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    MAGNETIC DEVICE
    2.
    发明申请
    MAGNETIC DEVICE 有权
    磁性装置

    公开(公告)号：US20130234267A1

    公开(公告)日：2013-09-12

    申请号：US13682737

    申请日：2012-11-21

    申请人： Ki-joon Kim ,  Hyung-joon Kwon

    发明人： Ki-joon Kim ,  Hyung-joon Kwon

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： A magnetic body structure including: a magnetic layer pattern; and a conductive pattern including a metallic glass alloy and covering at least a portion of the magnetic body structure.

    摘要翻译： 一种磁体结构，包括：磁性层图案; 以及包括金属玻璃合金并覆盖至少一部分磁体结构的导电图案。

    Phase-change memory using single element semimetallic layer
    3.
    发明授权
    Phase-change memory using single element semimetallic layer 有权
    使用单元素半金属层的相变存储器

    公开(公告)号：US07807989B2

    公开(公告)日：2010-10-05

    申请号：US12213234

    申请日：2008-06-17

    申请人： Tae-yon Lee ,  Ki-joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-kyu Kim

    发明人： Tae-yon Lee ,  Ki-joon Kim ,  Jun-ho Lee ,  Cheol-kyu Kim

    IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/148

    摘要： Provided is a phase-change memory using a single-element semimetallic thin film. The device includes a storage node having a phase-change material layer and a switching element connected to the storage node, wherein the storage node includes a single-element semimetallic thin film which is formed between an upper electrode and a lower electrode. Thus, the write speed of the phase-change memory can be increased compared with the case of a Ge—Sb—Te (GST) based material.

    摘要翻译： 提供了使用单元件半金属薄膜的相变存储器。 该装置包括具有相变材料层和连接到存储节点的开关元件的存储节点，其中存储节点包括形成在上电极和下电极之间的单元件半金属薄膜。 因此，与基于Ge-Sb-Te（GST）的材料的情况相比，可以提高相变存储器的写入速度。

    Storage nodes, phase change memory devices, and methods of manufacturing the same
    5.
    发明授权
    Storage nodes, phase change memory devices, and methods of manufacturing the same 有权
    存储节点，相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US07696507B2

    公开(公告)日：2010-04-13

    申请号：US11907844

    申请日：2007-10-18

    申请人： Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

    发明人： Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim ,  Dong-seok Suh

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

    摘要： A storage node may include a bottom electrode contact layer, a phase change layer connected to the bottom electrode contact layer, and a top electrode layer connected to the phase change layer. The bottom electrode contact layer may protrude toward the phase change layer. A phase change memory device may include a switching device and the storage node. The switching device may be connected to the bottom electrode contact layer. A method of manufacturing the storage node may include forming a via hole in an insulating interlayer, at least partially filling the via hole to form a bottom electrode contact layer, protruding the bottom electrode contact layer from the via hole, and forming a phase change layer that covers the bottom electrode contact layer. A method of manufacturing a phase change memory device may include forming the switching device on a substrate and manufacturing the storage node.

    摘要翻译： 存储节点可以包括底部电极接触层，连接到底部电极接触层的相变层和连接到相变层的顶部电极层。 底部电极接触层可以向相变层突出。 相变存储器件可以包括切换装置和存储节点。 开关器件可以连接到底部电极接触层。 制造存储节点的方法可以包括在绝缘中间层中形成通孔，至少部分地填充通孔以形成底电极接触层，从底孔电极接触层从通孔突出，并形成相变层 覆盖底部电极接触层。 相变存储器件的制造方法可以包括在基板上形成开关器件并制造存储节点。

    Phase change memory device and method of fabricating the same
    6.
    发明申请
    Phase change memory device and method of fabricating the same 审中-公开
    相变存储器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20080173860A1

    公开(公告)日：2008-07-24

    申请号：US12007014

    申请日：2008-01-04

    申请人： Woong-chul Shin ,  Ki-joon Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Hyo-sug Lee

    发明人： Woong-chul Shin ,  Ki-joon Kim ,  Ji-hyun Hur ,  Hyo-sug Lee

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1683

    摘要： Provided are a phase change memory device and a method of fabricating the same. The phase change memory device including a phase change layer in a storage node thereof includes: a bottom electrode; a bottom electrode contact layer formed of a phase change material disposed on the bottom electrode; a first phase change layer having a smaller width than the bottom electrode contact layer, disposed on the bottom electrode contact layer; a second phase change layer having a larger width than the first phase change layer, disposed on the first phase change layer; and a upper electrode disposed on the second phase change layer.

    摘要翻译： 提供一种相变存储器件及其制造方法。 包括其存储节点中的相变层的相变存储器件包括：底部电极; 由设置在所述底部电极上的相变材料形成的底部电极接触层; 设置在底部电极接触层上的具有比底部电极接触层更小的宽度的第一相变层; 设置在所述第一相变层上的具有比所述第一相变层宽的宽度的第二相变层; 以及设置在第二相变层上的上电极。

    Method of operating a phase-change memory device
    9.
    发明申请
    Method of operating a phase-change memory device 有权
    操作相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20090141546A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：US12081451

    申请日：2008-04-16

    申请人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

    发明人： Cheol-kyu Kim ,  Yoon-ho Khang ,  Ki-joon Kim

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004

    摘要： A method of operating a phase-change memory device including a phase-change layer and a unit applying a voltage to the phase-change layer is provided. The method includes applying a reset voltage to the phase-change layer, wherein the reset voltage includes at least two pulse voltages which are continuously applied.

    摘要翻译： 提供一种操作包括相变层和向相变层施加电压的单元的相变存储器件的方法。 该方法包括将复位电压施加到相变层，其中复位电压包括连续施加的至少两个脉冲电压。