公开(公告)号：US5760162A

公开(公告)日：1998-06-02

申请号：US703754

申请日：1996-08-27

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Roland Gestigkeit ,  Kurt Geibel

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Roland Gestigkeit ,  Kurt Geibel

IPC分类号： C08G69/26 ,  C08G69/28 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32 ,  G03F7/037 ,  G03F7/038 ,  C08G69/08 ,  C08G73/10

CPC分类号： G03F7/0387 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32

摘要： In a process for the preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides, a bis-o-aminophenol or a bis-o-aminothiophenol is reacted at a temperature of .ltoreq.0.degree. C. with a mixed dianhydride of a dicarboxylic acid and a sulfonic acid with the following structure: E--SO.sub.2 --O--CO--R*--CO--O--SO.sub.2 --E where E is an (optionally substituted) methyl, phenyl, or naphthyl group and R* is the parent body of the dicarboxylic acid.

摘要翻译： 在制备聚邻羟基酰胺和聚-O-巯基酰胺的方法中，将双邻氨基苯酚或双邻氨基苯硫酚在0℃的温度下与混合的二酐 具有以下结构的二羧酸和磺酸：E-SO 2 -O-CO-R * -CO-O-SO 2 -E其中E是（任选取代的）甲基，苯基或萘基，R *是 二元酸的父体。

公开(公告)号：US5384220A

公开(公告)日：1995-01-24

申请号：US811706

申请日：1991-12-20

申请人： Recai Sezi ,  Horst Borndoerfer ,  Rainer Leuschner ,  Michael Sebald ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

发明人： Recai Sezi ,  Horst Borndoerfer ,  Rainer Leuschner ,  Michael Sebald ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  G03F7/26 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/265 ,  Y10S430/147 ,  Y10S430/167

摘要： A method for the photolithographic production of structures in the submicron range including the following steps:- a photoresist layer comprising a polymer containing carboxylic acid anhydride and carboxylic acid tert. butyl ester groups, a photoinitiator which releases an acid when exposed, and a suitable solvent is applied to a substrate;- the photoresist layer is dried;- the photoresist layer is exposed in an imagewise manner;- the exposed photoresist layer is subjected to temperature treatment;- the photoresist layer treated in this way is subjected to liquid silylation;- the silylated photoresist layer is dry-developed in an anisotropic oxygen plasma;where the temperature treatment is handled in such a way that the photoresist becomes hydrophilic in the exposed areas.

摘要翻译： 一种用于在亚微米范围内光刻生产结构的方法，包括以下步骤： - 包含含有羧酸酐和羧酸叔丁酯的聚合物的光致抗蚀剂层。 丁基酯基，暴露时释放酸的光引发剂和合适的溶剂施加到基材上; - 将光致抗蚀剂层干燥; - 以成像方式曝光光致抗蚀剂层; 曝光的光致抗蚀剂层进行温度处理; - 以这种方式处理的光致抗蚀剂层进行液体甲硅烷基化; - 甲硅烷基化的光致抗蚀剂层在各向异性的氧等离子体中干式显影; 其中以这样的方式处理温度处理，使得光致抗蚀剂在曝光区域中变得亲水。

公开(公告)号：US5173393A

公开(公告)日：1992-12-22

申请号：US513570

申请日：1990-04-24

申请人： Recai Sezi ,  Michael Sebald ,  Rainer Leuschner ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

发明人： Recai Sezi ,  Michael Sebald ,  Rainer Leuschner ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A photoresist system that is easily structurable and, in particular, is suitable for the deep ultraviolet range is provided. An increased etching resistance to a halogen-containing plasma is produced in a lithographically generated photoresist structure by treatment with a reactant. The reactant comprises predominantly aromatic structures and includes reactive groups that are suitable for chemical reaction with further reactable groups of the photoresist. In an embodiment, the photoresist includes anhydride or epoxy groups that are suitable for structuring with deep ultraviolet light.

摘要翻译： 提供易于结构化并且特别适用于深紫外范围的光致抗蚀剂体系。 通过用反应物处理在光刻产生的光致抗蚀剂结构中产生对含卤素等离子体的耐腐蚀性提高。 反应物主要包含芳族结构，并且包括适于与光致抗蚀剂的其它可反应基团进行化学反应的反应性基团。 在一个实施方案中，光致抗蚀剂包括适于用深紫外光结构化的酸酐或环氧基团。

公开(公告)号：US4975347A

公开(公告)日：1990-12-04

申请号：US481783

申请日：1990-02-16

申请人： Hellmut Ahne ,  Winfried Plundrich

发明人： Hellmut Ahne ,  Winfried Plundrich

IPC分类号： B32B27/42 ,  C08J3/28 ,  G03F7/032 ,  G03F7/038 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/032 ,  Y10S430/143 ,  Y10S430/146

摘要： Heat-stable structured layers can be manufactured through the application of radiation-sensitive soluble polymers in the form of a layer or film on a substrate, irradiation of the layer respectively film through negative patterns with actinic light or through the use of a light, electron, laser, or ion beam, removal of the non-irradiated layer respectively film parts and, if necessary, through subsequent tempering, in a cost-effective way in dimension-precise and high-quality form and in a single application process, when the polymers used are photopolymers in the form of addition reaction products of olefinic unsaturated monoisocyates with phenolformaldehyde resins. The layers produced with this method resist even high thermal and mechanical stress in immersion soldering processes and protect circuit surfaces effectively and permanently against moisture and corrosion; they are therefore suitable for use, in particular as solder resist and insulating layers in microelectronics.

摘要翻译： 热稳定结构层可以通过在衬底上施加层或膜形式的辐射敏感的可溶性聚合物来制造，该层通过具有光化的光分别通过负型图案照射或通过使用光，电子 ，激光或离子束，分别去除非辐射层的膜部件，并且如果需要，通过随后的回火以成本有效的方式去除尺寸精确和高质量的形式以及在单个应用过程中，当 使用的聚合物是烯属不饱和单异氰酸酯与酚醛树脂的加成反应产物形式的光聚合物。 用这种方法生产的层在浸没焊接过程中抵抗甚至高的热和机械应力，并有效和永久地保护电路表面免受潮湿和腐蚀; 因此它们适合于使用，特别是作为微电子学中的阻焊剂和绝缘层。

公开(公告)号：US4828948A

公开(公告)日：1989-05-09

申请号：US877872

申请日：1986-06-24

申请人： Hellmut Ahne ,  Winfried Plundrich

发明人： Hellmut Ahne ,  Winfried Plundrich

IPC分类号： G03F7/26 ,  A61K38/00 ,  C08G18/48 ,  C08G18/81 ,  G03F7/038 ,  H01B3/36 ,  H01B3/42

CPC分类号： H01B3/42 ,  C08G18/4879 ,  C08G18/8116 ,  C08G18/8175 ,  G03F7/0388 ,  H01B3/36 ,  A61K38/00 ,  Y10S430/146

摘要： A cost-efficient method for producing dimensionally precise and high-grade heat-resistent structured layers by applying a single coating of a radiation-sensitive soluble polyether-based photopolymer in the form of a layer or foil on a substrate; irradiating the layer or foil through a negative with actinic light or by guiding a light, electron, laser, or ion beam; removing the nonirradiated layer or foil portions; and subsequent optional annealing, wherein the photopolymer comprises an addition product of an olefin-unsaturated monoisocyanate and a polether having at least one hydroxyl group. The layers provided according to the invention can withstand the thermal and mechanical stresses of dip soldering process, and protect circuit surfaces effectively and durably against moisture and corrosion; they are therefore suitable in particular as solder resist and insulating layers in microconductor technology.

摘要翻译： 一种经济有效的方法，用于通过在基底上施加层或箔形式的辐射敏感的可溶性聚醚基光聚合物的单一涂层来生产尺寸精确和高等级的耐热结构层; 用光化或通过引导光，电子，激光或离子束照射层或箔通过负片; 去除非照射层或箔部分; 和随后的任选退火，其中光聚合物包含烯烃不饱和单异氰酸酯和具有至少一个羟基的极性的加成产物。 根据本发明提供的层可以承受浸焊工艺的热和机械应力，并且有效地和耐久地保护电路表面防止湿气和腐蚀; 因此，它们特别适用于微导体技术中的阻焊层和绝缘层。

公开(公告)号：US4801681A

公开(公告)日：1989-01-31

申请号：US21152

申请日：1987-03-03

申请人： Hellmut Ahne

发明人： Hellmut Ahne

IPC分类号： C08G73/00 ,  C08G73/10 ,  C08G73/18 ,  C08G73/20 ,  G03F7/038

CPC分类号： C08G73/20 ,  C08G73/18 ,  G03F7/0387 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31721

摘要： Oligomeric and/or polymeric radiation-reactive polyimidazole and polyimidazo pyrrolone precursors which are soluble in organic solvents, can be prepared with high purity, i.e., especially without chloride, in a simple manner if an aromatic and/or heterocyclic tetraamino compound is reacted in the presence of a carbodiimide, with an olefinically unsaturated monocarboxylic acid and a dicarboxylic acid, or with an olefinically unsaturated monocarboxylic acid and an aromatic and/or heterocyclic tetracarboxylic acid dianhydride, or with an olefinically unsaturated tetracarboxylic acid diester, in the form of an addition product of the tetracarboxylic acid dianhydride and an olefinically unsaturated alcohol. The radiation-reactive precursors prepared in this manner are suitable, for instance, for the manufacture of highly heat-resistant relief structures.

摘要翻译： 可溶于有机溶剂的低聚物和/或聚合物辐射反应性聚咪唑和聚咪唑啉酮前体可以以简单的方式以高纯度，即特别是没有氯化物制备，如果芳族和/或杂环四氨基化合物在 碳烯二亚胺与烯属不饱和一元羧酸和二羧酸的存在，或与烯属不饱和一元羧酸和芳族和/或杂环四羧酸二酐或与烯属不饱和四羧酸二酯形成的加成产物 的四羧酸二酐和烯属不饱和醇。 以这种方式制备的辐射反应性前体是适合的，例如用于制造高耐热浮雕结构。

公开(公告)号：US4329556A

公开(公告)日：1982-05-11

申请号：US148142

申请日：1980-05-09

申请人： Roland Rubner ,  Eberhard Kuhn ,  Hellmut Ahne

发明人： Roland Rubner ,  Eberhard Kuhn ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： C08K5/00 ,  C07D207/44 ,  C07D207/452 ,  C07D207/456 ,  C08K5/41 ,  C08K5/43

CPC分类号： C07D207/452 ,  C08K5/43

摘要： The invention relates to new arylsulfonylazides as well as the use of these compounds. The new compounds are characterized by the general formula: ##STR1## where R=aryl; x=1 or 2; and R.sup.1 and R.sup.2 are selected from H, CH.sub.3 and Cl and may be the same or different, with the provision that CH.sub.3 and Cl are not present side by side. The compounds according to the invention are suitable as photoinitiators in the preparation of relief structures by phototechniques from olefinically unsaturated polymers, as well as cross-link enhancing agents in the radical-wise cross linking of thermoplastic polymers.

摘要翻译： 本发明涉及新的芳基磺酰基叠氮化物以及这些化合物的用途。 新化合物的特征在于通式：其中R =芳基; x = 1或2; 并且R 1和R 2选自H，CH 3和Cl并且可以相同或不同，条件是CH 3和Cl不并列存在。 根据本发明的化合物在通过光学技术从烯属不饱和聚合物制备浮雕结构中以及在热塑性聚合物的自由基交联中的交联增强剂中适合作为光引发剂。

公开(公告)号：US5783654A

公开(公告)日：1998-07-21

申请号：US705575

申请日：1996-08-29

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： C08G69/26 ,  C08G69/28 ,  C08G69/32 ,  C08G73/22 ,  C08G75/32 ,  G03F7/038 ,  C08G73/10 ,  C08G69/08

CPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/32 ,  C08G75/32 ,  G03F7/0387

摘要： In a process for the preparation of poly-o-hydroxyamides and poly-o-mercaptoamides, a bis-o-aminophenol or a bis-o-aminothiophenol is reacted with a dicarboxylic acid ester with the following structure: G--O--CO--R*--CO--O--G, where G is an (optionally substituted) succinimide or maleinimide group and R* is the parent body of the dicarboxylic acid.

摘要翻译： 在制备聚邻羟基酰胺和聚-O-巯基酰胺的方法中，将双邻氨基苯酚或双邻氨基苯硫酚与具有以下结构的二羧酸酯反应：GO-CO-R * -CO-OG，其中G是（任选取代的）琥珀酰亚胺或马来酰亚胺基，R *是二羧酸的母体。

公开(公告)号：US5750638A

公开(公告)日：1998-05-12

申请号：US666177

申请日：1996-06-19

申请人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Roland Gestigkeit

发明人： Recai Sezi ,  Hellmut Ahne ,  Roland Gestigkeit

IPC分类号： C08G69/44 ,  C08G69/04 ,  C08G69/26 ,  C08G73/22 ,  G03F7/023 ,  G03F7/037 ,  C08G69/08 ,  C08G73/10

CPC分类号： C08G73/22 ,  C08G69/04 ,  C08G69/26 ,  G03F7/0233

摘要： A method for producing poly-o-hydroxy amides by heating a dicarboxylic acid to a temperature .gtoreq.80.degree. C., together with a sulfonic acid chloride and a tertiary amine in a suitable solvent, to form a reaction mixture and reacting the mixture obtained with a bis-o-aminophenol solution at a temperature

摘要翻译： 通过在合适的溶剂中将二羧酸与磺酰氯和叔胺一起加热至> 80℃的温度来生产聚邻羟基酰胺的方法，以形成反应混合物并使混合物 在温度<80℃下用双邻氨基苯酚溶液获得。

公开(公告)号：US5234794A

公开(公告)日：1993-08-10

申请号：US847881

申请日：1992-03-10

申请人： Michael Sebald ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

发明人： Michael Sebald ,  Rainer Leuschner ,  Recai Sezi ,  Siegfried Birkle ,  Hellmut Ahne

IPC分类号： G03F7/40

CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/40

摘要： A simple method for diminishing the trench width in a photoresist structure to below the resolution limit is provided. A photoresist structure is produced and treated with an agent then contains a bulging constituent that reacts with functional groups of the photoresist structure. The bulging constituent causes a volume increase of the photoresist structure. The extent of the volume increase of the photoresist structures is controllable by varying various parameters.

摘要翻译： 提供了一种用于将光致抗蚀剂结构中的沟槽宽度减小到分辨率极限以下的简单方法。 制备光致抗蚀剂结构并用试剂处理，然后含有与光致抗蚀剂结构的官能团反应的凸起成分。 凸起成分导致光致抗蚀剂结构的体积增加。 通过改变各种参数可以控制光致抗蚀剂结构体积增加的程度。