒定发射率的方法和装置。 提供了一种方法，包括：在沉积室中提供感受器，所述基座包括基座板和包括氧化物，氮化物，氮氧化物或其组合的层，所述层在反应性工艺气体存在下是稳定的; 以及将所述晶片定位在所述基座板的支撑表面上。 该方法还可以包括在晶片的表面上选择性地沉积外延层或非外延层。 该方法还可以进一步包括选择性蚀刻以维持氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合层。

公开(公告)号：US20120282714A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：US13530238

申请日：2012-06-22

申请人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

发明人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

摘要： Methods and apparatus for providing constant emissivity of the backside of susceptors are described. Provided is a method comprising: providing a susceptor in a deposition chamber, the susceptor comprising a susceptor plate and a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof, the layer being stable in the presence of the reactive process gases; and locating the wafer on a support surface of the susceptor plate. The method can further comprise selectively depositing an epitaxial layer or a non-epitaxial layer on a surface of the wafer. The method can also further comprise selectively etching to maintain the oxide, nitride, oxynitride, or combinations thereof layer.

摘要翻译： 描述了用于提供感受器背面恒定发射率的方法和装置。 提供了一种方法，包括：在沉积室中提供感受器，所述基座包括基座板和包括氧化物，氮化物，氮氧化物或其组合的层，所述层在反应性工艺气体存在下是稳定的; 以及将所述晶片定位在所述基座板的支撑表面上。 该方法还可以包括在晶片的表面上选择性地沉积外延层或非外延层。 该方法还可以进一步包括选择性蚀刻以维持氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合层。

公开(公告)号：US08226770B2

公开(公告)日：2012-07-24

申请号：US11744760

申请日：2007-05-04

申请人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

发明人： Errol Sanchez ,  David K. Carlson ,  Craig Metzner

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

摘要： Methods and apparatus for providing constant emissivity of the backside of susceptors are provided. Provided is a susceptor comprising: a susceptor plate having a surface for supporting a wafer and a backside surface opposite the wafer supporting surface; a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof located on the backside surface of the susceptor plate, the layer being stable in the presence of a reactive process gas. The layer comprises, for example, silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or combinations thereof. Also provided is a method comprising: providing a susceptor in a deposition chamber, the susceptor comprising a susceptor plate and a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof, the layer being stable in the presence of the reactive process gases; locating the wafer on a support surface of the susceptor plate. The method can further comprises selectively depositing an epitaxial layer or a non-epitaxial layer on a surface of the wafer. The method further comprises selectively etching to maintain the oxide, nitride, oxynitride, or combinations thereof layer.

摘要翻译： 提供了用于提供感受器背面恒定发射率的方法和装置。 本发明提供一种基座，其特征在于，包括：具有用于支撑晶片的表面的基座板和与所述晶片支撑面相对的背面; 位于基座板的背面上的包含氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合的层，该层在反应性工艺气体存在下是稳定的。 该层包括例如二氧化硅，氮化硅，氮氧化硅或其组合。 还提供了一种方法，其包括：在沉积室中提供感受器，所述基座包括基座板和包含氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合的层，所述层在反应性工艺气体存在下是稳定的 ; 将晶片定位在基座板的支撑表面上。 该方法还可以包括在晶片的表面上选择性地沉积外延层或非外延层。 该方法还包括选择性蚀刻以维持氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合层。

公开(公告)号：US06726955B1

公开(公告)日：2004-04-27

申请号：US09605518

申请日：2000-06-27

申请人： Shulin Wang ,  Steven A. Chen ,  Lee Luo ,  Errol Sanchez

发明人： Shulin Wang ,  Steven A. Chen ,  Lee Luo ,  Errol Sanchez

IPC分类号： C23C1624

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262

摘要： A method of forming a polycrystalline silicon film comprising: providing a process gas mix comprising a silicon source gas and a dilution gas mix wherein the dilution gas mix comprises H2 and an inert gas; and forming a polycrystalline silicon film from said silicon source gas.

摘要翻译： 一种形成多晶硅膜的方法，包括：提供包括硅源气体和稀释气体混合物的工艺气体混合物，其中所述稀释气体混合物包含H 2和惰性气体; 以及从所述硅源气体形成多晶硅膜。

公开(公告)号：US20080274604A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US11744760

申请日：2007-05-04

申请人： Errol Sanchez ,  David Carlson ,  Craig Metzner

发明人： Errol Sanchez ,  David Carlson ,  Craig Metzner

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/68757 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52

摘要： Methods and apparatus for providing constant emissivity of the backside of susceptors are provided. Provided is a susceptor comprising: a susceptor plate having a surface for supporting a wafer and a backside surface opposite the wafer supporting surface; a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof located on the backside surface of the susceptor plate, the layer being stable in the presence of a reactive process gas. The layer comprises, for example, silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or combinations thereof. Also provided is a method comprising: providing a susceptor in a deposition chamber, the susceptor comprising a susceptor plate and a layer comprising an oxide, a nitride, an oxynitride, or combinations thereof, the layer being stable in the presence of the reactive process gases; locating the wafer on a support surface of the susceptor plate. The method can further comprises selectively depositing an epitaxial layer or a non-epitaxial layer on a surface of the wafer. The method further comprises selectively etching to maintain the oxide, nitride, oxynitride, or combinations thereof layer.

摘要翻译： 提供了用于提供感受器背面恒定发射率的方法和装置。 本发明提供一种基座，其特征在于，包括：具有用于支撑晶片的表面的基座板和与所述晶片支撑面相对的背面; 位于基座板的背面上的包含氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合的层，该层在反应性工艺气体存在下是稳定的。 该层包括例如二氧化硅，氮化硅，氮氧化硅或其组合。 还提供了一种方法，其包括：在沉积室中提供感受器，所述基座包括基座板和包含氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合的层，所述层在反应性工艺气体存在下是稳定的 ; 将晶片定位在基座板的支撑表面上。 该方法还可以包括在晶片的表面上选择性地沉积外延层或非外延层。 该方法还包括选择性蚀刻以维持氧化物，氮化物，氧氮化物或其组合层。

公开(公告)号：US20070082451A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：US11539775

申请日：2006-10-09

申请人： ARKADII SAMOILOV ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas Dalida

发明人： ARKADII SAMOILOV ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas Dalida

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method for forming a silicon-based material on a substrate having dielectric materials and source/drain regions thereon within a process chamber is provided which includes exposing the substrate to a first process gas comprising silane, methylsilane, a first etchant, and hydrogen gas to deposit a first silicon-containing layer thereon. The first silicon-containing layer may be selectively deposited on the source/drain regions of the substrate while the first silicon-containing layer may be etched away on the surface of the dielectric materials of the substrate. Subsequently, the process further provides exposing the substrate to a second process gas comprising dichlorosilane and a second etchant to deposit a second silicon-containing layer selectively over the surface of the first silicon-containing layer on the substrate.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在处理室内具有电介质材料和源极/漏极区域的衬底上形成硅基材料的方法，其包括将衬底暴露于包含硅烷，甲基硅烷，第一蚀刻剂的第一工艺气体， 和氢气以在其上沉积第一含硅层。 第一含硅层可以选择性地沉积在衬底的源极/漏极区上，同时第一含硅层可被​​蚀刻掉在衬底的电介质材料的表面上。 随后，该方法进一步提供将衬底暴露于包含二氯硅烷和第二蚀刻剂的第二工艺气体，以在衬底上的第一含硅层的表面上选择性地沉积第二含硅层。

公开(公告)号：US07132338B2

公开(公告)日：2006-11-07

申请号：US10845984

申请日：2004-05-14

申请人： Arkadii V. Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas C. Dalida

发明人： Arkadii V. Samoilov ,  Yihwan Kim ,  Errol Sanchez ,  Nicholas C. Dalida

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28044 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

摘要： In one embodiment, a method for fabricating a silicon-based device on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer by exposing the substrate surface to a first process gas comprising Cl2SiH2, a germanium source, a first etchant and a carrier gas and depositing a second silicon-containing layer by exposing the first silicon-containing layer to a second process gas comprising SiH4 and a second etchant. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first germanium concentration of about 15 at % or more. The method further provides depositing on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer wherein a second germanium concentration of about 15 at % or less, exposing the substrate surface to air to form a native oxide layer, removing the native oxide layer to expose the second silicon-containing layer, and depositing a third silicon-containing layer on the second silicon-containing layer. In another embodiment, a method for depositing a silicon-containing material on a substrate surface is provided which includes depositing epitaxially a first silicon-containing layer on the substrate surface with a first lattice strain, and depositing epitaxially on the first silicon-containing layer a second silicon-containing layer with a second lattice strain greater than the first lattice strain.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种在衬底表面上制造硅基器件的方法，其包括通过将衬底表面暴露于包含Cl 2 SiH 2的第一工艺气体来沉积第一含硅层， 锗源，第一蚀刻剂和载气，并且通过将第一含硅层暴露于包含SiH 4 N 2的第二工艺气体而沉积第二含硅层， 和第二蚀刻剂。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以约15at％或更多的第一锗浓度在衬底表面上沉积第一含硅层。 该方法进一步提供了在第一含硅层上沉积第二含硅层，其中第二锗浓度为约15原子％或更低，将基底表面暴露于空气中以形成天然氧化物层，将天然氧化物层去除 暴露第二含硅层，并在第二含硅层上沉积第三含硅层。 在另一个实施例中，提供了一种用于在衬底表面上沉积含硅材料的方法，其包括以第一晶格应变在衬底表面上外延沉积第一含硅层，并且在第一含硅层上外延沉积 第二含硅层具有大于第一晶格应变的第二晶格应变。

公开(公告)号：US08501594B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US12815503

申请日：2010-06-15

申请人： Yi-Chiau Huang ,  Masato Ishii ,  Errol Sanchez

发明人： Yi-Chiau Huang ,  Masato Ishii ,  Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

摘要： Embodiments of methods for depositing silicon germanium (SiGe) layers on a substrate are disclosed herein. In some embodiments, the method may include depositing a first layer comprising silicon and germanium (e.g., a seed layer) atop the substrate using a first precursor comprising silicon and chlorine; and depositing a second layer comprising silicon and germanium (e.g., a bulk layer) atop the silicon germanium seed layer using a second precursor comprising silicon and hydrogen. In some embodiments, the first silicon precursor gas may comprise at least one of dichlorosilane (H2SiCl2), trichlorosilane (HSiCl3), or silicon tetrachloride (SiCl4). In some embodiments, the second silicon precursor gas may comprise at least one of silane (SiH4), or disilane (Si2H6).

摘要翻译： 本文公开了在衬底上沉积硅锗（SiGe）层的方法的实施例。 在一些实施例中，该方法可以包括使用包含硅和氯的第一前体沉积包含硅和锗的第一层（例如种子层）; 以及使用包含硅和氢的第二前体在硅锗种子层顶上沉积包含硅和锗（例如，体层）的第二层。 在一些实施方案中，第一硅前体气体可以包含二氯硅烷（H 2 SiCl 2），三氯硅烷（HSiCl 3）或四氯化硅（SiCl 4）中的至少一种。 在一些实施例中，第二硅前体气体可以包括硅烷（SiH 4）或乙硅烷（Si 2 H 6）中的至少一种。

公开(公告)号：US20090311850A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12143606

申请日：2008-06-20

申请人： Errol Sanchez

发明人： Errol Sanchez

IPC分类号： H01L21/263 ,  B05C11/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  B23K26/1224 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/67115

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate may include providing a substrate having at least one of a defect or a contaminant disposed on or near a surface of the substrate; and selectively annealing a portion of the substrate with a laser beam in the presence of a process gas comprising hydrogen. The laser beam may be moved over the substrate or continuously, or in a stepwise fashion. The laser beam may be applied in a continuous wave or pulsed mode. The process gas may further comprise an inert gas, such as, at least one of helium, argon, or nitrogen. A layer of material may be subsequently deposited atop the annealed substrate.

摘要翻译： 本文提供了用于处理衬底的方法和设备。 在一些实施例中，处理衬底的方法可以包括提供具有设置在衬底的表面上或附近的缺陷或污染物中的至少一种的衬底; 以及在包含氢气的工艺气体存在下用激光束选择性地退火所述衬底的一部分。 激光束可以在衬底上或连续地或以逐步的方式移动。 可以以连续波或脉冲模式施加激光束。 工艺气体还可包括惰性气体，例如氦气，氩气或氮气中的至少一种气体。 随后可以将一层材料沉积在退火的衬底上。