公开(公告)号：US20120241881A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13310154

申请日：2011-12-02

申请人： Tadaomi DAIBOU ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

发明人： Tadaomi DAIBOU ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L43/10

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US20130249028A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13623306

申请日：2012-09-20

申请人： Chikayoshi KAMATA ,  Minoru Amano ,  Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito

发明人： Chikayoshi KAMATA ,  Minoru Amano ,  Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A method of fabricating a magnetic memory according to an embodiment includes: forming a separation layer on a first substrate; sequentially forming a first ferromagnetic layer, a first nonmagnetic layer, and a second ferromagnetic layer on the separation layer, at least one of the first and the second ferromagnetic layers having a single crystal structure; forming a first conductive bonding layer on the second ferromagnetic layer; forming a second conductive bonding layer on a second substrate, on which a transistor and a wiring are formed, the second conductive bonding layer electrically connecting to the transistor; arranging the first and second substrate so that the first conductive bonding layer and the second conductive bonding layer are opposed to each other, and bonding the first and the second conductive bonding layers to each other; and separating the first substrate from the first ferromagnetic layer by using the separation layer.

摘要翻译： 根据实施例的制造磁存储器的方法包括：在第一基板上形成分离层; 在分离层上顺序地形成第一铁磁层，第一非磁性层和第二铁磁层，第一和第二铁磁层中的至少一个具有单晶结构; 在所述第二铁磁层上形成第一导电接合层; 在其上形成有晶体管和布线的第二基板上形成第二导电接合层，所述第二导电接合层电连接到所述晶体管; 布置第一和第二基板，使得第一导电接合层和第二导电接合层彼此相对，并且将第一和第二导电接合层彼此接合; 以及通过使用所述分离层将所述第一基板与所述第一铁磁层分离。

公开(公告)号：US08680632B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13310154

申请日：2011-12-02

申请人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

发明人： Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito ,  Tadashi Kai ,  Minoru Amano ,  Hiroaki Yoda ,  Terunobu Miyazaki ,  Shigemi Mizukami ,  Koji Ando ,  Kay Yakushiji ,  Shinji Yuasa ,  Hitoshi Kubota ,  Akio Fukushima ,  Taro Nagahama ,  Takahide Kubota

IPC分类号： H01L29/82 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L23/528 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A magnetoresistive element according to an embodiment includes: a base layer; a first magnetic layer formed on the base layer, and including a first magnetic film having an axis of easy magnetization in a direction perpendicular to a film plane, the first magnetic film including MnxGa100-x (45≦x

摘要翻译： 根据实施例的磁阻元件包括：基底层; 第一磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第一磁性膜，所述第一磁性膜包括Mn x Ga 100-x（45≤n1E; x <64原子％）; 形成在第一磁性层上的第一非磁性层; 以及形成在所述第一非磁性层上的第二磁性层，并且包括在垂直于膜平面的方向上具有容易磁化的轴的第二磁性膜，所述第二磁性膜包括MnyGa100-y（45＆lt; IL1; y <64原子％）， 。 第一和第二磁性层包括彼此不同的Mn组成比，第一磁性层的磁化方向可以通过第一非磁性层在第一磁性层和第二磁性层之间流动的电流而改变。

公开(公告)号：US08841139B2

公开(公告)日：2014-09-23

申请号：US13623306

申请日：2012-09-20

申请人： Chikayoshi Kamata ,  Minoru Amano ,  Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito

发明人： Chikayoshi Kamata ,  Minoru Amano ,  Tadaomi Daibou ,  Junichi Ito

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/302 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： A method of fabricating a magnetic memory according to an embodiment includes: forming a separation layer on a first substrate; sequentially forming a first ferromagnetic layer, a first nonmagnetic layer, and a second ferromagnetic layer on the separation layer, at least one of the first and the second ferromagnetic layers having a single crystal structure; forming a first conductive bonding layer on the second ferromagnetic layer; forming a second conductive bonding layer on a second substrate, on which a transistor and a wiring are formed, the second conductive bonding layer electrically connecting to the transistor; arranging the first and second substrate so that the first conductive bonding layer and the second conductive bonding layer are opposed to each other, and bonding the first and the second conductive bonding layers to each other; and separating the first substrate from the first ferromagnetic layer by using the separation layer.

摘要翻译： 根据实施例的制造磁存储器的方法包括：在第一基板上形成分离层; 在分离层上顺序地形成第一铁磁层，第一非磁性层和第二铁磁层，第一和第二铁磁层中的至少一个具有单晶结构; 在所述第二铁磁层上形成第一导电接合层; 在其上形成有晶体管和布线的第二基板上形成第二导电接合层，所述第二导电接合层电连接到所述晶体管; 布置第一和第二基板，使得第一导电接合层和第二导电接合层彼此相对，并且将第一和第二导电接合层彼此接合; 以及通过使用所述分离层将所述第一基板与所述第一铁磁层分离。

公开(公告)号：US20110244688A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US12873652

申请日：2010-09-01

申请人： Yuichi OHSAWA ,  Junichi Ito ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

发明人： Yuichi OHSAWA ,  Junichi Ito ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method of producing a mask includes: a step of forming a pattern on a substrate; a step of forming a first film that covers the top surface and side surface of the pattern and contains a first material; a step of forming a second film containing a second material on the first film; a step of performing anisotropic etching of the first and second films in a way that forms a sidewall layer including the first and second films on the side surface of the pattern and removes the first and second films on any location other than the sidewall layer; a step of performing isotropic etching of the first film of the sidewall layer; and a step of removing the pattern.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造掩模的方法包括：在基板上形成图案的步骤; 形成覆盖图案的顶表面和侧表面并包含第一材料的第一膜的步骤; 在所述第一膜上形成含有第二材料的第二膜的步骤; 以在图案的侧表面上形成包括第一和第二膜的侧壁层的方式进行第一和第二膜的各向异性蚀刻的步骤，并且除了侧壁层之外的任何位置去除第一和第二膜; 对侧壁层的第一膜进行各向同性蚀刻的步骤; 以及去除图案的步骤。

公开(公告)号：US08419412B2

公开(公告)日：2013-04-16

申请号：US13422897

申请日：2012-03-16

申请人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Tomotaka Ariga ,  Yoshinari Kurosaki ,  Saori Kashiwada

发明人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Tomotaka Ariga ,  Yoshinari Kurosaki ,  Saori Kashiwada

IPC分类号： B29C59/00

CPC分类号： B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  Y10T428/24355

摘要： According to one embodiment, a nano-imprint mold includes plural pairs of first and second protrusions formed on a base layer, each of which is formed along the same straight line. Each protrusion has a top surface and four side surfaces. The first and second protrusions are mirror-symmetrical with each other. A first side surface of the first protrusion and a second side surface of the second protrusion face each other. A first angle between the first side surface or the second side surface and a main surface of the base layer is not less than 85° and not more than 90°. A second angle between a third side surface in the first protrusion or a fourth side surface in the second protrusion and the main surface of the base layer is not less than 70° and not more than 88°. The first angle is larger than the second angle.

摘要翻译： 根据一个实施例，纳米压印模具包括形成在基底层上的多对第一和第二突起，其中每一个沿着相同的直线形成。 每个突起具有顶表面和四个侧表面。 第一和第二突起彼此镜像对称。 第一突起的第一侧表面和第二突起的第二侧表面彼此面对。 第一侧表面或第二侧表面与基层的主表面之间的第一角度不小于85°且不大于90°。 第一突起中的第三侧表面或第二突起中的第四侧表面与基底层的主表面之间的第二角度不小于70°且不大于88°。 第一角度大于第二角度。

公开(公告)号：US20130004724A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13613667

申请日：2012-09-13

申请人： Saori Kashiwada ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Chikayoshi Kamata ,  Yoshiyuki Kamata

发明人： Saori Kashiwada ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Chikayoshi Kamata ,  Yoshiyuki Kamata

IPC分类号： B32B3/30 ,  B32B9/04 ,  B32B17/06

CPC分类号： G11B7/261 ,  G11B7/263 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： In one embodiment, there is provided a master for producing a stamper. The master includes: a substrate made of a first material and comprising a first surface, wherein the first surface of the substrate is formed with a groove; a first layer made of a second material and formed in the groove, wherein the second material is different from the first material, and wherein a surface of the first layer is substantially flush with the first surface of substrate; and a projection portion formed on at least one of the first surface of the substrate and the surface of the first layer. The first material is silicon and the second material is selected from silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, and glass.

摘要翻译： 在一个实施例中，提供了一种用于制造压模的主机。 主机包括：由第一材料制成并包括第一表面的基板，其中基板的第一表面形成有凹槽; 由第二材料制成并形成在所述凹槽中的第一层，其中所述第二材料与所述第一材料不同，并且其中所述第一层的表面基本上与所述基板的第一表面齐平; 以及形成在所述基板的第一表面和所述第一层的表面中的至少一个上的突出部。 第一种材料是硅，第二种材料选自氧化硅，氧化铝，氧化钛和玻璃。

公开(公告)号：US20120196084A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13422897

申请日：2012-03-16

申请人： Yuichi OHSAWA ,  Junichi Ito ,  Tomotaka Ariga ,  Yoshinari Kurosaki ,  Saori Kashiwada

发明人： Yuichi OHSAWA ,  Junichi Ito ,  Tomotaka Ariga ,  Yoshinari Kurosaki ,  Saori Kashiwada

IPC分类号： B29C59/02 ,  B32B3/10 ,  B82Y40/00

CPC分类号： B29C59/022 ,  B29C2059/023 ,  Y10T428/24355

摘要： According to one embodiment, a nano-imprint mold includes plural pairs of first and second protrusions formed on a base layer, each of which is formed along the same straight line. Each protrusion has a top surface and four side surfaces. The first and second protrusions are mirror-symmetrical with each other. A first side surface of the first protrusion and a second side surface of the second protrusion face each other. A first angle between the first side surface or the second side surface and a main surface of the base layer is not less than 85° and not more than 90°. A second angle between a third side surface in the first protrusion or a fourth side surface in the second protrusion and the main surface of the base layer is not less than 70° and not more than 88°. The first angle is larger than the second angle.

摘要翻译： 根据一个实施例，纳米压印模具包括形成在基底层上的多对第一和第二突起，其中每一个沿着相同的直线形成。 每个突起具有顶表面和四个侧表面。 第一和第二突起彼此镜像对称。 第一突起的第一侧表面和第二突起的第二侧表面彼此面对。 第一侧表面或第二侧表面与基层的主表面之间的第一角度不小于85°且不大于90°。 第一突起中的第三侧表面或第二突起中的第四侧表面与基底层的主表面之间的第二角度不小于70°且不大于88°。 第一角度大于第二角度。

公开(公告)号：US08080478B2

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：US12873652

申请日：2010-09-01

申请人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

发明人： Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Saori Kashiwada ,  Chikayoshi Kamata

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/0337 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a method of producing a mask includes: a step of forming a pattern on a substrate; a step of forming a first film that covers the top surface and side surface of the pattern and contains a first material; a step of forming a second film containing a second material on the first film; a step of performing anisotropic etching of the first and second films in a way that forms a sidewall layer including the first and second films on the side surface of the pattern and removes the first and second films on any location other than the sidewall layer; a step of performing isotropic etching of the first film of the sidewall layer; and a step of removing the pattern.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造掩模的方法包括：在基板上形成图案的步骤; 形成覆盖图案的顶表面和侧表面并包含第一材料的第一膜的步骤; 在所述第一膜上形成含有第二材料的第二膜的步骤; 以在图案的侧表面上形成包括第一和第二膜的侧壁层的方式进行第一和第二膜的各向异性蚀刻的步骤，并且除了侧壁层之外的任何位置去除第一和第二膜; 对侧壁层的第一膜进行各向同性蚀刻的步骤; 以及去除图案的步骤。

公开(公告)号：US08716817B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13416724

申请日：2012-03-09

申请人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Hiroaki Yoda

发明人： Daisuke Saida ,  Minoru Amano ,  Yuichi Ohsawa ,  Junichi Ito ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01F10/3286 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory element includes a stacked body including first and second stacked units stacked with each other. The first stacked unit includes first and second ferromagnetic layers and a first nonmagnetic layer provided therebetween. The second stacked unit includes third and fourth ferromagnetic layers and a second nonmagnetic layer provided therebetween. Magnetization of the second and third ferromagnetic layers are variable. Magnetizations of the first and fourth ferromagnetic layers are fixed in a direction perpendicular to the layer surfaces. A cross-sectional area of the third ferromagnetic layer is smaller than a cross-sectional area of the first stacked unit when cut along a plane perpendicular to the stacking direction.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁存储元件包括堆叠体，其包括彼此堆叠的第一和第二堆叠单元。 第一堆叠单元包括第一和第二铁磁层和设置在它们之间的第一非磁性层。 第二堆叠单元包括第三和第四铁磁层和设置在它们之间的第二非磁性层。 第二和第三铁磁层的磁化是可变的。 第一和第四铁磁层的磁化在垂直于层表面的方向固定。 当沿垂直于堆叠方向的平面切割时，第三铁磁层的横截面面积小于第一堆叠单元的横截面面积。