公开(公告)号：US20130023079A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13552344

申请日：2012-07-18

申请人： Sang Won Kang ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Juno Yu-Ting Huang ,  Wei-Yung Hsu

发明人： Sang Won Kang ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Juno Yu-Ting Huang ,  Wei-Yung Hsu

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01L33/0095

摘要： Methods of fabricating light emitting diodes using a degas process are described. For example, a method includes providing a partially formed group III-V material layer stack of an LED. Contaminants are removed from the partially formed group III-V material layer stack by a degas process. Formation of the group III-V material layer stack of the LED is then completed.

摘要翻译： 描述了使用脱气工艺制造发光二极管的方法。 例如，一种方法包括提供LED的部分形成的III-V族材料层堆叠。 通过脱气工艺将污染物从部分形成的III-V族材料层堆中除去。 然后完成LED的III-V族材料层堆叠的形成。

公开(公告)号：US20130005118A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13535845

申请日：2012-06-28

申请人： Sung Won Jun ,  Yan Wang ,  Hua Chung ,  Jiang Lu ,  Kuan Chien Keris Shen ,  Shiva Rai

发明人： Sung Won Jun ,  Yan Wang ,  Hua Chung ,  Jiang Lu ,  Kuan Chien Keris Shen ,  Shiva Rai

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02661 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C30B25/02 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Methods of forming III-V materials using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) with chlorine cleans operations are described. A chlorine-clean operation may further season an MOCVD process for improved throughput for high volume manufacturing.

摘要翻译： 描述了使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）与氯清洗操作形成III-V材料的方法。 氯清洁操作可以进一步增加MOCVD过程，以提高大批量生产的产量。

公开(公告)号：US20120315741A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13485671

申请日：2012-05-31

申请人： Jie Su ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Wei-Yung Hsu ,  David Bour

发明人： Jie Su ,  Jiang Lu ,  Hua Chung ,  Wei-Yung Hsu ,  David Bour

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02579 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： Enhanced magnesium incorporation into gallium nitride films through high pressure or ALD-type processing is described. In an example, a method of fabricating a group III-nitride film includes flowing a group III precursor, a nitrogen precursor, and a p-type dopant precursor into a reaction chamber having a substrate therein. A p-type doped group III-nitride layer is formed in the reaction chamber, above the substrate, while a total pressure in the reaction chamber is approximately in the range of 300-760 Torr.

摘要翻译： 描述了通过高压或ALD型处理将镁掺入到氮化镓膜中。 在一个实例中，制造III族氮化物膜的方法包括使III族前体，氮前体和p型掺杂剂前体流入具有衬底的反应室中。 在反应室中形成p型掺杂III族氮化物层，同时反应室中的总压力大约在300-760乇的范围内。

公开(公告)号：USPP21965P3

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12082850

申请日：2008-04-15

申请人： Jiang Lu ,  Zhong-bo Ren ,  Xia Xu

发明人： Jiang Lu ,  Zhong-bo Ren ,  Xia Xu

IPC分类号： A01H5/00

CPC分类号： A01H6/88 ,  A01H5/08

摘要： A new and distinct cultivar of the muscadine grape plant, Vitis rotundifolia Michx., which has exceptionally good flavor, firm flesh texture with relatively thin skin, and a larger berry than the current grapes that are produced commercially. The vines of this cultivar are vigorous, productive and disease resistant.

摘要翻译： 麝香葡萄植物Vitis rotundifolia Michx的新鲜而独特的品种，具有非常好的风味，坚实的肉质质地，皮肤相对薄，以及比目前商业生产的葡萄更大的浆果。 这种栽培品种的葡萄藤是有活力，有生产力和抗病性的。