公开(公告)号：US08101980B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12805933

申请日：2010-08-25

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： Provided is a graphene device and a method of manufacturing the same. The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 提供了一种石墨烯装置及其制造方法。 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20110210314A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12929817

申请日：2011-02-17

申请人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

发明人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A graphene electronic device may include a silicon substrate, connecting lines on the silicon substrate, a first electrode and a second electrode on the silicon substrate, and an interlayer dielectric on the silicon substrate. The interlayer dielectric may be configured to cover the connecting lines and the first and second electrodes and the interlayer dielectric may be further configured to expose at least a portion of the first and second electrodes. The graphene electronic device may further include an insulating layer on the interlayer dielectric and a graphene layer on the insulating layer, the graphene layer having a first end and a second end. The first end of the graphene layer may be connected to the first electrode and the second end of the graphene layer may be connected to the second electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括硅衬底，硅衬底上的连接线，硅衬底上的第一电极和第二电极以及硅衬底上的层间电介质。 层间电介质可以被配置为覆盖连接线，并且第一和第二电极和层间电介质可以被进一步配置为暴露第一和第二电极的至少一部分。 所述石墨烯电子器件还可以包括在所述层间电介质上的绝缘层和所述绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层具有第一端和第二端。 石墨烯层的第一端可以连接到第一电极，并且石墨烯层的第二端可以连接到第二电极。

公开(公告)号：US20110108609A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12805084

申请日：2010-07-12

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： B23K31/02 ,  B05D1/36 ,  C23C16/26 ,  C23C14/34 ,  B23K20/00

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

摘要： Methods of fabricating graphene using an alloy catalyst may include forming an alloy catalyst layer including nickel on a substrate and forming a graphene layer by supplying hydrocarbon gas onto the alloy catalyst layer. The alloy catalyst layer may include nickel and at least one selected from the group consisting of copper, platinum, iron and gold. When the graphene is fabricated, a catalyst metal that reduces solubility of carbon in Ni may be used together with Ni in the alloy catalyst layer. An amount of carbon that is dissolved may be adjusted and a uniform graphene monolayer may be fabricated.

摘要翻译： 使用合金催化剂制造石墨烯的方法可以包括在基板上形成包含镍的合金催化剂层，并通过向合金催化剂层供给烃气体来形成石墨烯层。 合金催化剂层可以包括镍和选自铜，铂，铁和金中的至少一种。 当制造石墨烯时，可以在合金催化剂层中与Ni一起使用降低碳在Ni中的溶解度的催化剂金属。 可以调节溶解的碳的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：US09184236B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13589650

申请日：2012-08-20

申请人： David Seo ,  Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jae Song

发明人： David Seo ,  Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jae Song

IPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L21/2007 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2457 ,  Y10T428/24612

摘要： A method of transferring graphene includes patterning an upper surface of a substrate to form at least one trench therein, providing a graphene layer on the substrate, the graphene layer including an adhesive liquid thereon, pressing the graphene layer with respect to the substrate, and removing the adhesive liquid by drying the substrate.

摘要翻译： 转移石墨烯的方法包括图案化衬底的上表面以在其中形成至少一个沟槽，在衬底上提供石墨烯层，所述石墨烯层包括其上的粘合剂液体，相对于衬底压制石墨烯层，并且去除 粘合剂液体通过干燥基材。

公开(公告)号：US09136336B2

公开(公告)日：2015-09-15

申请号：US13593708

申请日：2012-08-24

申请人： Jin-seong Heo ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Hee-jun Yang ,  David Seo

发明人： Jin-seong Heo ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Hyun-jae Song ,  Hee-jun Yang ,  David Seo

IPC分类号： H01L27/085 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/78684

摘要： Inverter logic devices include a gate oxide on a back substrate, a first graphene layer and a second graphene layer separated from each other on the gate oxide, a first electrode layer and a first semiconductor layer separated from each other on the first graphene layer, a second electrode layer and a second semiconductor layer separated from each other on the second graphene layer, and an output electrode on the first and second semiconductor layers and configured to output an output signal. The first semiconductor layer is doped with a different type of impurities selected from n-type impurities and p-type impurities than the second semiconductor layer.

摘要翻译： 逆变器逻辑器件包括背面衬底上的栅极氧化物，在栅极氧化物上彼此分离的第一石墨烯层和第二石墨烯层，在第一石墨烯层上彼此分离的第一电极层和第一半导体层， 第二电极层和在第二石墨烯层上彼此分离的第二半导体层，以及在第一和第二半导体层上的输出电极，并且被配置为输出输出信号。 第一半导体层掺杂有比第二半导体层选自n型杂质和p型杂质的不同类型的杂质。

公开(公告)号：US08912530B2

公开(公告)日：2014-12-16

申请号：US13431031

申请日：2012-03-27

申请人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L31/00 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

摘要： According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，电极结构包括在半导体层上的石墨烯层和在石墨烯层上含有金属的电极。 场效应晶体管（FET）可以包括电极结构。

公开(公告)号：US20130075700A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13431031

申请日：2012-03-27

申请人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/12 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

摘要： According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，电极结构包括在半导体层上的石墨烯层和在石墨烯层上含有金属的电极。 场效应晶体管（FET）可以包括电极结构。

公开(公告)号：US08614014B2

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：US12662215

申请日：2010-04-06

申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo ,  Ji-young Bae

发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo ,  Ji-young Bae

IPC分类号： G11B5/66 ,  G11C19/02

CPC分类号： G11B5/72 ,  G11B5/7325 ,  G11C11/14

摘要： A magnetic memory device includes a track in which different non-magnetic layers are respectively formed on upper and lower surfaces of a magnetic layer. One of the two non-magnetic layers includes an element having an atomic number greater than or equal to 12. Accordingly, the magnetic layer has a relatively high non-adiabaticity (β).

摘要翻译： 一种磁存储器件包括其中分别在磁性层的上表面和下表面上形成不同非磁性层的轨道。 两个非磁性层中的一个包括原子序数大于或等于12的元素。因此，磁性层具有相对高的非绝热性（β）。

公开(公告)号：US08045371B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12588333

申请日：2009-10-13

申请人： Sung-chul Lee ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pl ,  Ji-young Bae ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-chul Lee ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pl ,  Ji-young Bae ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11B5/584 ,  G11B5/581 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： An information storage device includes a magnetic structure having a buffer track and a plurality of storage tracks connected to the buffer track. A write/read unit is disposed on the magnetic structure, and a plurality of switching devices are respectively connected to the buffer track, the plurality of storage tracks, and the write/read unit. The switching devices that are respectively connected to the buffer track and the storage tracks. The information storage device further includes a circuit configured to supply current to at least one of the magnetic structure and the write/read unit.

摘要翻译： 信息存储装置包括具有缓冲轨道和连接到缓冲轨迹的多个存储轨道的磁结构。 写/读单元设置在磁结构上，并且多个开关装置分别连接到缓冲磁道，多个存储磁道和写/读单元。 分别连接到缓冲器轨道和存储轨道的开关装置。 信息存储装置还包括被配置为向磁结构和写入/读取单元中的至少一个提供电流的电路。

公开(公告)号：US20110085258A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12801712

申请日：2010-06-22

申请人： Ji-young Bae ,  Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo

发明人： Ji-young Bae ,  Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： G11B27/36 ,  G11B5/127

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C19/0808 ,  H01L43/08

摘要： An information storage device includes a magnetic track and a magnetic domain wall moving unit. The magnetic track has a plurality of magnetic domains and a magnetic domain wall between each pair of adjacent magnetic domains. The magnetic domain wall moving unit is configured to move at least the magnetic domain wall. The information storage device further includes a magneto-resistive device configured to read information recorded on the magnetic track. The magneto-resistive device includes a pinned layer, a free layer and a separation layer arranged there between. The pinned layer has a fixed magnetization direction. The free layer is disposed between the pinned layer and the magnetic track, and has a magnetization easy axis, which is non-parallel to the magnetization direction of the pinned layer.

摘要翻译： 信息存储装置包括磁道和磁畴壁移动单元。 磁道在每对相邻磁畴之间具有多个磁畴和磁畴壁。 磁畴壁移动单元构造成至少移动磁畴壁。 信息存储装置还包括被配置为读取记录在磁道上的信息的磁阻装置。 磁阻装置包括钉扎层，自由层和布置在其间的分离层。 被钉扎层具有固定的磁化方向。 自由层设置在被钉扎层和磁迹之间，并且具有与被钉扎层的磁化方向不平行的易磁化轴。