公开(公告)号：US07807989B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US12213234

申请日：2008-06-17

申请人： Tae-yon Lee ,  Ki-joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-kyu Kim

发明人： Tae-yon Lee ,  Ki-joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-kyu Kim

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

摘要： Provided is a phase-change memory using a single-element semimetallic thin film. The device includes a storage node having a phase-change material layer and a switching element connected to the storage node, wherein the storage node includes a single-element semimetallic thin film which is formed between an upper electrode and a lower electrode. Thus, the write speed of the phase-change memory can be increased compared with the case of a Ge—Sb—Te (GST) based material.

摘要翻译： 提供了使用单元件半金属薄膜的相变存储器。 该装置包括具有相变材料层和连接到存储节点的开关元件的存储节点，其中存储节点包括形成在上电极和下电极之间的单元件半金属薄膜。 因此，与基于Ge-Sb-Te（GST）的材料的情况相比，可以提高相变存储器的写入速度。

公开(公告)号：US07573058B2

公开(公告)日：2009-08-11

申请号：US11509001

申请日：2006-08-24

申请人： Jin-seo Noh ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang

发明人： Jin-seo Noh ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change memory device includes a switch and a storage node connected to the switch. The storage node includes a first electrode, a phase change layer and a second electrode. The phase change layer is formed of an InSbTe compound doped with Ge. In a method of operating a phase change memory including a switch and a storage node, the switch is maintained in an on state, and a first current is applied to the storage node.

摘要翻译： 相变存储器件包括开关和连接到开关的存储节点。 存储节点包括第一电极，相变层和第二电极。 相变层由掺杂有Ge的InSbTe化合物形成。 在操作包括开关和存储节点的相变存储器的方法中，将开关保持在接通状态，并且将第一电流施加到存储节点。

公开(公告)号：US20070170881A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11509001

申请日：2006-08-24

申请人： Jin-seo Noh ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang

发明人： Jin-seo Noh ,  Ki-joon Kim ,  Yoon-ho Khang

IPC分类号： H02H7/08

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A phase change memory device includes a switch and a storage node connected to the switch. The storage node includes a first electrode, a phase change layer and a second electrode. The phase change layer is formed of an InSbTe compound doped with Ge. In a method of operating a phase change memory including a switch and a storage node, the switch is maintained in an on state, and a first current is applied to the storage node.

摘要翻译： 相变存储器件包括开关和连接到开关的存储节点。 存储节点包括第一电极，相变层和第二电极。 相变层由掺杂有Ge的InSbTe化合物形成。 在操作包括开关和存储节点的相变存储器的方法中，将开关保持在接通状态，并且将第一电流施加到存储节点。

公开(公告)号：US08823119B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13682737

申请日：2012-11-21

申请人： Ki-joon Kim ,  Hyung-joon Kwon

发明人： Ki-joon Kim ,  Hyung-joon Kwon

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic body structure including: a magnetic layer pattern; and a conductive pattern including a metallic glass alloy and covering at least a portion of the magnetic body structure.

摘要翻译： 一种磁体结构，包括：磁性层图案; 以及包括金属玻璃合金并覆盖至少一部分磁体结构的导电图案。

公开(公告)号：US20080173860A1

公开(公告)日：2008-07-24

申请号：US12007014

申请日：2008-01-04

申请人： Woong-chul Shin ,  Ki-joon Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Hyo-sug Lee

发明人： Woong-chul Shin ,  Ki-joon Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Hyo-sug Lee

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

摘要： Provided are a phase change memory device and a method of fabricating the same. The phase change memory device including a phase change layer in a storage node thereof includes: a bottom electrode; a bottom electrode contact layer formed of a phase change material disposed on the bottom electrode; a first phase change layer having a smaller width than the bottom electrode contact layer, disposed on the bottom electrode contact layer; a second phase change layer having a larger width than the first phase change layer, disposed on the first phase change layer; and a upper electrode disposed on the second phase change layer.

摘要翻译： 提供一种相变存储器件及其制造方法。 包括其存储节点中的相变层的相变存储器件包括：底部电极; 由设置在所述底部电极上的相变材料形成的底部电极接触层; 设置在底部电极接触层上的具有比底部电极接触层更小的宽度的第一相变层; 设置在所述第一相变层上的具有比所述第一相变层宽的宽度的第二相变层; 以及设置在第二相变层上的上电极。

公开(公告)号：US20130234267A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13682737

申请日：2012-11-21

申请人： Ki-joon Kim ,  Hyung-joon Kwon

发明人： Ki-joon Kim ,  Hyung-joon Kwon

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic body structure including: a magnetic layer pattern; and a conductive pattern including a metallic glass alloy and covering at least a portion of the magnetic body structure.

摘要翻译： 一种磁体结构，包括：磁性层图案; 以及包括金属玻璃合金并覆盖至少一部分磁体结构的导电图案。

公开(公告)号：US07821485B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11245279

申请日：2005-10-06

申请人： Ki-joon Kim

发明人： Ki-joon Kim

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G09G3/3688 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2330/023

摘要： A source driver output circuit of a thin film transistor (TFT) liquid crystal display (LCD) includes first through n-th voltage generators, first through n-th switching portions, first through n-th sub switching portions, and a switching circuit. The voltage generators receive first through n-th corresponding input voltages and generate first through n-th sub input voltages. The switching portions generate the sub input voltages as first through n-th corresponding output voltages when activated, or cut off the sub input voltages when deactivated. The sub switching portions connect predetermined share lines to the output voltages when activated, or cut off the predetermined share lines when deactivated. The switching circuit maintains each of the share line voltages equally at an intermediate voltage level that is between the share line voltages. Therefore, the slew rate of a signal input to the panel from the source driver can be improved, and current consumption in the source driver can be reduced.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）液晶显示器（LCD）的源极驱动器输出电路包括第一至第n电压发生器，第一至第n开关部分，第一至第N子切换部分和开关电路。 电压发生器接收第一至第n对应的输入电压，并产生第一至第n子输入电压。 开关部分在激活时产生作为第一至第n对应的输出电压的子输入电压，或者在去激活时切断子输入电压。 子开关部分在激活时将预定的共享线路连接到输出电压，或者在停用时切断预定共享线路。 开关电路将共享线路电压中的每一个均等于在共享线路电压之间的中间电压电平。 因此，可以提高从源极驱动器输入到面板的信号的转换速率，并且可以减少源极驱动器中的电流消耗。

公开(公告)号：US20060071898A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US11245279

申请日：2005-10-06

申请人： Ki-joon Kim

发明人： Ki-joon Kim

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G09G3/3688 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2330/023

摘要： A source driver output circuit of a thin film transistor (TFT) liquid crystal display (LCD) includes first through n-th voltage generators, first through n-th switching portions, first through n-th sub switching portions, and a switching circuit. The voltage generators receive first through n-th corresponding input voltages and generate first through n-th sub input voltages. The switching portions generate the sub input voltages as first through n-th corresponding output voltages when activated, or cut off the sub input voltages when deactivated. The sub switching portions connect predetermined share lines to the output voltages when activated, or cut off the predetermined share lines when deactivated. The switching circuit maintains each of the share line voltages equally at an intermediate voltage level that is between the share line voltages. Therefore, the slew rate of a signal input to the panel from the source driver can be improved, and current consumption in the source driver can be reduced.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）液晶显示器（LCD）的源极驱动器输出电路包括第一至第n电压发生器，第一至第n开关部分，第一至第N子切换部分和开关电路。 电压发生器接收第一至第n对应的输入电压，并产生第一至第n子输入电压。 开关部分在激活时产生作为第一至第n对应的输出电压的子输入电压，或者在去激活时切断子输入电压。 子开关部分在激活时将预定的共享线路连接到输出电压，或者在停用时切断预定共享线路。 开关电路将共享线路电压中的每一个均等于在共享线路电压之间的中间电压电平。 因此，可以提高从源极驱动器输入到面板的信号的转换速率，并且可以减少源极驱动器中的电流消耗。

公开(公告)号：US06954192B2

公开(公告)日：2005-10-11

申请号：US10283974

申请日：2002-10-30

申请人： Ki-joon Kim

发明人： Ki-joon Kim

IPC分类号： G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC分类号： G09G3/3688 ,  G09G2310/0248 ,  G09G2330/023

摘要： A source driver output circuit of a thin film transistor (TFT) liquid crystal display (LCD) includes first through n-th voltage generators, first through n-th switching portions, first through n-th sub switching portions, and a voltage-generating portion. The voltage generators receive first through n-th corresponding input voltages and generate first through n-th sub input voltages. The switching portions generate the sub input voltages as first through n-th corresponding output voltages when activated, or cut off the sub input voltages when deactivated. The sub switching portions connect predetermined share lines to the output voltages when activated, or cut off the predetermined share lines when deactivated. The voltage-generating portion receives predetermined first and second voltages and applies predetermined precharge voltages to the share lines. Therefore, the slew rate of a signal input to the panel from the source driver can be improved, and current consumption in the source driver can be reduced.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）液晶显示器（LCD）的源极驱动器输出电路包括第一至第n电压发生器，第一至第n开关部分，第一至第N子切换部分和产生电压 一部分。 电压发生器接收第一至第n对应的输入电压，并产生第一至第n子输入电压。 开关部分在激活时产生作为第一至第n对应的输出电压的子输入电压，或者在去激活时切断子输入电压。 子开关部分在激活时将预定的共享线路连接到输出电压，或者在停用时切断预定共享线路。 电压产生部分接收预定的第一和第二电压并且向共享线路施加预定的预充电电压。 因此，可以提高从源极驱动器输入到面板的信号的转换速率，并且可以减少源极驱动器中的电流消耗。