公开(公告)号：US20080003741A1

公开(公告)日：2008-01-03

申请号：US11646481

申请日：2006-12-28

申请人： Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Jin-Hyock Kim ,  Kee-Jeung Lee

发明人： Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh ,  Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Jin-Hyock Kim ,  Kee-Jeung Lee

IPC分类号： H01L21/8244

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a cylindrical capacitor. The method includes forming an isolation structure including an interlayer on a substrate, the substrate having a plurality of contact plugs formed therein, forming a plurality of opening regions by etching the isolation structure, thereby exposing selected portions of the contact plugs, forming storage nodes on a surface of the opening regions, etching selected portions of the isolation structure to form a patterned interlayer that encompasses selected portions of the storage nodes, thereby supporting the storage nodes, removing remaining portions of the isolation structure, and removing the patterned interlayer to expose inner and outer walls of the storage nodes.

摘要翻译： 一种制造圆柱形电容器的方法。 所述方法包括在基板上形成包括中间层的隔离结构，所述基板具有形成在其中的多个接触塞，通过蚀刻隔离结构形成多个开口区域，从而暴露接触塞的选定部分，形成储存节点 蚀刻开口区域的表面，蚀刻隔离结构的选定部分以形成包围存储节点的选定部分的图案化中间层，从而支撑存储节点，去除隔离结构的剩余部分，以及去除图案化中间层以暴露内部 和存储节点的外壁。

公开(公告)号：US20100240188A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12794412

申请日：2010-06-04

申请人： Jin-Hyock KIM ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Jae-Sung Roh

发明人： Jin-Hyock KIM ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Jae-Sung Roh

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10844 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10835 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a storage node contact plug over a substrate; forming an insulation layer having an opening exposing a surface of the storage node contact plug over the storage contact plug; forming a conductive layer for a storage node over the insulation layer and the exposed surface of the storage node contact plug through two steps performed at different temperatures; performing an isolation process to isolate parts of the conductive layer; and sequentially forming a dielectric layer and a plate electrode over the isolated conductive layer.

摘要翻译： 一种制造电容器的方法包括：在衬底上形成存储节点接触插塞; 形成绝缘层，其具有使存储节点接触插塞的表面暴露在存储接触插塞上的开口; 通过在不同温度下执行的两个步骤，在绝缘层和存储节点接触插塞的暴露表面上形成用于存储节点的导电层; 执行隔离工艺以隔离导电层的部分; 并在隔离的导电层上依次形成电介质层和平板电极。

公开(公告)号：US07754577B2

公开(公告)日：2010-07-13

申请号：US11452407

申请日：2006-06-14

申请人： Jin-Hyock Kim ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Jae-Sung Roh

发明人： Jin-Hyock Kim ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Jae-Sung Roh

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L27/10844 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10835 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a storage node contact plug over a substrate; forming an insulation layer having an opening exposing a surface of the storage node contact plug over the storage contact plug; forming a conductive layer for a storage node over the insulation layer and the exposed surface of the storage node contact plug through two steps performed at different temperatures; performing an isolation process to isolate parts of the conductive layer; and sequentially forming a dielectric layer and a plate electrode over the isolated conductive layer.

摘要翻译： 一种制造电容器的方法包括：在衬底上形成存储节点接触插塞; 形成绝缘层，其具有使存储节点接触插塞的表面暴露在存储接触插塞上的开口; 通过在不同温度下执行的两个步骤，在绝缘层和存储节点接触插塞的暴露表面上形成用于存储节点的导电层; 执行隔离工艺以隔离导电层的部分; 并在隔离的导电层上依次形成电介质层和平板电极。

公开(公告)号：US07616426B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11595548

申请日：2006-11-10

申请人： Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh

发明人： Deok-Sin Kil ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Jae-Sung Roh

IPC分类号： H01G4/06

CPC分类号： H01L21/02189 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

摘要： A capacitor includes a lower electrode, a dielectric structure over the lower electrode, the dielectric structure including at least one crystallized zirconium oxide (ZrO2) layer and at least one amorphous aluminum oxide (Al2O3) layer, and an upper electrode formed over the dielectric structure. A method for fabricating a capacitor includes forming a lower electrode over a certain structure, forming a dielectric structure including at least one crystallized zirconium oxide (ZrO2) layer and at least one amorphous aluminum oxide (Al2O3) layer over the lower electrode, and forming an upper electrode over the dielectric structure.

摘要翻译： 电容器包括下电极，下电极上的电介质结构，所述电介质结构包括至少一个结晶的氧化锆（ZrO 2）层和至少一个无定形氧化铝（Al 2 O 3）层，以及形成在电介质结构上的上电极 。 一种制造电容器的方法包括在一定结构上形成下电极，在下电极上形成包括至少一个结晶氧化锆（ZrO 2）层和至少一个非晶形氧化铝（Al 2 O 3）层的电介质结构， 介电结构上的上电极。

公开(公告)号：US08048758B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US13069294

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer and covers the cell region. The isolation layer is etched in the peripheral region to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 在隔离层上形成牺牲图案并覆盖单元区域。 在外围区域中蚀刻隔离层，以暴露在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面部分。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US07781336B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11978604

申请日：2007-10-30

申请人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

发明人： Jin-Hyock Kim ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation pattern on the semiconductor substrate, and an etch stop layer on the insulating pattern, the insulation pattern and the etch stop layer defining a contact hole that exposes the substrate, a first plug filled in a portion of the contact hole, a diffusion barrier layer formed above the first plug and in a bottom portion and on sidewalls of a remaining portion of the contact hole, a second plug formed on the diffusion barrier layer and filled in the contact hole, and a storage node coupled to and formed on the second plug.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的绝缘图案和绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案和蚀刻停止层限定暴露衬底的接触孔，第一插头填充在部分 在所述第一插头上形成的扩散阻挡层，在所述接触孔的剩余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层，形成在所述扩散阻挡层上并填充在所述接触孔中的第二插塞， 耦合到并形成在第二插头上的节点。

公开(公告)号：US20090004808A1

公开(公告)日：2009-01-01

申请号：US11965698

申请日：2007-12-27

申请人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

发明人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim ,  Kwan-Woo Do

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/90 ,  H01L27/10852

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming a sacrificial layer having a plurality of trenches on an upper portion of a substrate, forming storage nodes in the trenches, exposing upper portions of the storage nodes by removing a portion of the sacrificial layer, forming supporters to support the exposed upper portions of the storage nodes, removing the sacrificial layer under the supporters, and removing the supporters.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的上部形成具有多个沟槽的牺牲层，在沟槽中形成存储节点，通过去除牺牲层的一部分来暴露存储节点的上部，形成支持者 支撑存储节点的暴露的上部，移除支持者下面的牺牲层，并移除支持者。

公开(公告)号：US08048757B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US13069290

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer in the peripheral region is etched to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 在隔离层上形成牺牲图案以封闭存储节点的上外壁。 对外围区域中的隔离层进行蚀刻，以在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面露出。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US20110171807A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069290

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung Roh ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. An upper portion of the isolation layer is etched to expose upper outer walls of the storage nodes. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer to enclose the upper outer walls of the storage nodes. The isolation layer in the peripheral region is etched to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 蚀刻隔离层的上部以露出存储节点的上部外壁。 在隔离层上形成牺牲图案以封闭存储节点的上外壁。 对外围区域中的隔离层进行蚀刻，以在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面露出。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。

公开(公告)号：US20110171808A1

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：US13069294

申请日：2011-03-22

申请人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

发明人： Jae-Sung ROH ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Seung-Jin Yeom ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim ,  Jin-Hyock Kim

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65

摘要： A method for fabricating a capacitor includes forming an isolation layer over a cell region and a peripheral region of a substrate. The isolation layer forms a plurality of open regions in the cell region. Storage nodes are formed on surfaces of the open regions. A sacrificial pattern is formed over the isolation layer and covers the cell region. The isolation layer is etched in the peripheral region to expose side portions of the resulting structure obtained after forming the sacrificial pattern in the cell region. With the sacrificial pattern supporting the storage nodes, the isolation layer in the cell region is removed. The sacrificial pattern is then removed.

摘要翻译： 制造电容器的方法包括在衬底的单元区域和周边区域上形成隔离层。 隔离层在单元区域中形成多个开放区域。 存储节点形成在开放区域的表面上。 在隔离层上形成牺牲图案并覆盖单元区域。 在外围区域中蚀刻隔离层，以暴露在单元区域中形成牺牲图案之后获得的所得结构的侧面部分。 利用支持存储节点的牺牲图案，移除单元区域中的隔离层。 然后去除牺牲图案。