公开(公告)号：US20070138595A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11493595

申请日：2006-07-27

申请人： Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Wen-Han Wang ,  Min-Hong Lee ,  Te-Sheng Chao ,  Yen Chuo ,  Yi-Chan Chen ,  Wei-Su Chen

发明人： Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Wen-Han Wang ,  Min-Hong Lee ,  Te-Sheng Chao ,  Yen Chuo ,  Yi-Chan Chen ,  Wei-Su Chen

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1675 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

摘要： A phase change memory (PCM) cell and fabricating method thereof are provided. A phase change layer is etched into a tapered structure, and then a dielectric layer on the phase change layer is planarized, until a tip of the tapered structure is exposed for contacting a heating electrode. Therefore, when the area of the exposed tip of the phase change layer is controlled to be of an extremely small size, the contact area between the phase change layer and the heating electrode is reduced; thereby the operation current is lowered.

摘要翻译： 提供了相变存储器（PCM）单元及其制造方法。 将相变层蚀刻成锥形结构，然后将相变层上的电介质层平坦化，直到锥形结构的尖端暴露以接触加热电极。 因此，当相变层的露出端部的面积被控制在非常小的尺寸时，相变层和加热电极之间的接触面积减小; 从而操作电流降低。

公开(公告)号：US07923286B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12611066

申请日：2009-11-02

申请人： Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang

发明人： Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

摘要： A phase-change memory comprises a bottom electrode formed on a substrate. A first isolation layer is formed on the bottom electrode. A top electrode is formed on the isolation layer. A first phase-change material is formed in the first isolation layer, wherein the top electrode and the bottom electrode are electrically connected via the first phase-change material. Since the phase-change material can have a diameter less than the resolution limit of the photolithography process, an operating current for a state conversion of the phase-change material pattern may be reduced so as to decrease a power dissipation of the phase-change memory device.

摘要翻译： 相变存储器包括形成在基板上的底部电极。 在底部电极上形成第一隔离层。 顶部电极形成在隔离层上。 第一相变材料形成在第一隔离层中，其中顶部电极和底部电极经由第一相变材料电连接。 由于相变材料的直径可以小于光刻工艺的分辨率极限，所以可以减小相变材料图案的状态转换的工作电流，从而降低相变存储器的功耗 设备。

公开(公告)号：US07868631B2

公开(公告)日：2011-01-11

申请号：US12395712

申请日：2009-03-02

申请人： Yi-Chan Chen

发明人： Yi-Chan Chen

IPC分类号： G01R31/302 ,  G01R31/28

CPC分类号： H02S50/10

摘要： A solar cell testing apparatus including a stage, a movable chuck, a light source and a plurality of probes is provided. The movable chuck is disposed on the stage and capable of carrying a sample sheet to move. The sample sheet has a light incident side, a rear side opposite to the light incident side, and a plurality of electrodes disposed on the rear side. The light source is disposed above the stage and capable of providing testing light to the light incident side of the sample sheet. The probes are located on the rear side of the sample sheet and capable of contacting the electrodes of the sample sheet. The present invention not only can be used to test a substrate type solar cell, but also can be used to test a superstrate type solar cell.

摘要翻译： 提供了一种太阳能电池测试装置，其包括载物台，活动卡盘，光源和多个探针。 可移动卡盘设置在台架上，并且能够携带样品片移动。 样品片具有光入射侧，与光入射侧相对的后侧，以及设置在后侧的多个电极。 光源设置在平台上方，并能够向样品片的光入射侧提供测试光。 探针位于样品片的后侧，能够接触样品片的电极。 本发明不仅可用于测试基板型太阳能电池，而且还可用于测试上覆型太阳能电池。

公开(公告)号：US07835177B2

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：US11493595

申请日：2006-07-27

申请人： Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Wen-Han Wang ,  Min-Hung Lee ,  Te-Sheng Chao ,  Yen Chuo ,  Yi-Chan Chen ,  Wei-Su Chen

发明人： Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Wen-Han Wang ,  Min-Hung Lee ,  Te-Sheng Chao ,  Yen Chuo ,  Yi-Chan Chen ,  Wei-Su Chen

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/1675 ,  G11C2213/52 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

摘要： A phase change memory (PCM) cell fabricated by etching a tapered structure into a phase change layer, and planarizing a dielectric layer on the phase change layer until a tip of the tapered structure is exposed for contacting a heating electrode. Therefore, the area of the exposed tip of the phase change layer is controlled to be of an extremely small size, the contact area between the phase change layer and the heating electrode is reduced, thereby lowering the operation current.

摘要翻译： 通过将锥形结构蚀刻成相变层而制造的相变存储器（PCM）单元，并且平坦化相变层上的电介质层直到锥形结构的尖端暴露以接触加热电极。 因此，相变层的露出端的面积被控制为极小的尺寸，相变层和加热电极之间的接触面积减小，从而降低了工作电流。

公开(公告)号：US07670871B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US12187345

申请日：2008-08-06

申请人： Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang

发明人： Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

摘要： A phase-change memory comprises a bottom electrode formed on a substrate. A first isolation layer is formed on the bottom electrode. A top electrode is formed on the isolation layer. A first phase-change material is formed in the first isolation layer, wherein the top electrode and the bottom electrode are electrically connected via the first phase-change material. Since the phase-change material can have a diameter less than the resolution limit of the photolithography process, an operating current for a state conversion of the phase-change material pattern may be reduced so as to decrease a power dissipation of the phase-change memory device.

摘要翻译： 相变存储器包括形成在基板上的底部电极。 在底部电极上形成第一隔离层。 顶部电极形成在隔离层上。 第一相变材料形成在第一隔离层中，其中顶部电极和底部电极经由第一相变材料电连接。 由于相变材料的直径可以小于光刻工艺的分辨率极限，所以可以减小相变材料图案的状态转换的工作电流，从而降低相变存储器的功耗 设备。

公开(公告)号：US07545615B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11477360

申请日：2006-06-30

申请人： Yi-Chan Chen

发明人： Yi-Chan Chen

IPC分类号： H02H9/00

CPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In an LCD source driver, to enhance the ESD performance thereof, there is provided a path in a device area penetrating thereacross such that an internal power wire or an internal ground wire to connect between an output pad and a power-rail ESD clamp circuit on two margins, respectively, of the LCD source driver could pass through the path to shorten the internal power wire or the internal ground wire and thereby to avoid chip area increase for the ESD mechanism.

摘要翻译： 在LCD源驱动器中，为了提高其ESD性能，提供了穿过其的器件区域中的路径，使得内部电源线或内部接地线在输出焊盘和电源轨ESD ESD钳位电路之间连接 LCD驱动器的两个边缘分别可以通过路径来缩短内部电源线或内部接地线，从而避免ESD机制的芯片面积增加。

公开(公告)号：US20080251498A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US11852203

申请日：2007-09-07

申请人： Yi-Chan Chen

发明人： Yi-Chan Chen

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： A method for forming a memory device is disclosed. A dielectric layer is formed on a substrate. A Sn doped phase change layer is formed on the dielectric layer. A patterned mask layer is formed on the Sn doped phase change layer. The Sn doped phase change layer is etched by an etchant comprising fluorine-based etchant added with chlorine using the patterned mask layer as a mask to pattern the Sn doped phase change layer. An electrode is formed, electrically connecting the patterned Sn doped phase change layer.

摘要翻译： 公开了一种用于形成存储器件的方法。 在基板上形成电介质层。 在电介质层上形成Sn掺杂相变层。 在Sn掺杂相变层上形成图案化掩模层。 使用图案化掩模层作为掩模，通过包含添加有氯的氟基蚀刻剂的蚀刻剂来蚀刻Sn掺杂相变层以图案化Sn掺杂相变层。 形成电极，电连接图案化的Sn掺杂相变层。

公开(公告)号：US20070148862A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11437661

申请日：2006-05-22

申请人： Yi-Chan Chen ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Yen Chuo ,  Te-Sheng Chao ,  Wen-Han Wang ,  Wei-Su Chen ,  Min-Hung Lee

发明人： Yi-Chan Chen ,  Hong-Hui Hsu ,  Chien-Min Lee ,  Yen Chuo ,  Te-Sheng Chao ,  Wen-Han Wang ,  Wei-Su Chen ,  Min-Hung Lee

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L45/165 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1641

摘要： A phase-change memory layer and method for manufacturing the same and a phase-change memory cell are provided. The phase-change memory layer is crystallized by adding one or more heterogeneous crystals that do not react with phase-change materials as the crystal nucleus, so as to reduce the time for transforming to the crystalline state from the amorphous state.

摘要翻译： 提供了一种相变存储器层及其制造方法和相变存储单元。 通过加入与相变材料不反应的一种或多种非晶体晶体作为晶核，相变记忆层结晶，从而减少从非晶态转变为结晶态的时间。

公开(公告)号：US20100154882A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12403353

申请日：2009-03-12

申请人： Yi-Chan Chen ,  Hsuan-Yin Fang

发明人： Yi-Chan Chen ,  Hsuan-Yin Fang

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/074 ,  Y02E10/50

摘要： A solar cell is provided and includes a front contact, a first conductive type layer, an intrinsic (I) layer, a second conductive type layer, and a back contact. The first conductive type layer is a material layer of low refractive index which has a refractive index lower than 3. The material layer with low refractive index was used to increase light transmittance of the solar cell and decrease reflection which occurs at interfaces in the solar cell, and thus the solar cell has an optimum sunlight utility rate. Therefore, the solar cell has a large short circuit current (Jsc) and high efficiency.

摘要翻译： 提供太阳能电池，其包括前触点，第一导电类型层，本征（I）层，第二导电类型层和背接触。 第一导电型层是折射率低于3的低折射率材料层。使用低折射率的材料层来增加太阳能电池的透光率并减少在太阳能电池的界面处发生的反射 ，因此太阳能电池具有最佳的太阳能利用率。 因此，太阳能电池具有大的短路电流（Jsc）和高效率。

公开(公告)号：US20100047960A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12611066

申请日：2009-11-02

申请人： Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang

发明人： Yi-Chan Chen ,  Wen-Han Wang

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

摘要： A phase-change memory comprises a bottom electrode formed on a substrate. A first isolation layer is formed on the bottom electrode. A top electrode is formed on the isolation layer. A first phase-change material is formed in the first isolation layer, wherein the top electrode and the bottom electrode are electrically connected via the first phase-change material. Since the phase-change material can have a diameter less than the resolution limit of the photolithography process, an operating current for a state conversion of the phase-change material pattern may be reduced so as to decrease a power dissipation of the phase-change memory device.

摘要翻译： 相变存储器包括形成在基板上的底部电极。 在底部电极上形成第一隔离层。 顶部电极形成在隔离层上。 第一相变材料形成在第一隔离层中，其中顶部电极和底部电极经由第一相变材料电连接。 由于相变材料的直径可以小于光刻工艺的分辨率极限，所以可以减小相变材料图案的状态转换的工作电流，从而降低相变存储器的功耗 设备。