公开(公告)号：US08866149B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13767739

申请日：2013-02-14

Applicant: The Regents of the University of California

Inventor： Casey O. Holder ,  Daniel F. Feezell ,  Steven P. DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC: H01L29/15 ,  H01L21/02 ,  H01S5/183 ,  H01S5/02 ,  H01L29/20 ,  H01L21/78 ,  H01L21/3063 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20

CPC classification number: H01L21/7813 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30635 ,  H01L29/2003 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1856 ,  H01L31/1892 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18347 ,  H01S5/187 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: A method for the reuse of gallium nitride (GaN) epitaxial substrates uses band-gap-selective photoelectrochemical (PEC) etching to remove one or more epitaxial layers from bulk or free-standing GaN substrates without damaging the substrate, allowing the substrate to be reused for further growth of additional epitaxial layers. The method facilitates a significant cost reduction in device production by permitting the reuse of expensive bulk or free-standing GaN substrates.

Abstract translation: 氮化镓（GaN）外延衬底的再利用方法使用带隙选择性光电化学（PEC）蚀刻从体积或独立的GaN衬底去除一个或多个外延层而不损坏衬底，允许衬底被再次使用 用于进一步生长附加的外延层。 该方法通过允许重新使用昂贵的体积或独立的GaN衬底而有助于器件生产的显着降低成本。

公开(公告)号：US20140023102A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：US13947755

申请日：2013-07-22

Applicant: The Regents of the University of California

Inventor： Casey O. Holder ,  Daniel F. Feezell ,  Steven P. DenBaars ,  James S. Speck ,  Shuji Nakamura

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18355 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/0654 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/183 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/209 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/176

Abstract: A III-Nitride based Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL), wherein a cavity length of the VCSEL is controlled by etching.

Abstract translation: 基于III-Nitride的垂直腔表面发射激光器（VCSEL），其中通过蚀刻来控制VCSEL的腔长度。