公开(公告)号：US20110164457A1

公开(公告)日：2011-07-07

申请号：US13064265

申请日：2011-03-15

申请人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/349

摘要： Provided is a method of operating a nonvolatile memory device to perform a programming operation or an erase operation. The method includes applying a composite pulse including a direct current (DC) pulse and an AC perturbation pulse to the nonvolatile memory device to perform the programming operation or the erase operation.

公开(公告)号：US07608852B2

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：US12005365

申请日：2007-12-27

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L27/32

CPC分类号： H01L33/34 ,  Y10S977/762

摘要： A luminous device and a method of manufacturing the luminous device are provided. The luminous device includes a light emitting layer and first and second electrodes connected to the light emitting layer. The light emitting layer is a strained nanowire.

公开(公告)号：US20090008627A1

公开(公告)日：2009-01-08

申请号：US12005365

申请日：2007-12-27

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/34 ,  Y10S977/762

摘要： A luminous device and a method of manufacturing the luminous device are provided. The luminous device includes a light emitting layer and first and second electrodes connected to the light emitting layer. The light emitting layer is a strained nanowire.

摘要翻译： 提供发光装置和制造发光装置的方法。 发光装置包括发光层和连接到发光层的第一和第二电极。 发光层是应变纳米线。

公开(公告)号：US20090121267A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12081283

申请日：2008-04-14

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai kwang Shin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L29/66984 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/401 ,  H01F1/404 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3295 ,  H01L29/82

摘要： A spin field effect transistor may include at least one gate electrode, a channel layer, a first stack and a second stack separate from each other on a substrate, wherein the channel layer is formed of a half metal. The half metal may be at least one material selected from the group consisting of chrome oxide (CrO2), magnetite (Fe3O4), a double perovskite structure material, a Heusler alloy, NiMnSb, La(1-x)AxMnO3 (A=Ca, Ba, Sr, x˜0.3), and GaN doped with Cu, and the double perovskite structure material is expressed as a chemical composition of A2BB′O6, and a material corresponding to A is Ca, Sr, or Ba, a material corresponding to B is a 3d orbital transition metal, and a material corresponding to B′ is a 4d orbital transition metal. The 3d orbital transition metal may be Fe or Co, and the 4d orbital transition metal is Mo or Re.

摘要翻译： 自旋场效应晶体管可以包括在基板上彼此分离的至少一个栅电极，沟道层，第一堆叠和第二堆叠，其中沟道层由半金属形成。 半金属可以是选自氧化铬（CrO 2），磁铁矿（Fe 3 O 4），双钙钛矿结构材料，Heusler合金，NiMnSb，La（1-x）AxMnO 3（A = Ca， Ba，Sr，x〜0.3）和掺杂有Cu的GaN，双钙钛矿结构材料表示为A2BB'O6的化学组成，对应于A的材料为Ca，Sr或Ba，与 B是3d轨道过渡金属，对应于B'的材料是4d轨道过渡金属。 3d轨道过渡金属可以是Fe或Co，4d轨道过渡金属是Mo或Re。

公开(公告)号：US20080205157A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12071961

申请日：2008-02-28

申请人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/349

摘要： Provided is a method of operating a nonvolatile memory device to perform a programming operation or an erase operation. The method includes applying a composite pulse including a direct current (DC) pulse and an AC perturbation pulse to the nonvolatile memory device to perform the programming operation or the erase operation.

摘要翻译： 提供了一种操作非易失性存储器件以执行编程操作或擦除操作的方法。 该方法包括将包括直流（DC）脉冲和AC扰动脉冲的复合脉冲施加到非易失性存储器件以执行编程操作或擦除操作。

公开(公告)号：US08293554B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12585489

申请日：2009-09-16

申请人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

发明人： Ki-ha Hong ,  Sung-hoon Lee ,  Jong-seob Kim ,  Jai-kwang Shin

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/34 ,  Y10S977/762

摘要： A luminous device and a method of manufacturing the luminous device are provided. The luminous device includes a light emitting layer and first and second electrodes connected to the light emitting layer. The light emitting layer is a strained nanowire.

摘要翻译： 提供发光装置和制造发光装置的方法。 发光器件包括发光层和连接到发光层的第一和第二电极。 发光层是应变纳米线。

公开(公告)号：US07929349B2

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US12071961

申请日：2008-02-28

申请人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

发明人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/349

摘要： Provided is a method of operating a nonvolatile memory device to perform a programming operation or an erase operation. The method includes applying a composite pulse including a direct current (DC) pulse and an AC perturbation pulse to the nonvolatile memory device to perform the programming operation or the erase operation.

摘要翻译： 提供了一种操作非易失性存储器件以执行编程操作或擦除操作的方法。 该方法包括将包括直流（DC）脉冲和AC扰动脉冲的复合脉冲施加到非易失性存储器件以执行编程操作或擦除操作。

公开(公告)号：US20080205156A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US12071960

申请日：2008-02-28

申请人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim ,  Jung-dal Choi ,  Ki-hwan Choi ,  Jae-sung Sim ,  Seung-hyun Moon

发明人： Kwang-soo Seol ,  Sang-jin Park ,  Sung-hoon Lee ,  Sung-il Park ,  Jong-seob Kim ,  Jung-dal Choi ,  Ki-hwan Choi ,  Jae-sung Sim ,  Seung-hyun Moon

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/14

摘要： Provided is a method of operating a nonvolatile memory device to perform an erase operation. The method includes applying a composite pulse including a direct current (DC) pulse and a DC perturbation pulse to the nonvolatile memory device to perform the erase operation.

摘要翻译： 提供了一种操作非易失性存储器件以执行擦除操作的方法。 该方法包括将包括直流（DC）脉冲和DC扰动脉冲的复合脉冲施加到非易失性存储器件以执行擦除操作。

公开(公告)号：US09450071B2

公开(公告)日：2016-09-20

申请号：US12923266

申请日：2010-09-13

申请人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

发明人： Ki-ha Hong ,  Jong-seob Kim ,  Jae-joon Oh ,  Jai-kwang Shin ,  Hyuk-soon Choi ,  In-jun Hwang ,  Ho-jung Kim

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7787

摘要： Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing the same are provided, the field effect semiconductor devices include a second semiconductor layer on a first surface of a first semiconductor layer, a first and a second third semiconductor layer respectively on two sides of the second semiconductor layer, a source and a drain respectively on the first and second third semiconductor layer, and a gate electrode on a second surface of the first semiconductor layer.

摘要翻译： 提供了场效应半导体器件及其制造方法，场效应半导体器件包括在第一半导体层的第一表面上的第二半导体层，以及分别在第二半导体层的两侧上的第一和第二第三半导体层 ，分别在第一和第二第三半导体层上的源极和漏极，以及在第一半导体层的第二表面上的栅电极。

公开(公告)号：US09443968B2

公开(公告)日：2016-09-13

申请号：US13096573

申请日：2011-04-28

申请人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

发明人： In-jun Hwang ,  Jai-kwang Shin ,  Jae-joon Oh ,  Jong-seob Kim ,  Hyuk-soon Choi ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787

摘要： High electron mobility transistors (HEMTs) including lightly doped drain (LDD) regions and methods of manufacturing the same. A HEMT includes a source, a drain, a gate, a channel supplying layer for forming at least a 2-dimensional electron gas (2DEG) channel, and a channel formation layer in which at least the 2DEG channel is formed. The channel supplying layer includes a plurality of semiconductor layers having different polarizabilities. A portion of the channel supplying layer is recessed. One of the plurality of semiconductor layers, which is positioned below an uppermost layer is an etching buffer layer, as well as a channel supplying layer.

摘要翻译： 包括轻掺杂漏极（LDD）区域的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 HEMT包括源极，漏极，栅极，用于形成至少二维电子气（2DEG）沟道的沟道供应层，以及至少形成2DEG通道的沟道形成层。 通道供给层包括具有不同极化率的多个半导体层。 通道供应层的一部分凹进。 位于最上层下方的多个半导体层中的一个是蚀刻缓冲层，以及沟道供给层。