公开(公告)号：US07838436B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US11528877

申请日：2006-09-28

申请人： Rongfu Xiao ,  Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong ,  Chyu-Jinh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Terry Kin Ting Ko ,  Wei Cao ,  Wai-Ming J. Kan ,  Liubo Hong

发明人： Rongfu Xiao ,  Cheng T. Horng ,  Ru-Ying Tong ,  Chyu-Jinh Torng ,  Tom Zhong ,  Witold Kula ,  Terry Kin Ting Ko ,  Wei Cao ,  Wai-Ming J. Kan ,  Liubo Hong

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08

摘要： Formation of a bottom electrode for an MTJ device on a silicon nitride substrate is facilitated by including a layer of ruthenium near the silicon nitride surface. The ruthenium is a good electrical conductor and it responds differently from Ta and TaN to certain etchants. Adhesion to SiN is enhanced by using a TaN/NiCr bilayer as “glue”. Thus, said included layer of ruthenium may be used as an etch stop layer during the etching of Ta and/or TaN while the latter materials may be used to form a hard mask for etching the ruthenium without significant corrosion of the silicon nitride surface.

摘要翻译： 通过在氮化硅表面附近包括一层钌来促进在氮化硅衬底上形成用于MTJ器件的底部电极。 钌是良好的电导体，并且它对Ta和TaN的反应与某些蚀刻剂不同。 通过使用TaN / NiCr双层作为“胶”来增强对SiN的附着力。 因此，所述包含的钌层可以在蚀刻Ta和/或TaN期间用作蚀刻停止层，而后者可用于形成用于蚀刻钌的硬掩模，而不会对氮化硅表面产生显着的腐蚀。

公开(公告)号：US20090219806A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12437336

申请日：2009-05-07

申请人： Guoyi Chen ,  Wei Cao

发明人： Guoyi Chen ,  Wei Cao

IPC分类号： H04L12/26

CPC分类号： H04L45/00 ,  H04L45/16 ,  H04L45/22 ,  H04L45/28 ,  H04L69/40

摘要： A method for protecting the head node of a Point to Multipoint Label Switched Path (P2MP LSP) includes: a Backup Head Node (BHN) establishes a backup LSP from the BHN to all Merge Points (MPs), where the backup LSP bypasses a Master Head Node (MHN); the MHN forwards data along an LSP already established between the MHN and the MPs; when a head node switchover condition is met, the BHN is switched to a master mode to forward data along the backup LSP established between the BHN and the MPs. A system and apparatus for protecting the head node are also provided. With the head node protection solution provided by the present disclosure, the head node is well protected and the protection mechanisms for the P2MP LSP are therefore more complete. This can further promote the scale deployment of P2MP systems.

摘要翻译： 一种用于保护点到多点标签交换路径（P2MP LSP）的头节点的方法包括：备份头节点（BHN）建立从BHN到所有合并点（MP）的备份LSP，其中备用LSP绕过主节点 头节点（MHN）; MHN沿着已经建立在MHN和MP之间的LSP转发数据; 当满足头节点切换条件时，BHN切换到主模式，沿着BHN和MP之间建立的备份LSP转发数据。 还提供了一种用于保护头部节点的系统和装置。 利用本公开提供的头节点保护解决方案，头节点受到良好保护，因此P2MP LSP的保护机制更加完整。 这可以进一步促进P2MP系统的规模部署。

公开(公告)号：US20090197406A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12417439

申请日：2009-04-02

申请人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

发明人： Wei Cao ,  Hua Chung ,  Vincent Ku ,  Ling Chen

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C16/045 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45557 ,  H01L21/28562

摘要： Embodiments of the invention provide a method for forming tantalum nitride materials on a substrate by employing an atomic layer deposition (ALD) process. The method includes heating a tantalum precursor within an ampoule to a predetermined temperature to form a tantalum precursor gas and sequentially exposing a substrate to the tantalum precursor gas and a nitrogen precursor to form a tantalum nitride material. Thereafter, a nucleation layer and a bulk layer may be deposited on the substrate. In one example, a radical nitrogen compound may be formed from the nitrogen precursor during a plasma-enhanced ALD process. A nitrogen precursor may include nitrogen or ammonia. In another example, a metal-organic tantalum precursor may be used during the deposition process.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了一种通过采用原子层沉积（ALD）工艺在衬底上形成氮化钽材料的方法。 该方法包括将安瓿内的钽前体加热至预定温度以形成钽前体气体，并将基底依次暴露于钽前体气体和氮气前体以形成氮化钽材料。 此后，可以在基板上沉积成核层和体层。 在一个实例中，在等离子体增强的ALD工艺期间可以由氮前体形成自由基氮化合物。 氮前体可以包括氮或氨。 在另一个实例中，在沉积过程中可以使用金属 - 有机钽前体。

公开(公告)号：US07358100B2

公开(公告)日：2008-04-15

申请号：US11891923

申请日：2007-08-14

申请人： Wei Cao ,  Chyu-Jiuh Torng ,  Cheng Horng ,  Ruying Tong ,  Chen-Jung Chien ,  Liubo Hong

发明人： Wei Cao ,  Chyu-Jiuh Torng ,  Cheng Horng ,  Ruying Tong ,  Chen-Jung Chien ,  Liubo Hong

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/228

摘要： A method to fabricate an MTJ device and its connections to a CMOS integrated circuit is described. The device is built out of three layers. The bottom layer serves as a seed layer for the center layer, which is alpha tantalum, while the third, topmost, layer is selected for its smoothness, its compatibility with the inter-layer dielectric materials, and its ability to protect the underlying tantalum.

摘要翻译： 描述了一种制造MTJ器件及其与CMOS集成电路的连接的方法。 该设备由三层构建。 底层用作中心层的种子层，其为α钽，而第三最顶层选择为其平滑度，其与层间电介质材料的相容性以及其保护下面的钽的能力。

公开(公告)号：US20070284306A1

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：US11450666

申请日：2006-06-09

申请人： Wei Cao ,  Vladimir Yliy Gershtein

发明人： Wei Cao ,  Vladimir Yliy Gershtein

IPC分类号： C02F1/44

CPC分类号： B01D61/364 ,  B01D3/065

摘要： Provided is a process and apparatus for separating a multi-component feed stream wherein a porous separator is used to effectively create, via permeation and phase change, at least three fractions of differing compositions.

摘要翻译： 提供了用于分离多组分进料流的方法和装置，其中多孔分离器用于通过渗透和相变有效地产生不同组成的至少三个级分。

公开(公告)号：US20070215911A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11378555

申请日：2006-03-17

申请人： Chyu-Jiuh Torng ,  Wei Cao ,  Terry Ko

发明人： Chyu-Jiuh Torng ,  Wei Cao ,  Terry Ko

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： An MTJ MRAM cell is formed by using a reactive ion etch (RIE) to pattern an MTJ stack on which there has been formed a bilayer Ta/TaN hard mask. The hard mask is formed by patterning a masking layer that has been formed by depositing a layer of TaN over a layer of Ta on the MTJ stack. After the stack is patterned, the TaN layer serves at least two advantageous purposes: 1) it protects the Ta layer from oxidation during the etching of the stack and 2) it serves as a surface having excellent adhesion properties for a subsequently deposited dielectric layer.

摘要翻译： 通过使用反应离子蚀刻（RIE）来形成已经形成双层Ta / TaN硬掩模的MTJ叠层来形成MTJ MRAM电池。 硬掩模通过图案化掩模层而形成，该掩模层通过在MTJ堆叠上的Ta层上沉积TaN层而形成。 在堆叠被图案化之后，TaN层起至少两个有利的作用：1）它在保护叠层的过程中保护Ta层免受氧化，2）它用作随后沉积的介电层具有优异粘合性能的表面。

公开(公告)号：US07191006B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US10310702

申请日：2002-12-05

申请人： Bo Hu ,  Wei Cao ,  Allan T. Koshiol ,  James Kalgren ,  Paula Dieterle ,  Par Lindh ,  Les Peterson

发明人： Bo Hu ,  Wei Cao ,  Allan T. Koshiol ,  James Kalgren ,  Paula Dieterle ,  Par Lindh ,  Les Peterson

IPC分类号： A61B5/044

CPC分类号： A61N1/37247 ,  A61N1/08

摘要： This document describes systems, devices, and methods for programmably adjusting therapy or other operative parameter values of an implantable cardiac rhythm management device using a programmer that includes a display that graphically illustrates one or more relationship between a parameter being programmed and other parameters and/or rules governing interactions between parameters.

摘要翻译： 本文件描述了可编程地调节植入式心律管理装置的治疗或其他手术参数值的系统，装置和方法，该程序员包括图形地示出正在编程的参数和其它参数之间的一个或多个关系的显示器和/或 管理参数之间的相互作用的规则。

公开(公告)号：US20050106090A1

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：US10717050

申请日：2003-11-19

申请人： Rajiv Agarwal ,  George Ryals ,  Wei Cao ,  John Cirucci ,  Robert Apollo ,  Daniel McNesby

发明人： Rajiv Agarwal ,  George Ryals ,  Wei Cao ,  John Cirucci ,  Robert Apollo ,  Daniel McNesby

IPC分类号： B01D53/14 ,  B01D53/02 ,  B01D53/48 ,  B01J20/18 ,  C01B6/06 ,  C01B6/34 ,  C01B25/06 ,  C22B1/00 ,  B01J8/00 ,  B01J8/04 ,  C01B6/00 ,  C01B7/00 ,  C21B7/00 ,  C22B4/08

CPC分类号： C01B6/065 ,  C01B6/06 ,  C01B6/34 ,  C01B25/06

摘要： Method for the purification of a volatile metal hydride comprising obtaining a volatile metal hydride feed containing one or more acidic impurities, one of which is a sulfur-containing impurity; contacting the feed with an alkaline material and reacting at least a portion of the sulfur-containing impurity with the alkaline material to remove a portion of the sulfur-containing impurity from the feed and provide an intermediate purified material; and contacting the intermediate purified product with an adsorbent material to remove at least a portion of the sulfur-containing impurity from the intermediate purified material and provide a purified volatile metal hydride product.

摘要翻译： 用于纯化挥发性金属氢化物的方法，包括获得含有一种或多种酸性杂质的挥发性金属氢化物原料，其中一种是含硫杂质; 使进料与碱性材料接触并使至少一部分含硫杂质与碱性材料反应，以从进料中除去一部分含硫杂质并提供中间纯化材料; 并使中间纯化产物与吸附材料接触，以从中间纯化材料中除去至少一部分含硫杂质，并提供纯化的挥发性金属氢化物产物。

公开(公告)号：US20050074968A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：US10693775

申请日：2003-10-25

申请人： Ling Chen ,  Seshadri Ganguli ,  Wei Cao ,  Christophe Marcadal

发明人： Ling Chen ,  Seshadri Ganguli ,  Wei Cao ,  Christophe Marcadal

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/76844 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76865

摘要： A method of forming barrier layers in a via hole extending through an inter-level dielectric layer and including a preformed first barrier coated onto the bottom and sidewalls of the via holes. In a single plasma sputter reactor, a first step sputters the wafer rather than the target with high energy ions to remove the barrier layer from the bottom of the via but not from the sidewalls and a second step sputter deposits a second barrier layer, for example of Ta/TaN, onto the via bottom and sidewalls. The two steps may be differentiated by power applied to the target, by chamber pressure, or by wafer bias. The second step may include the simultaneous removal of the first barrier layer from the via bottom and sputter deposition of the second barrier layer onto the via sidewalls.

摘要翻译： 在穿过层间电介质层的通孔中形成阻挡层的方法，包括涂覆在通孔的底部和侧壁上的预先形成的第一屏障。 在单个等离子体溅射反应器中，第一步骤以高能离子将晶片而不是目标物喷射，以从通孔的底部除去阻挡层，而不是从侧壁排出，第二步骤溅射沉积第二阻挡层，例如 的Ta / TaN，通过底部和侧壁。 这两个步骤可以通过施加到靶，通过室压力或通过晶片偏置的功率来区分。 第二步骤可以包括从通孔底部同时移除第一阻挡层并将第二阻挡层溅射到通孔侧壁上。

公开(公告)号：US20150011429A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：US14369448

申请日：2012-08-06

申请人： Helen Zhang ,  Luyi Zhang ,  Wei Cao

发明人： Helen Zhang ,  Luyi Zhang ,  Wei Cao

IPC分类号： C12N5/071 ,  C12N5/00

CPC分类号： C12N5/0626 ,  A01N1/021 ,  C12N5/0037 ,  C12N2501/999

摘要： Disclosed is a serum-free freezing medium used in adipose-derived stem cells and a method for establishing an adipose-derived stem cell library. The serum-free freezing medium comprises a serum-free culture medium, dimethyl sulfoxide and a serum substitution component KSR; the defects of unstable freezing quality of the adipose-derived stem cells and influence of harmful factors in serum on the adipose-derived stem cells are solved, and the adipose-derived stem cells stored have the advantages of high survival percentage, well adherence growth and strong differentiation capacity.

摘要翻译： 公开了用于脂肪来源的干细胞的无血清冷冻培养基和建立脂肪来源的干细胞文库的方法。 无血清冷冻培养基包含无血清培养基，二甲基亚砜和血清替代成分KSR; 解决了脂肪干细胞不稳定冻结质量缺陷和血清中有害因素对脂肪干细胞的影响，储存的脂肪干细胞具有生存率高，附着力增长和 强分化能力。