公开(公告)号：US08679912B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13362697

申请日：2012-01-31

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Gowrishankar L. Chindalore ,  Brian A. Winstead ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Gowrishankar L. Chindalore ,  Brian A. Winstead ,  Jane A. Yater

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42332

摘要： A method for forming a semiconductor device includes forming a first plurality of nanocrystals over a surface of a substrate having a first region and a second region, wherein the first plurality of nanocrystals is formed in the first region and the second region and has a first density; and, after forming the first plurality of nanocrystals, forming a second plurality of nanocrystals over the surface of the substrate in the second region and not the first region, wherein the first plurality of nanocrystals together with the second plurality of nanocrystals in the second region result in a second density, wherein the second density is greater than the first density.

摘要翻译： 一种形成半导体器件的方法包括在具有第一区域和第二区域的衬底的表面上形成第一多个纳米晶体，其中所述第一多个纳米晶体形成在所述第一区域和所述第二区域中，并具有第一密度 ; 并且在形成所述第一多个纳米晶体之后，在所述第二区域而不是所述第一区域的所述衬底的表面上形成第二多个纳米晶体，其中所述第一多个纳米晶体与所述第二区域中的所述第二多个纳米晶体结果 在第二密度中，其中第二密度大于第一密度。

公开(公告)号：US08329543B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13085230

申请日：2011-04-12

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42348 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66833

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device having nanocrystals. The method includes: providing a substrate; forming a first insulating layer over a surface of the substrate; forming a first plurality of nanocrystals on the first insulating layer; forming a second insulating layer over the first plurality of nanocrystals; implanting a first material into the second insulating layer; and annealing the first material to form a second plurality of nanocrystals in the second insulating layer. The method may be used to provide a charge storage layer for a non-volatile memory having a greater nanocrystal density.

摘要翻译： 提供了一种形成具有纳米晶体的半导体器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述基板的表面上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体; 在所述第一多个纳米晶体上形成第二绝缘层; 将第一材料注入第二绝缘层; 以及退火所述第一材料以在所述第二绝缘层中形成第二多个纳米晶体。 该方法可用于为具有更大纳米晶体密度的非易失性存储器提供电荷存储层。

公开(公告)号：US08431471B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12951862

申请日：2010-11-22

申请人： Jane A. Yater ,  Sung-Taeg Kang ,  Mehul D. Shroff

发明人： Jane A. Yater ,  Sung-Taeg Kang ,  Mehul D. Shroff

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

摘要： A feature is formed in the NVM isolation region during the patterning and etching of an NVM device and a logic device such that the feature is of substantially equal height to the logic device and is well-defined so that it does not cause defect signals. A first conductive layer is formed over a substrate. The first conductive layer is patterned to expose at least a portion of the substrate in an NVM region and at least a portion of an isolation region. An NVM dielectric stack is formed over the first conductive layer, the exposed substrate, and the exposed isolation region, and a second conductive layer is formed over the NVM dielectric stack. The first and second conductive layers and the NVM dielectric stack are patterned to form a first gate and a second gate of an NVM cell in the NVM region and a feature over the isolation region. The feature comprises a portion of the first conductive layer, a portion of the NVM dielectric stack adjacent a first sidewall of the portion of the first conductive layer, and a portion of the second conductive layer adjacent the portion of the NVM dielectric stack.

摘要翻译： 在NVM器件和逻辑器件的图案化和蚀刻期间，在NVM隔离区域中形成特征，使得该特征与逻辑器件的高度基本相等，并且被明确地限定，使得其不会引起缺陷信号。 第一导电层形成在衬底上。 图案化第一导电层以在NVM区域和隔离区域的至少一部分中露出衬底的至少一部分。 在第一导电层，暴露的衬底和暴露的隔离区上方形成NVM电介质堆叠，并且在NVM电介质叠层上形成第二导电层。 图案化第一和第二导电层和NVM电介质叠层以形成NVM区域中的NVM单元的第一栅极和第二栅极以及隔离区域上的特征。 该特征包括第一导电层的一部分，与第一导电层的该部分的第一侧壁相邻的NVM电介质堆叠的一部分以及邻近NVM电介质叠层部分的第二导电层的一部分。

公开(公告)号：US08372699B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US12710111

申请日：2010-02-22

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

摘要： A method for forming a semiconductor device includes forming a first semiconductor layer over a substrate, forming a first photoresist layer over the first semiconductor layer, and using only a first single mask patterning the first photoresist layer to form a first patterned photoresist layer. The method further includes using the first patterned photoresist layer etching the first semiconductor layer to form a select gate and forming a charge storage layer over the select gate and a portion of the substrate. The method further includes forming a second semiconductor layer over the charge storage layer, forming a second photoresist layer over the second semiconductor layer, and using only a second single mask patterning the second photoresist layer to form a second patterned photoresist layer. The method further includes forming a control gate by anisotropically etching the second semiconductor layer and then subsequently isotropically etching the second semiconductor layer.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层，在第一半导体层上形成第一光致抗蚀剂层，并且仅使用图案化第一光致抗蚀剂层的第一单掩模形成第一图案化光致抗蚀剂层。 该方法还包括使用蚀刻第一半导体层的第一图案化光刻胶层形成选择栅极并在选择栅极和衬底的一部分上形成电荷存储层。 该方法还包括在电荷存储层上形成第二半导体层，在第二半导体层上形成第二光致抗蚀剂层，并且仅使用图案化第二光致抗蚀剂层的第二单掩模形成第二图案化光致抗蚀剂层。 该方法还包括通过各向异性蚀刻第二半导体层然后随后各向同性蚀刻第二半导体层来形成控制栅极。

公开(公告)号：US08329544B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13085238

申请日：2011-04-12

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66825

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device having nanocrystals. The method includes: forming a first insulating layer over a surface of a substrate; forming a first plurality of nanocrystals on the first insulating layer; implanting a first material into the first insulating layer; and annealing the first material to form a second plurality of nanocrystals in the first insulating layer. The method may be used to provide a charge storage layer for a non-volatile memory having a greater nanocrystal density.

摘要翻译： 提供了一种形成具有纳米晶体的半导体器件的方法。 该方法包括：在衬底的表面上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体; 将第一材料注入第一绝缘层; 以及退火所述第一材料以在所述第一绝缘层中形成第二多个纳米晶体。 该方法可用于为具有更大纳米晶体密度的非易失性存储器提供电荷存储层。

公开(公告)号：US20100029052A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12181766

申请日：2008-07-29

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A method includes forming a silicon nitride layer and patterning it to form a first opening and a second opening separated by a first portion of silicon nitride. Gate material is deposited in the first and second openings to form first and second select gate structures in the first and second openings. Second and third portions of silicon nitride layer are removed adjacent to the first and second gate structures, respectively. A charge storage layer is formed over the semiconductor device after removing the second and third portions. First and second sidewall spacers of gate material are formed on the charge storage layer and adjacent to the first and second gate structures. The charge storage layer is etched using the first and second sidewall spacers as masks. The first portion is removed. A drain region is formed in the semiconductor layer between the first and second gate structures.

摘要翻译： 一种方法包括形成氮化硅层并将其图案化以形成由氮化硅的第一部分分开的第一开口和第二开口。 栅极材料沉积在第一和第二开口中以在第一和第二开口中形成第一和第二选择栅极结构。 氮化硅层的第二和第三部分分别与第一和第二栅极结构相邻地去除。 在去除第二和第三部分之后，在半导体器件上形成电荷存储层。 栅极材料的第一和第二侧壁间隔物形成在电荷存储层上并与第一和第二栅极结构相邻。 使用第一和第二侧壁间隔物作为掩模蚀刻电荷存储层。 第一部分被删除。 在第一和第二栅极结构之间的半导体层中形成漏极区。

公开(公告)号：US20120264282A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13085238

申请日：2011-04-12

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66825

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device having nanocrystals. The method includes: forming a first insulating layer over a surface of a substrate; forming a first plurality of nanocrystals on the first insulating layer; implanting a first material into the first insulating layer; and annealing the first material to form a second plurality of nanocrystals in the first insulating layer. The method may be used to provide a charge storage layer for a non-volatile memory having a greater nanocrystal density.

摘要翻译： 提供了一种形成具有纳米晶体的半导体器件的方法。 该方法包括：在衬底的表面上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体; 将第一材料注入第一绝缘层; 以及退火所述第一材料以在所述第一绝缘层中形成第二多个纳米晶体。 该方法可用于为具有更大纳米晶体密度的非易失性存储器提供电荷存储层。

公开(公告)号：US20120264277A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13085230

申请日：2011-04-12

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/42348 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/66833

摘要： A method is provided for forming a semiconductor device having nanocrystals. The method includes: providing a substrate; forming a first insulating layer over a surface of the substrate; forming a first plurality of nanocrystals on the first insulating layer; forming a second insulating layer over the first plurality of nanocrystals; implanting a first material into the second insulating layer; and annealing the first material to form a second plurality of nanocrystals in the second insulating layer. The method may be used to provide a charge storage layer for a non-volatile memory having a greater nanocrystal density.

摘要翻译： 提供了一种形成具有纳米晶体的半导体器件的方法。 该方法包括：提供衬底; 在所述基板的表面上形成第一绝缘层; 在所述第一绝缘层上形成第一多个纳米晶体; 在所述第一多个纳米晶体上形成第二绝缘层; 将第一材料注入第二绝缘层; 以及退火所述第一材料以在所述第二绝缘层中形成第二多个纳米晶体。 该方法可用于为具有更大纳米晶体密度的非易失性存储器提供电荷存储层。

公开(公告)号：US20110207274A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US12710111

申请日：2010-02-22

申请人： SUNG-TAEG KANG ,  Jane A. Yater

发明人： SUNG-TAEG KANG ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/8246

CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/792

摘要： A method for forming a semiconductor device includes forming a first semiconductor layer over a substrate, forming a first photoresist layer over the first semiconductor layer, and using only a first single mask patterning the first photoresist layer to form a first patterned photoresist layer. The method further includes using the first patterned photoresist layer etching the first semiconductor layer to form a select gate and forming a charge storage layer over the select gate and a portion of the substrate. The method further includes forming a second semiconductor layer over the charge storage layer, forming a second photoresist layer over the second semiconductor layer, and using only a second single mask patterning the second photoresist layer to form a second patterned photoresist layer. The method further includes forming a control gate by anisotropically etching the second semiconductor layer and then subsequently isotropically etching the second semiconductor layer.

摘要翻译： 一种用于形成半导体器件的方法包括在衬底上形成第一半导体层，在第一半导体层上形成第一光致抗蚀剂层，并且仅使用图案化第一光致抗蚀剂层的第一单掩模形成第一图案化光致抗蚀剂层。 该方法还包括使用蚀刻第一半导体层的第一图案化光刻胶层形成选择栅极并在选择栅极和衬底的一部分上形成电荷存储层。 该方法还包括在电荷存储层上形成第二半导体层，在第二半导体层上形成第二光致抗蚀剂层，并且仅使用图案化第二光致抗蚀剂层的第二单掩模形成第二图案化光致抗蚀剂层。 该方法还包括通过各向异性蚀刻第二半导体层然后随后各向同性蚀刻第二半导体层来形成控制栅极。

公开(公告)号：US07902022B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US12181766

申请日：2008-07-29

申请人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

发明人： Sung-Taeg Kang ,  Jane A. Yater

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28273 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： A method includes forming a silicon nitride layer and patterning it to form a first opening and a second opening separated by a first portion of silicon nitride. Gate material is deposited in the first and second openings to form first and second select gate structures in the first and second openings. Second and third portions of silicon nitride layer are removed adjacent to the first and second gate structures, respectively. A charge storage layer is formed over the semiconductor device after removing the second and third portions. First and second sidewall spacers of gate material are formed on the charge storage layer and adjacent to the first and second gate structures. The charge storage layer is etched using the first and second sidewall spacers as masks. The first portion is removed. A drain region is formed in the semiconductor layer between the first and second gate structures.

摘要翻译： 一种方法包括形成氮化硅层并将其图案化以形成由氮化硅的第一部分分开的第一开口和第二开口。 栅极材料沉积在第一和第二开口中以在第一和第二开口中形成第一和第二选择栅极结构。 氮化硅层的第二和第三部分分别与第一和第二栅极结构相邻地去除。 在去除第二和第三部分之后，在半导体器件上形成电荷存储层。 栅极材料的第一和第二侧壁间隔物形成在电荷存储层上并与第一和第二栅极结构相邻。 使用第一和第二侧壁间隔物作为掩模蚀刻电荷存储层。 第一部分被删除。 在第一和第二栅极结构之间的半导体层中形成漏极区。