公开(公告)号：US20110143268A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US13032590

申请日：2011-02-22

申请人： Thomas Laidig ,  Kurt E. Wampler ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

发明人： Thomas Laidig ,  Kurt E. Wampler ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G03F1/00 ,  G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of forming a mask having optical proximity correction features, which includes the steps of obtaining a target pattern of features to be imaged, expanding- the width of the features to be imaged, modifying the mask to include assist features which are placed adjacent the edges of the features to be imaged, where the assist features have a length corresponding to the expanded width of the features to be imaged, and returning the features to be imaged from the expanded width to a width corresponding to the target pattern.

摘要翻译： 一种形成具有光学邻近校正特征的掩模的方法，其包括以下步骤：获得要被成像的特征的目标图案，扩展要成像的特征的宽度，修改掩模以包括邻近放置的辅助特征 要成像的特征的边缘，其中辅助特征具有对应于要成像的特征的扩展宽度的长度，以及将要成像的特征从扩展宽度返回到对应于目标图案的宽度。

公开(公告)号：US20110014552A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12890494

申请日：2010-09-24

申请人： Duan-Fu Stephen Hsu ,  Sangbong Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

发明人： Duan-Fu Stephen Hsu ,  Sangbong Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70125 ,  G03F7/70466

摘要： A method of generating complementary masks for use in a dark field double dipole imaging process. The method includes the steps of identifying a target pattern having a plurality of features, including horizontal and vertical features; generating a horizontal mask based on the target pattern, where the horizontal mask includes low contrast vertical features. The generation of the horizontal mask includes the steps of optimizing the bias of the low contrast vertical features contained in the horizontal mask; and applying assist features to the horizontal mask. The method further includes generating a vertical mask based on the target pattern, where the vertical mask contains low contrast horizontal features. The generation of the vertical mask includes the steps of optimizing the bias of low contrast horizontal features contained in the vertical mask; and applying assist features to the vertical mask.

摘要翻译： 一种产生用于暗场双偶极成像过程的互补掩模的方法。 该方法包括以下步骤：识别具有多个特征的目标图案，包括水平和垂直特征; 基于目标图案生成水平掩模，其中水平掩模包括低对比度垂直特征。 水平掩模的生成包括优化包含在水平掩模中的低对比度垂直特征的偏压的步骤; 并将辅助特征应用于水平掩模。 该方法还包括基于目标图案生成垂直掩模，其中垂直掩模包含低对比度水平特征。 垂直掩模的产生包括优化垂直掩模中包含的低对比度水平特征的偏差的步骤; 并将辅助特征应用于垂直掩模。

公开(公告)号：US07614034B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11594248

申请日：2006-11-08

申请人： Douglas Van Den Broeke ,  Sangbong Park ,  Chung-Wei Hsu ,  Jang Fung Chen

发明人： Douglas Van Den Broeke ,  Sangbong Park ,  Chung-Wei Hsu ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of applying optical proximity correction features to a mask having a plurality of features to be imaged. The method includes the steps of defining a set of process parameters to be utilized to image the mask; defining a set of pitch ranges corresponding to pitches exhibited by the plurality of features to be imaged; determining an interference map for at least one of the pitch ranges; and generating a set of rules for positioning scattering bars adjacent the plurality of features based on the interference map, where the set of rules governs scattering bar placement for features having a pitch which falls within the pitch range utilized to generate the interference map.

摘要翻译： 将光学邻近校正特征应用于具有要成像的多个特征的掩模的方法。 该方法包括以下步骤：定义要用于对掩模进行成像的一组过程参数; 定义对应于待成像的多个特征所展示的间距的一组音调范围; 确定所述音高范围中的至少一个的干涉图; 以及基于所述干涉图来生成用于定位与所述多个特征相邻的散射条的一组规则，其中所述规则集合管理具有落在用于生成所述干涉图的所述音调范围内的音调的特征的散射棒放置。

公开(公告)号：US07604909B2

公开(公告)日：2009-10-20

申请号：US11647599

申请日：2006-12-29

申请人： Chung-Wei Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

发明人： Chung-Wei Hsu ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F5/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of applying optical proximity correction features to a mask having a target pattern comprising a plurality of features to be imaged. The method includes the steps of defining a set of process parameters to be utilized to image the mask; determining an interference map based on the process parameters and the target pattern; defining an area of influence which represents the area about a given feature in the target pattern in which scattering bars will be utilized in the mask; and disposing a scattering bar in the mask adjacent the given feature in a location indicated by said interference map only within the area of influence of the given feature.

摘要翻译： 一种将光学邻近校正特征应用于具有包括要成像的多个特征的目标图案的掩模的方法。 该方法包括以下步骤：定义要用于对掩模进行成像的一组过程参数; 基于过程参数和目标模式确定干涉图; 定义影响区域，其表示在掩模中将使用散射条的目标图案中的给定特征的区域; 以及仅在给定特征的影响区域内，在由所述干涉图指示的位置中的与给定特征相邻的掩模中布置散射条。

公开(公告)号：US07594199B2

公开(公告)日：2009-09-22

申请号：US10756829

申请日：2004-01-14

申请人： Robert John Socha ,  Xuelong Shi ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

发明人： Robert John Socha ,  Xuelong Shi ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70441 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70125

摘要： Disclosed concepts include a method of optimizing an illumination profile of a pattern to be formed in a surface of a substrate. Illumination is optimized by defining a transmission cross coefficient (“TCC”) function determined in accordance with an illumination pupil and a projection pupil corresponding to an illuminator, representing at least one resolvable feature of a mask to be printed on the substrate by at least one impulse function, and creating an interference map of a predetermined order based on the at least one impulse function and the TCC function, wherein the interference map represents the at least one resolvable feature to be printed on the substrate and areas of destructive interference.

摘要翻译： 公开的概念包括优化待形成在基板的表面中的图案的照明轮廓的方法。 通过定义根据照明光瞳确定的透射交叉系数（“TCC”）函数和对应于照明器的投影光瞳来优化照明，其表示待印刷在基板上的掩模的至少一个可分辨特征至少一个 脉冲功能，以及基于所述至少一个脉冲功能和所述TCC功能创建预定顺序的干涉图，其中所述干涉图表示要印刷在所述基板上的所述至少一个可分辨特征以及相消干涉区域。

公开(公告)号：US08910091B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13401820

申请日：2012-02-21

申请人： Jang Fung Chen ,  Duan-Fu Stephen Hsu ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Jang Fung Chen ,  Duan-Fu Stephen Hsu ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G06F17/50 ,  G03F7/20 ,  G03F1/00

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/144 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466 ,  G06F2217/08 ,  G06F2217/12

摘要： A method of generating complementary masks based on a target pattern having features to be imaged on a substrate for use in a multiple-exposure lithographic imaging process is disclosed. The method includes defining an initial H-mask and an initial V-mask corresponding to the target pattern; identifying horizontal critical features in the H-mask and vertical critical features in the V-mask; assigning a first phase shift and a first percentage transmission to the horizontal critical features, which are to be formed in the H-mask; and assigning a second phase shift and a second percentage transmission to the vertical critical features, which are to be formed in the V-mask. The method further includes the step of assigning chrome to all non-critical features in the H-mask and the V-mask.

摘要翻译： 公开了一种基于具有待成像在基板上的特征的目标图案产生互补掩模以在多次曝光光刻成像过程中使用的方法。 该方法包括定义对应于目标图案的初始H掩模和初始V掩模; 识别V面罩中H面罩和垂直关键特征的水平关键特征; 将第一相移和第一百分比传输分配给​​要在H掩模中形成的水​​平临界特征; 以及将要在V掩模中形成的垂直关键特征分配第二相移和第二百分比传输。 该方法还包括将铬分配给H掩模和V掩模中的所有非关键特征的步骤。

公开(公告)号：US20120122023A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13358497

申请日：2012-01-25

申请人： Duan-Fu Stephen Hsu ,  Jung Chul Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

发明人： Duan-Fu Stephen Hsu ,  Jung Chul Park ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G03F1/36 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06T7/0004 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466 ,  G03F7/70475

摘要： A method for decomposing a target circuit pattern containing features to be imaged into multiple patterns. The process includes the steps of separating the features to be printed into a first pattern and a second pattern; performing a first optical proximity correction process on the first pattern and the second pattern; determining an imaging performance of the first pattern and the second pattern; determining a first error between the first pattern and the imaging performance of the first pattern, and a second error between the second pattern and the imaging performance of said second pattern; utilizing the first error to adjust the first pattern to generate a modified first pattern; utilizing the second error to adjust the second pattern to generate a modified second pattern; and applying a second optical proximity correction process to the modified first pattern and the modified second pattern.

摘要翻译： 一种用于将包含要成像的特征的目标电路图案分解为多个图案的方法。 该方法包括将待印刷的特征分离成第一图案和第二图案的步骤; 对所述第一图案和所述第二图案执行第一光学邻近校正处理; 确定所述第一图案和所述第二图案的成像性能; 确定所述第一图案和所述第一图案的成像性能之间的第一误差，以及所述第二图案和所述第二图案的成像性能之间的第二误差; 利用第一误差来调整第一图案以产生修改的第一图案; 利用第二误差来调整第二图案以产生修改的第二图案; 以及对修改的第一图案和修改的第二图案应用第二光学邻近校正处理。

公开(公告)号：US07892707B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12350919

申请日：2009-01-08

申请人： Thomas Laidig ,  Kurt E. Wampler ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

发明人： Thomas Laidig ,  Kurt E. Wampler ,  Douglas Van Den Broeke ,  Jang Fung Chen

IPC分类号： G03F9/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A method of forming a mask having optical proximity correction features, which includes the steps of obtaining a target pattern of features to be imaged, expanding—the width of the features to be imaged, modifying the mask to include assist features which are placed adjacent the edges of the features to be imaged, where the assist features have a length corresponding to the expanded width of the features to be imaged, and returning the features to be imaged from the expanded width to a width corresponding to the target pattern.

摘要翻译： 一种形成具有光学邻近校正特征的掩模的方法，其包括以下步骤：获得待成像的特征的目标图案，扩大要成像的特征的宽度，修改掩模以包括邻近放置的辅助特征 要成像的特征的边缘，其中辅助特征具有对应于要成像的特征的扩展宽度的长度，以及将要成像的特征从扩展宽度返回到对应于目标图案的宽度。

公开(公告)号：US07681171B2

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：US11402273

申请日：2006-04-12

申请人： Jang Fung Chen ,  Duan-Fu Stephen Hsu ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Jang Fung Chen ,  Duan-Fu Stephen Hsu ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081 ,  G03F1/144 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70466 ,  G06F2217/08 ,  G06F2217/12

摘要： A method of generating complementary masks based on a target pattern having features to be imaged on a substrate for use in a multiple-exposure lithographic imaging process. The method includes the steps of: defining an initial H-mask corresponding to the target pattern; defining an initial V-mask corresponding to the target pattern; identifying horizontal critical features in the H-mask having a width which is less than a predetermined critical width; identifying vertical critical features in the V-mask having a width which is less than a predetermined critical width; assigning a first phase shift and a first percentage transmission to the horizontal critical features, which are to be formed in the H-mask; and assigning a second phase shift and a second percentage transmission to the vertical critical features, which are to be formed in the V-mask. The method further includes the step of assigning chrome to all non-critical features in the H-mask and the V-mask. The non-critical features are those features having a width which is greater than or equal to the predetermined critical width. The non-critical features are formed in the H-mask and the V-mask utilizing chrome. The target pattern is then imaged on the substrate by imaging both the H-mask and V-mask.

摘要翻译： 基于具有要在多曝光光刻成像处理中使用的基板上成像的特征的目标图案产生互补掩模的方法。 该方法包括以下步骤：定义对应于目标图案的初始H掩码; 定义对应于目标图案的初始V掩模; 识别具有小于预定临界宽度的宽度的H掩模中的水平临界特征; 识别具有小于预定临界宽度的宽度的V形掩模中的垂直关键特征; 将第一相移和第一百分比传输分配给​​要在H掩模中形成的水​​平临界特征; 以及将要在V掩模中形成的垂直关键特征分配第二相移和第二百分比传输。 该方法还包括将铬分配给H掩模和V掩模中的所有非关键特征的步骤。 非关键特征是具有大于或等于预定临界宽度的宽度的那些特征。 非关键特征形成在H掩模和使用铬的V形掩模中。 然后通过成像H掩模和V掩模来将目标图案成像在衬底上。

公开(公告)号：US07617476B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US11898647

申请日：2007-09-13

申请人： Duan-Fu Stephen Hsu ,  Noel Corcoran ,  Jang Fung Chen ,  Douglas Van Den Broeke

发明人： Duan-Fu Stephen Hsu ,  Noel Corcoran ,  Jang Fung Chen ,  Douglas Van Den Broeke

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F7/70466 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433

摘要： A method for decomposing a target pattern containing features to be printed on a wafer into multiple patterns. The method includes the steps of: (a) determining a minimum critical dimension and pitch associated with a process to be utilized to image the multiple patterns; (b) generating an anchoring feature; (c) disposing the anchoring feature adjacent a first feature of the target pattern; (d) growing the anchoring feature a predetermined amount so as to define a first area; (e) assigning any feature within the first area to a first pattern; (f) disposing the anchoring feature adjacent a second feature of the target pattern; (g) growing the anchoring feature the predetermined amount so as to define a second area; and (h) assigning any feature within the second area to a second pattern. Steps (c)-(h) are then repeated until the densely spaced features within the target pattern have been assigned to either the first or second pattern.

摘要翻译： 一种用于将包含要印刷在晶片上的特征的目标图案分解为多个图案的方法。 该方法包括以下步骤：（a）确定与要用于对多个图案成像的过程相关联的最小临界尺寸和间距; （b）产生锚固特征; （c）将所述锚定特征设置在所述目标图案的第一特征附近; （d）使锚定特征增长预定量以限定第一区域; （e）将第一区域内的任何特征分配给第一模式; （f）将所述锚定特征设置在所述目标图案的第二特征附近; （g）使锚定特征增长预定量以限定第二区域; 和（h）将第二区域内的任何特征分配给第二模式。 然后重复步骤（c） - （h），直到目标图案内密集间隔的特征被分配给第一或第二图案。