公开(公告)号：USD559064S1

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US29213407

申请日：2004-09-17

申请人： Takahiro Okamoto ,  Hiroshi Shiho

设计人： Takahiro Okamoto ,  Hiroshi Shiho

公开(公告)号：US06485838B1

公开(公告)日：2002-11-26

申请号：US09574070

申请日：2000-05-18

申请人： Mibuko Shimada ,  Toshinori Sakagami ,  Yuichi Hashiguchi ,  Hiroshi Shiho

发明人： Mibuko Shimada ,  Toshinori Sakagami ,  Yuichi Hashiguchi ,  Hiroshi Shiho

IPC分类号： B32B900

CPC分类号： C09D183/04 ,  C03C17/30 ,  Y10T428/31612 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31957 ,  C08L2666/04 ,  C08L2666/14

摘要： A coated film and a coated glass improved in the resistance to fouling derived from water and oil repellency, and in the durability, the abrasion resistance, and the exfoliation of stacked outer layer, are provided by a specific coating composition having at least one component (a) selected from organosilanes, hydrolyzates of the organosilanes, and condensates of the organosilanes, and component (b) containing a silyl group wherein one of silicon atoms bonded with a hydrolytic group and/or a hydroxy group.

摘要翻译： 通过具有至少一种组分的具体涂料组合物提供涂覆膜和涂覆玻璃，其耐水拒斥性抵抗结垢，耐久性，耐磨性和层压外层的剥离， a）选自有机硅烷，有机硅烷的水解产物和有机硅烷的缩合物，以及含有甲硅烷基的组分（b），其中与水解基团和/或羟基键合的硅原子之一。

公开(公告)号：USD560457S1

公开(公告)日：2008-01-29

申请号：US29225832

申请日：2005-03-22

申请人： Hiroyuki Miyauchi ,  Hiroshi Shiho

设计人： Hiroyuki Miyauchi ,  Hiroshi Shiho

公开(公告)号：US20060185712A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11404921

申请日：2006-04-17

申请人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato

发明人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L31/1804 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/228 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A silane composition for preparing a semiconductor thin films of a solar cell is disclosed. The silane composition contains a polysilane compound represented by the formula SinRm (n is an integer of 3 or more, m is an integer of n to (2n+2) and an m number of R's are each independently a hydrogen atom, alkyl group, phenyl group or halogen atom, with the proviso that when all the m number of R's are hydrogen atoms and m=2n, n is an integer of 7 or more), and at least one silane compound selected from cyclopentasilane, cyclohexasilane and silylcyclopentasilane.

公开(公告)号：US07067069B2

公开(公告)日：2006-06-27

申请号：US10216790

申请日：2002-08-13

申请人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato

发明人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato

IPC分类号： C23C18/12 ,  H01L31/028

CPC分类号： H01L31/1804 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/228 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A silane composition for preparing a semiconductor thin films of a solar cell is disclosed. The silane composition contains a polysilane compound represented by the formula SinRm (n is an integer of 3 or more, m is an integer of n to (2n+2) and an m number of R's are each independently a hydrogen atom, alkyl group, phenyl group or halogen atom, with the proviso that when all the m number of R's are hydrogen atoms and m=2n, n is an integer of 7 or more), and at least one silane compound selected from cyclopentasilane, cyclohexasilane and silylcyclopentasilane.

摘要翻译： 公开了一种用于制备太阳能电池的半导体薄膜的硅烷组合物。 硅烷组合物含有下式表示的聚硅烷化合物（n为3以上的整数，m为n〜（2n + 2）的整数 ）和m个R各自独立地为氢原子，烷基，苯基或卤素原子，条件是当全部m个R为氢原子且m = 2n时，n为7以上的整数 ）和至少一种选自环戊硅烷，环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷的硅烷化合物。

公开(公告)号：USD592029S1

公开(公告)日：2009-05-12

申请号：US29295291

申请日：2007-09-25

申请人： Hiroyuki Tano ,  Hiroshi Shiho

设计人： Hiroyuki Tano ,  Hiroshi Shiho

公开(公告)号：USD576855S1

公开(公告)日：2008-09-16

申请号：US29295220

申请日：2007-09-24

申请人： Takahiro Okamoto ,  Hiroshi Shiho

设计人： Takahiro Okamoto ,  Hiroshi Shiho

公开(公告)号：USD559063S1

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US29213405

申请日：2004-09-17

申请人： Takahiro Okamoto ,  Hiroshi Shiho

设计人： Takahiro Okamoto ,  Hiroshi Shiho

公开(公告)号：US07173180B2

公开(公告)日：2007-02-06

申请号：US11404921

申请日：2006-04-17

申请人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato

发明人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato

IPC分类号： H01L31/0256

CPC分类号： H01L31/1804 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/228 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A silane composition for preparing a semiconductor thin films of a solar cell is disclosed. The silane composition contains a polysilane compound represented by the formula SinRm (n is an integer of 3 or more, m is an integer of n to (2n+2) and an m number of R's are each independently a hydrogen atom, alkyl group, phenyl group or halogen atom, with the proviso that when all the m number of R's are hydrogen atoms and m=2n, n is an integer of 7 or more), and at least one silane compound selected from cyclopentasilane, cyclohexasilane and silylcyclopentasilane.

摘要翻译： 公开了一种用于制备太阳能电池半导体薄膜的硅烷组合物。 硅烷组合物含有下式表示的聚硅烷化合物（n为3以上的整数，m为n〜（2n + 2）的整数 ）和m个R各自独立地为氢原子，烷基，苯基或卤素原子，条件是当全部m个R为氢原子且m = 2n时，n为7以上的整数 ）和至少一种选自环戊硅烷，环己硅烷和甲硅烷基环戊硅烷的硅烷化合物。

公开(公告)号：US06806210B2

公开(公告)日：2004-10-19

申请号：US10181778

申请日：2002-07-22

申请人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato ,  Sachiko Hashimoto ,  Isamu Yonekura ,  Yasuo Matsuki

发明人： Hiroshi Shiho ,  Hitoshi Kato ,  Sachiko Hashimoto ,  Isamu Yonekura ,  Yasuo Matsuki

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01L21/02183 ,  C01G35/00 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/86 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/316

摘要： A composition for forming a high-quality tantalum film which is advantageously used as an capacitor insulating film and a process for forming the high-quality tantalum film. The composition for forming a tantalum oxide film, which comprises at least one tantalum compound selected from the group consisting of a reaction product of a compound capable of reacting with a tantalum alkoxide and a tantalum alkoxide and a hydrolyzate of the reaction product, and a solvent, and the process for forming the tantalum oxide film by applying this composition to a substrate and heating it.

摘要翻译： 用于形成有利地用作电容器绝缘膜的高品质钽膜的组合物和用于形成高品质钽膜的工艺。 用于形成钽氧化物膜的组合物，其包含至少一种钽化合物，所述钽化合物选自可与钽醇盐反应的化合物与钽醇盐的反应产物和反应产物的水解产物，以及溶剂 ，以及通过将该组合物施加到基板上并加热来形成氧化钽膜的工艺。