公开(公告)号：US20100240188A1

公开(公告)日：2010-09-23

申请号：US12794412

申请日：2010-06-04

申请人： Jin-Hyock KIM ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Jae-Sung Roh

发明人： Jin-Hyock KIM ,  Seung-Jin Yeom ,  Ki-Seon Park ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Jae-Sung Roh

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L27/10844 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10835 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/65 ,  H01L28/91

摘要： A method for fabricating a capacitor includes: forming a storage node contact plug over a substrate; forming an insulation layer having an opening exposing a surface of the storage node contact plug over the storage contact plug; forming a conductive layer for a storage node over the insulation layer and the exposed surface of the storage node contact plug through two steps performed at different temperatures; performing an isolation process to isolate parts of the conductive layer; and sequentially forming a dielectric layer and a plate electrode over the isolated conductive layer.

摘要翻译： 一种制造电容器的方法包括：在衬底上形成存储节点接触插塞; 形成绝缘层，其具有使存储节点接触插塞的表面暴露在存储接触插塞上的开口; 通过在不同温度下执行的两个步骤，在绝缘层和存储节点接触插塞的暴露表面上形成用于存储节点的导电层; 执行隔离工艺以隔离导电层的部分; 并在隔离的导电层上依次形成电介质层和平板电极。

公开(公告)号：US20100276804A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12837947

申请日：2010-07-16

申请人： Jin-Hyock KIM ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

发明人： Jin-Hyock KIM ,  Jae-Sung Roh ,  Seung-Jin Yeom ,  Kee-Jeung Lee ,  Han-Sang Song ,  Deok-Sin Kil ,  Young-Dae Kim

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an insulation pattern on the semiconductor substrate, and an etch stop layer on the insulating pattern, the insulation pattern and the etch stop layer defining a contact hole that exposes the substrate, a first plug filled in a portion of the contact hole, a diffusion barrier layer formed above the first plug and in a bottom portion and on sidewalls of a remaining portion of the contact hole, a second plug fainted on the diffusion barrier layer and filled in the contact hole, and a storage node coupled to and formed on the second plug.

摘要翻译： 半导体器件包括半导体衬底，半导体衬底上的绝缘图案和绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案和蚀刻停止层限定暴露衬底的接触孔，第一插头填充在部分 所述扩散阻挡层形成在所述第一插塞的上方，并且在所述接触孔的剩余部分的底部和所述接触孔的剩余部分的侧壁上形成，所述扩散阻挡层在所述扩散阻挡层上被雾化并填充在所述接触孔中， 耦合到并形成在第二插头上的节点。

公开(公告)号：US20100012989A1

公开(公告)日：2010-01-21

申请号：US12346522

申请日：2008-12-30

申请人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung ROH ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kee-Jeung LEE ,  Jae-Sung ROH ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/311 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/10808 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： A semiconductor device, and a method of fabricating the semiconductor device, which is able to prevent a leaning phenomenon from occurring between the adjacent storage nodes. The method includes forming a plurality of multi-layered pillar type storage nodes each of which is buried in a plurality of mold layers, wherein the uppermost layers of the multi-layered pillar type storage nodes are fixed by a support layer, etching a portion of the support layer to form an opening, and supplying an etch solution through the opening to remove the multiple mold layers. A process of depositing and etching the mold layer by performing the process 2 or more times to form the multi-layered pillar type storage node. Thus, the desired capacitance is sufficiently secured and the leaning phenomenon is avoided between adjacent storage nodes.

摘要翻译： 半导体器件以及制造该半导体器件的方法，其能够防止在相邻存储节点之间发生倾斜现象。 该方法包括：形成多个多层支柱型存储节点，每个堆叠在多个模具层中，其中多层支柱型存储节点的最上层由支撑层固定，蚀刻一部分 所述支撑层形成开口，并且通过所述开口提供蚀刻溶液以移除所述多个模具层。 通过进行2次以上的处理来沉积和蚀刻成形层的工序，形成多层支柱型存储节点。 因此，充分确保期望的电容，并且避免相邻存储节点之间的倾斜现象。

公开(公告)号：US20100046138A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12344182

申请日：2008-12-24

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01G4/008 ,  H01G7/00

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/16 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/435

摘要： A semiconductor device and a method of fabricating the same include an electrode having a nickel layer with impurities. The electrode having a nickel layer with impurities can be a gate electrode or a capacitor electrode. The electrode having a nickel layer with impurities may include a combination of a pure nickel layer and a nickel layer with impurities.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括具有杂质的镍层的电极。 具有杂质的镍层的电极可以是栅电极或电容电极。 具有带有杂质的镍层的电极可以包括纯镍层和具有杂质的镍层的组合。

公开(公告)号：US20130022744A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13612505

申请日：2012-09-12

申请人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung LEE ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE ,  Ja-Yong KIM

发明人： Deok-Sin KIL ,  Kee-Jeung LEE ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE ,  Ja-Yong KIM

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76873 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/65

摘要： A noble metal layer is formed using ozone (O3) as a reaction gas.

摘要翻译： 使用臭氧（O 3）作为反应气体形成贵金属层。

公开(公告)号：US20090261454A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12343379

申请日：2008-12-23

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L21/71

CPC分类号： H01L28/65

摘要： A capacitor includes a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode over a substrate. A RuXTiYOZ film is included in at least one of the bottom and top electrodes, where x, y and z are positive real numbers. A method of fabricating the capacitor through a sequential formation of a bottom electrode, a dielectric layer and a top electrode over a substrate includes forming a RuXTiYOZ film during a formation of at least one of the bottom electrode and top electrode, where x, y and z are positive real numbers.

摘要翻译： 电容器包括底部电极，电介质层和衬底上的顶部电极。 至少一个底部电极和顶部电极中包含RuXTiYOZ膜，其中x，y和z为正实数。 通过顺序形成底部电极，电介质层和衬底上的顶部电极来制造电容器的方法包括在形成底部电极和顶部电极中的至少一个时形成RuXTiYOZ膜，其中x，y和 z是正实数。

公开(公告)号：US20120147519A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13403541

申请日：2012-02-23

申请人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kwan-Woo DO ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kyung-Woong PARK ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01L23/482

CPC分类号： C23C16/45525 ,  C23C16/16 ,  H01L28/60 ,  Y10T29/435

摘要： A semiconductor device and a method of fabricating the same include an electrode having a nickel layer with impurities. The electrode having a nickel layer with impurities can be a gate electrode or a capacitor electrode. The electrode having a nickel layer with impurities may include a combination of a pure nickel layer and a nickel layer with impurities.

摘要翻译： 半导体器件及其制造方法包括具有杂质的镍层的电极。 具有杂质的镍层的电极可以是栅电极或电容电极。 具有带有杂质的镍层的电极可以包括纯镍层和具有杂质的镍层的组合。

公开(公告)号：US20090273882A1

公开(公告)日：2009-11-05

申请号：US12427117

申请日：2009-04-21

申请人： Kyung-Woong PARK ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Jeong-Yeop LEE

发明人： Kyung-Woong PARK ,  Kee-Jeung LEE ,  Deok-Sin KIL ,  Young-Dae KIM ,  Jin-Hyock KIM ,  Kwan-Woo DO ,  Jeong-Yeop LEE

IPC分类号： H01G4/008 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/91 ,  H01G4/008 ,  H01G4/33 ,  H01L28/65 ,  H01L28/75

摘要： A capacitor includes a first electrode, a dielectric layer, and a second electrode. The capacitor also includes a buffer layer formed over at least one of an interface between the first electrode and the dielectric layer and an interface between the dielectric layer and the second electrode, wherein the buffer layer includes a compound of a metal element from electrode materials of one of the first and second electrodes and a metal element from materials included in the dielectric layer.

摘要翻译： 电容器包括第一电极，电介质层和第二电极。 电容器还包括在第一电极和电介质层之间的界面中的至少一个上形成的缓冲层以及介电层和第二电极之间的界面，其中缓冲层包括来自电极材料的金属元素的化合物 第一和第二电极中的一个以及包含在电介质层中的材料的金属元件。