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    Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas
    24.
    发明授权
    Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas 失效
    使用碳氟化物和碳氧化物气蚀刻氮化钛

    公开(公告)号：US5399237A

    公开(公告)日：1995-03-21

    申请号：US188493

    申请日：1994-01-27

    申请人： Peter Keswick ,  Jeffrey Marks

    发明人： Peter Keswick ,  Jeffrey Marks

    IPC分类号： C04B41/91 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00

    CPC分类号： H01L21/32136

    摘要： A process for etching titanium nitride on a substrate 20 is described. In the process, a substrate 20 having a titanium nitride layer 24c thereon, and an insulative oxide layer 26 on the titanium nitride layer 24c is placed in a process chamber 42. Either a single stage, or a multiple stage version, of the process is then effected to etch the insulative oxide and titanium nitride layers. In the single stage version, the insulative oxide layer 26 and titanium nitride layer 24c are etched in a single stage, by introducing an etchant gas comprising carbon-fluoride gas and carbon-oxide gas into the process chamber 42, and generating a plasma from the etchant gas. The multiple stage version, comprises a first stage in which the insulative oxide layer 26 is etched using a plasma generated from carbon-fluoride gas, and a second stage in which the titanium nitride layer 24c is etched using a plasma generated from an etchant gas comprising carbon-fluoride gas and carbon-oxide gas. Suitable carbon-fluoride gases comprise CF.sub.3, CF.sub.4 , CH.sub.3 F, CHF.sub.3, C.sub.2 F.sub.6, C.sub.3 F.sub.8, C.sub.4 F.sub.8 or C.sub.4 F.sub.10, and suitable carbon-oxide gases comprise CO or CO.sub.2.

    摘要翻译： 对基板20上的氮化钛进行蚀刻的工序进行说明。 在该过程中，其上具有氮化钛层24c的衬底20和氮化钛层24c上的绝缘氧化物层26被放置在处理室42中。过程的单级或多级版本是 然后实现蚀刻绝缘氧化物和氮化钛层。 在单级版本中，通过将包含氟化碳气体和碳氧化物气体的蚀刻剂气体引入到处理室42中，在一个阶段中对绝缘氧化物层26和氮化钛层24c进行蚀刻，并从 蚀刻剂气体。 多级版本包括第一阶段，其中使用由氟化碳气体产生的等离子体来蚀刻绝缘氧化物层26;以及第二阶段，其中使用由蚀刻剂气体产生的等离子体蚀刻氮化钛层24c，第二阶段包括 碳氟化物气体和碳氧化物气体。 合适的碳氟化物气体包括CF 3，CF 4，CH 3 F，CHF 3，C 2 F 6，C 3 F 8，C 4 F 8或C 4 F 10，合适的碳氧化物气体包括CO或CO 2。

    Scavenging fluorine in a planar inductively coupled plasma reactor
    26.
    发明授权
    Scavenging fluorine in a planar inductively coupled plasma reactor 失效
    在平面感应耦合等离子体反应器中清除氟

    公开(公告)号：US06217785B1

    公开(公告)日：2001-04-17

    申请号：US08762464

    申请日：1996-12-09

    申请人： Kenneth S. Collins ,  Jeffrey Marks

    发明人： Kenneth S. Collins ,  Jeffrey Marks

    IPC分类号： H05H100

    CPC分类号： H01J37/32871 ,  H01F2029/143 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32522 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6831

    摘要： In an apparatus for producing an electromagnetically coupled planar plasma comprising a chamber having a dielectric shield in a wall thereof and a planar coil outside of said chamber and adjacent to said window coupled to a radio frequency source, the improvement whereby a scavenger for fluorine is mounted in or added to said chamber. When a silicon oxide is etched with a plasma of a fluorohydrocarbon gas, the fluorine scavenger reduces the free fluorine radicals, thereby improving the selectivity and anisotropy of etching and improving the etch rate while reducing particle formation.

    摘要翻译： 在一种用于制造电磁耦合平面等离子体的装置中，包括在其壁中具有介电屏蔽的腔室和在所述腔室外面的平面线圈，并且与耦合到射频源的所述窗口相邻，其中安装有用于氟的清除剂的改进 进入或添加到所述室中。 当用氟烃气体的等离子体蚀刻氧化硅时，氟清除剂减少游离氟自由基，从而提高蚀刻的选择性和各向异性，并且在减少颗粒形成的同时提高蚀刻速率。

    Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus
    27.
    发明授权
    Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus 失效
    在电磁耦合平面等离子体装置中蚀刻氧化物的方法

    公开(公告)号：US6090303A

    公开(公告)日：2000-07-18

    申请号：US761045

    申请日：1996-12-05

    申请人： Kenneth S. Collins ,  Jeffrey Marks

    发明人： Kenneth S. Collins ,  Jeffrey Marks

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H05H1/00

    CPC分类号： H01J37/32871

    摘要： In an apparatus for producing an electromagnetically coupled planar plasma comprising a chamber having a dielectric shield in a wall thereof and a planar coil outside of said chamber and adjacent to said window coupled to a radio frequency source, the improvement whereby a scavenger for fluorine is mounted in or added to said chamber. When a silicon oxide is etched with a plasma of a fluorohydrocarbon gas, the fluorine scavenger reduces the free fluorine radicals, thereby improving the selectivity and anisotropy of etching and improving the etch rate while reducing particle formation.

    摘要翻译： 在一种用于制造电磁耦合平面等离子体的装置中，包括在其壁中具有介电屏蔽的腔室和在所述腔室外面的平面线圈，并且与耦合到射频源的所述窗口相邻，其中安装有用于氟的清除剂的改进 进入或添加到所述室中。 当用氟烃气体的等离子体蚀刻氧化硅时，氟清除剂减少游离氟自由基，从而提高蚀刻的选择性和各向异性，并且在减少颗粒形成的同时提高蚀刻速率。

    HEAT INDEX
    28.
    发明申请
    HEAT INDEX 审中-公开
    热指数

    公开(公告)号：US20090062941A1

    公开(公告)日：2009-03-05

    申请号：US12201971

    申请日：2008-08-29

    申请人： Bryan Biniak ,  Richard Berroteran ,  Chris Cunningham ,  Atanas Ivanov ,  Jeffrey Marks ,  Brock Meltzer

    发明人： Bryan Biniak ,  Richard Berroteran ,  Chris Cunningham ,  Atanas Ivanov ,  Jeffrey Marks ,  Brock Meltzer

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： A63B71/06 ,  A63B24/0062 ,  A63B2071/065 ,  A63B2225/20 ,  A63B2225/50 ,  A63B2243/0037 ,  A63B2243/007

    摘要： The system generates a heat index for each player in a sporting event. Historical data is maintained over time and is available for display by a user. In one embodiment, the heat index is provided via a network such as the internet. In another embodiment, the heat index is displayed as part of an event or game broadcast. The heat index represents the current level of performance of a player pursuant to a calculation algorithm that includes objective and subjective information. The objective information includes statistical data from a game or contest. The subjective information may include references from announcers and input from viewers.

    摘要翻译： 该系统为体育赛事中的每个玩家生成热指数。 历史数据经过一段时间的维护，可供用户显示。 在一个实施例中，热指数通过诸如互联网的网络来提供。 在另一个实施例中，热指数被显示为事件或游戏广播的一部分。 热指数代表根据包括客观和主观信息的计算算法的玩家目前的表现水平。 客观信息包括来自游戏或比赛的统计数据。 主观信息可能包括播音员的参考资料和观众的输入。

    Display device
    29.
    发明申请
    Display device 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号：US20080055885A1

    公开(公告)日：2008-03-06

    申请号：US11822163

    申请日：2007-07-03

    申请人： Jeffrey Marks

    发明人： Jeffrey Marks

    IPC分类号： F21V33/00

    CPC分类号： G09F19/12 ,  F21S10/002

    摘要： A multi-functional decorative display device as shown and described.

    摘要翻译： 如图所示的多功能装饰性显示装置。

    Reduction of feature critical dimensions using multiple masks
    30.
    发明授权
    Reduction of feature critical dimensions using multiple masks 有权
    使用多个掩模降低功能关键尺寸

    公开(公告)号：US07271107B2

    公开(公告)日：2007-09-18

    申请号：US11050985

    申请日：2005-02-03

    申请人： Jeffrey Marks ,  S. M. Reza Sadjadi

    发明人： Jeffrey Marks ,  S. M. Reza Sadjadi

    IPC分类号： H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/0273 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

    摘要： A method for forming features in an etch layer is provided. A first mask is formed over the etch layer wherein the first mask defines a plurality of spaces with widths. A sidewall layer is formed over the first mask. Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, wherein the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the first mask. The mask and sidewall layer are removed. An additional mask is formed over the etch layer wherein the additional mask defines a plurality of spaces with widths. A sidewall layer is formed over the additional mask. Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, wherein the widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the first mask. The mask and sidewall layer are removed.

    摘要翻译： 提供了一种在蚀刻层中形成特征的方法。 在蚀刻层上形成第一掩模，其中第一掩模限定具有宽度的多个空间。 在第一掩模上形成侧壁层。 特征通过侧壁蚀刻到蚀刻层中，其中特征具有小于由第一掩模限定的空间的宽度的宽度。 去除掩模和侧壁层。 在蚀刻层上形成另外的掩模，其中附加掩模限定具有宽度的多个空间。 侧壁层形成在附加掩模上。 特征通过侧壁蚀刻到蚀刻层中，其中宽度小于由第一掩模限定的空间的宽度。 去除掩模和侧壁层。