公开(公告)号：US20110037014A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：US12913565

申请日：2010-10-27

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： H01B1/00

CPC分类号： G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1608

摘要： A method for producing a solid electrolyte material region for a memory element of a solid electrolyte memory cell. A first material is formed in substantially pure form. A thermal treatment is carried out in the presence of at least one second material, and the chalcogenide material of the solid electrolyte material region thereby being produced.

摘要翻译： 一种固体电解质存储单元的存储元件固体电解质材料区域的制造方法。 第一材料以基本上纯的形式形成。 在至少一种第二材料的存在下进行热处理，由此生产固体电解质材料区域的硫族化物材料。

公开(公告)号：US07613028B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11131498

申请日：2005-05-18

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： A switching element for reversible switching between an electrically insulating OFF state and an electrically conductive ON state, having two electrodes, namely a reactive electrode and an inert electrode, and also a solid electrolyte arranged between the two electrodes, which is characterized by the fact that the electrical conductivity of the solid electrolyte increases as the temperature thereof rises, but essentially no longer increases below a critical decomposition temperature of the solid electrolyte.

摘要翻译： 一种用于在电绝缘OFF状态和导电ON状态之间可逆切换的开关元件，具有两个电极，即反应电极和惰性电极，以及布置在两个电极之间的固体电解质，其特征在于， 固体电解质的电导率随温度升高而增加，但基本上不再增加到低于固体电解质的临界分解温度。

公开(公告)号：US20060175640A1

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：US11329420

申请日：2006-01-11

申请人： Thomas Happ ,  Cay-Uwe Pinnow ,  Ulrike Von Schwerin

发明人： Thomas Happ ,  Cay-Uwe Pinnow ,  Ulrike Von Schwerin

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A semiconductor memory device suitable for use in a memory cell array includes a solid electrolyte memory cell including: a first electrode device, a second electrode device, and a solid electrolyte material region between the first and second electrode devices. The solid electrolyte material region is materially cohesive, and the second electrode device is materially cohesive.

摘要翻译： 适用于存储单元阵列的半导体存储器件包括：固体电解质存储单元，包括：第一电极器件，第二电极器件和位于第一和第二电极器件之间的固体电解质材料区域。 固体电解质材料区域具有粘结性，第二电极器件具有粘结性。

公开(公告)号：US20060049390A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11209026

申请日：2005-08-23

申请人： Klaus Ufert ,  Cay-Uwe Pinnow ,  Thomas Happ

发明人： Klaus Ufert ,  Cay-Uwe Pinnow ,  Thomas Happ

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： G11C13/0002 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile, resistively switching memory cell includes a layer arranged between a first electrode and a second electrode. The layer includes one or more chalcogenide compound(s) selected from the group consisting of CuInS, CuInSe, CdInS, CdInSe, ZnInS, MnInS, MnZnInS, ZnInSe, InS, InSSe and InSe, with alkali metal or alkaline-earth metal ions contained in the layer of the chalcogenide compound(s).

摘要翻译： 非易失性电阻开关存储单元包括布置在第一电极和第二电极之间的层。 该层包括选自CuInS，CuInSe，CdInS，CdInSe，ZnInS，MnInS，MnZnInS，ZnInSe，InS，InSSe和InSe中的一种或多种硫属化物化合物，其中包含碱金属或碱土金属离子 硫族化合物的层。

公开(公告)号：US20060043354A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US11214023

申请日：2005-08-30

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Thomas Happ

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Thomas Happ

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： C23C14/0623 ,  C23C16/305 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： A chalcogenide layer includes a composition of compounds having the formula MmX1-m, where M denotes one or more elements selected from the group consisting of group IVb elements of the periodic system, group Vb elements of the periodic system and transition metals, X denotes one or more elements selected from the group consisting of S, Se and Te, and m has a value of between 0 and 1. The chalcogenide layer further includes an oxygen or nitrogen content in the range from 0.001 atomic % to 75 atomic %.

摘要翻译： 硫族化物层包括具有式M 1 X 1-m的化合物的组合物，其中M表示一种或多种选自下组的IVb族元素： 周期性系统，Vb族元素和过渡金属，X表示选自S，Se和Te中的一种或多种元素，m具有0和1之间的值。硫族化物层还包括氧 或氮含量在0.001原子％至75原子％的范围内。

公开(公告)号：US20060001000A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US11153964

申请日：2005-06-16

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： H01G2/00

CPC分类号： G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1608

摘要： A method for producing a solid electrolyte material region for a memory element of a solid electrolyte memory cell. A first material is formed in substantially pure form. A thermal treatment is carried out in the presence of at least one second material, and the chalcogenide material of the solid electrolyte material region thereby being produced.

摘要翻译： 一种固体电解质存储单元的存储元件固体电解质材料区域的制造方法。 第一材料以基本上纯的形式形成。 在至少一种第二材料的存在下进行热处理，由此生产固体电解质材料区域的硫族化物材料。

公开(公告)号：US20050286211A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11131498

申请日：2005-05-18

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： G11C13/02 ,  G11C16/02 ,  H01G9/00 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0011 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/34 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： The present invention relates to a switching element for reversible switching between an electrically insulating OFF state and an electrically conductive ON state, having two electrodes, namely a reactive electrode and an inert electrode, and also a solid electrolyte arranged between the two electrodes, which is characterized by the fact that the electrical conductivity of the solid electrolyte increases as the temperature thereof rises, but essentially no longer increases below a critical decomposition temperature of the solid electrolyte.

摘要翻译： 本发明涉及用于在电绝缘断开状态和导电导通状态之间可逆切换的开关元件，其具有两个电极，即反应电极和惰性电极，以及布置在两个电极之间的固体电解质 其特征在于，固体电解质的导电性随着其温度升高而增加，但基本上不再增加低于固体电解质的临界分解温度。

公开(公告)号：US08062694B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12913565

申请日：2010-10-27

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： C30B29/10

CPC分类号： G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1608

摘要： A method for producing a solid electrolyte material region for a memory element of a solid electrolyte memory cell. A first material is formed in substantially pure form. A thermal treatment is carried out in the presence of at least one second material, and the chalcogenide material of the solid electrolyte material region thereby being produced.

摘要翻译： 一种固体电解质存储单元的存储元件固体电解质材料区域的制造方法。 第一材料以基本上纯的形式形成。 在至少一种第二材料的存在下进行热处理，由此生产固体电解质材料区域的硫族化物材料。

公开(公告)号：US07829134B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11153964

申请日：2005-06-16

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： G11C13/0011 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/1608

摘要： A method for producing a solid electrolyte material region for a memory element of a solid electrolyte memory cell. A first material is formed in substantially pure form. A thermal treatment is carried out in the presence of at least one second material, and the chalcogenide material of the solid electrolyte material region thereby being produced.

摘要翻译： 一种固体电解质存储单元的存储元件固体电解质材料区域的制造方法。 第一材料以基本上纯的形式形成。 在至少一种第二材料的存在下进行热处理，由此生产固体电解质材料区域的硫族化物材料。

公开(公告)号：US07749805B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11076027

申请日：2005-03-10

申请人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

发明人： Cay-Uwe Pinnow ,  Klaus-Dieter Ufert

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/085 ,  H01L45/141 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： A method for manufacturing an electrolyte material layer with a chalcogenide material incorporated or deposited therein for use in semiconductor memory devices, in particular resistively-switching memory devices or components. The method comprises the steps of producing a semiconductor substrate, depositing a binary chalcogenide layer onto the semiconductor substrate, depositing a sulphur-containing layer onto the binary chalcogenide layer, and creating a ternary chalcogenide layer comprising at least two different chalcogenide compounds ASexSy. One component A of the chalcogenide compounds ASexSy comprises materials of the IV elements main group, e.g., Ge, Si, or of a transition metal, preferably of the group consisting of Zn, Cd, Hg, or a combination thereof.

摘要翻译： 一种用于制造电解质材料层的方法，所述电解质材料层具有结合或沉积在其中用于半导体存储器件，特别是电阻切换存储器件或部件的硫族化物材料。 该方法包括以下步骤：制造半导体衬底，在半导体衬底上沉积二元硫族化物层，在二元硫族化物层上沉积含硫层，以及产生包含至少两种不同硫属化物化合物ASexSy的三元硫族化物层。 硫族化合物ASexSy的一个组分A包括IV元素主要基团的材料，例如Ge，Si或过渡金属，优选由Zn，Cd，Hg或它们的组合组成的组。