公开(公告)号：US07183568B2

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：US10326172

申请日：2002-12-23

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Richard Martel ,  James Anthony Misewich ,  Alejandro Gabriel Schrott

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Richard Martel ,  James Anthony Misewich ,  Alejandro Gabriel Schrott

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/16 ,  H01L27/20

摘要： A structure (and method) for a piezoelectric device, including a layer of piezoelectric material. A nanotube structure is mounted such that a change of shape of the piezoelectric material causes a change in a stress in the nanotube structure.

摘要翻译： 一种用于压电器件的结构（和方法），包括一层压电材料。 安装纳米管结构使得压电材料的形状变化引起纳米管结构中的应力变化。

公开(公告)号：US20050056826A1

公开(公告)日：2005-03-17

申请号：US10956851

申请日：2004-10-01

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin Chan ,  Philip Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Wong

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Kevin Chan ,  Philip Collins ,  Richard Martel ,  Hon-Sum Wong

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L51/0516 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/938 ,  Y10S977/94

摘要： A self-aligned carbon-nanotube field effect transistor semiconductor device comprises a carbon-nanotube deposited on a substrate, a source and a drain formed at a first end and a second end of the carbon-nanotube, respectively, and a gate formed substantially over a portion of the carbon-nanotube, separated from the carbon-nanotube by a dielectric film.

摘要翻译： 自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件分别包括沉积在基板上的碳纳米管，分别形成在碳纳米管的第一端和第二端的源极和漏极，以及基本上形成的栅极 碳纳米管的一部分，通过电介质膜与碳纳米管分离。

公开(公告)号：US06706566B2

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US10144402

申请日：2002-05-13

申请人： Phaedon Avouris ,  Philip G. Collins ,  Vincent Stephane Derycke ,  Richard Martel

发明人： Phaedon Avouris ,  Philip G. Collins ,  Vincent Stephane Derycke ,  Richard Martel

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/18 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/938

摘要： A method is provided for forming a device. The method provides a substrate, and provides a plurality of nanotubes in contact with the substrate. The method comprises depositing metal contacts on the substrate, wherein the metal contacts are in contact with a portion of at least one nanotube. The method further comprises selectively breaking the at least one nanotube using an electrical current, removing the metal contacts, cleaning a remaining nanotube, and depositing a first metal contact in contact with a first end of the nanotube and a second metal contact in contact with a second end of the nanotube.

摘要翻译： 提供了一种用于形成装置的方法。 该方法提供了一种衬底，并且提供与衬底接触的多个纳米管。 该方法包括在衬底上沉积金属触点，其中金属触点与至少一个纳米管的一部分接触。 该方法还包括使用电流选择性地断开至少一个纳米管，去除金属触点，清洁剩余的纳米管，以及沉积与纳米管的第一端接触的第一金属触点和与第一金属触点接触的第二金属触点 纳米管的第二端。

公开(公告)号：US06423583B1

公开(公告)日：2002-07-23

申请号：US09753845

申请日：2001-01-03

申请人： Phaedon Avouris ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel

发明人： Phaedon Avouris ,  Philip G. Collins ,  Richard Martel

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L51/0545 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/17 ,  G11C2213/18 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/845 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/938

摘要： A method is provided for forming a device. The method provides an insulating substrate including a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode. The method provides carbon nanotube bundles including metallic and semiconducting component nanotubes in contact with the substrate. The method applies a voltage to the gate electrode to deplete the semiconducting component nanotubes of carriers, applies an electrical current through the nanotube, from a source electrode to a drain electrode, and breaks at least one metallic component nanotube to form a field effect transistor. The carbon nanotube bundle can be a multi-walled nanotube or a single-walled nanotube rope.

摘要翻译： 提供了一种用于形成装置的方法。 该方法提供了包括源电极，漏电极和栅电极的绝缘基板。 该方法提供了碳纳米管束，其包括与基底接触的金属和半导体组分纳米管。 该方法向栅电极施加电压以消耗载流子的半导体组分纳米管，从源电极向漏电极施加电流通过纳米管，并破坏至少一个金属组分纳米管以形成场效应晶体管。 碳纳米管束可以是多壁纳米管或单壁纳米管绳。

公开(公告)号：US07598516B2

公开(公告)日：2009-10-06

申请号：US11031168

申请日：2005-01-07

申请人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christophe G. M. M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christophe G. M. M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, e.g., a field effect transistor (FET), that includes at least one one-dimensional nanostructure that is typically a carbon-based nanomaterial, as the device channel, and a metal carbide contact that is self-aligned with the gate region of the device is described. The present invention also provides a method of fabricating such a CMOS device.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，例如场效应晶体管（FET），其包括通常为碳基纳米材料的至少一个一维纳米结构作为器件沟道，以及金属碳化物接触 描述与设备的栅极区域自对准的步骤。 本发明还提供一种制造这种CMOS器件的方法。

公开(公告)号：US20110256675A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13153051

申请日：2011-06-03

申请人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christophe G.M.M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christophe G.M.M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82Y99/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, e.g., a field effect transistor (FET), that includes at least one one-dimensional nanostructure that is typically a carbon-based nanomaterial, as the device channel, and a metal carbide contact that is self-aligned with the gate region of the device is described. The present invention also provides a method of fabricating such a CMOS device.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，例如场效应晶体管（FET），其包括通常为碳基纳米材料的至少一个一维纳米结构作为器件沟道，以及金属碳化物接触 描述与设备的栅极区域自对准的步骤。 本发明还提供一种制造这种CMOS器件的方法。

公开(公告)号：US08003453B2

公开(公告)日：2011-08-23

申请号：US12125501

申请日：2008-05-22

申请人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christopher G. M. M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christopher G. M. M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, e.g., a field effect transistor (FET), that includes at least one one-dimensional nanostructure that is typically a carbon-based nanomaterial, as the device channel, and a metal carbide contact that is self-aligned with the gate region of the device is described. The present invention also provides a method of fabricating such a CMOS device.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，例如场效应晶体管（FET），其包括通常为碳基纳米材料的至少一个一维纳米结构作为器件沟道，以及金属碳化物接触 描述与设备的栅极区域自对准的步骤。 本发明还提供一种制造这种CMOS器件的方法。

公开(公告)号：US08119466B2

公开(公告)日：2012-02-21

申请号：US13153051

申请日：2011-06-03

申请人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christopher G. M. M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christopher G. M. M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, e.g., a field effect transistor (FET), that includes at least one one-dimensional nanostructure that is typically a carbon-based nanomaterial, as the device channel, and a metal carbide contact that is self-aligned with the gate region of the device is described. The present invention also provides a method of fabricating such a CMOS device.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，例如场效应晶体管（FET），其包括通常为碳基纳米材料的至少一个一维纳米结构作为器件沟道，以及金属碳化物接触 描述与设备的栅极区域自对准的步骤。 本发明还提供一种制造这种CMOS器件的方法。

公开(公告)号：US20080227259A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US12125501

申请日：2008-05-22

申请人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christophe G.M.M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

发明人： Phaedon Avouris ,  Roy A. Carruthers ,  Jia Chen ,  Christophe G.M.M. Detavernier ,  Christian Lavoie ,  Hon-Sum Philip Wong

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/6656 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/665 ,  H01L29/7833 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  Y10S977/847 ,  Y10S977/938

摘要： A complementary metal oxide semiconductor (CMOS) device, e.g., a field effect transistor (FET), that includes at least one one-dimensional nanostructure that is typically a carbon-based nanomaterial, as the device channel, and a metal carbide contact that is self-aligned with the gate region of the device is described. The present invention also provides a method of fabricating such a CMOS device.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，例如场效应晶体管（FET），其包括通常为碳基纳米材料的至少一个一维纳米结构作为器件沟道，以及金属碳化物接触 描述与设备的栅极区域自对准的步骤。 本发明还提供一种制造这种CMOS器件的方法。

公开(公告)号：US20090032803A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12164690

申请日：2008-06-30

申请人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

发明人： Joerg Appenzeller ,  Phaedon Avouris ,  Yu-Ming Lin

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  Y10S977/721

摘要： A method of fabricating a nanotube field-effect transistor having unipolar characteristics and a small inverse sub-threshold slope includes forming a local gate electrode beneath the nanotube between drain and source electrodes of the transistor and doping portions of the nanotube. In a further embodiment, the method includes forming at least one trench in the gate dielectric (e.g., a back gate dielectric) and back gate adjacent to the local gate electrode. Another aspect of the invention is a nanotube field-effect transistor fabricated using such a method.

摘要翻译： 一种制造具有单极特性和小的反向亚阈值斜率的纳米管场效应晶体管的方法包括在晶体管的漏极和源极之间的纳米管下面形成局部栅电极，并掺杂纳米管的部分。 在另一实施例中，该方法包括在栅极电介质（例如，背栅极电介质）中形成至少一个沟槽和邻近局部栅电极的后栅极。 本发明的另一方面是使用这种方法制造的纳米管场效应晶体管。