公开(公告)号：USRE42302E1

公开(公告)日：2011-04-19

申请号：US11905862

申请日：2007-10-04

申请人： Toshiya Kotani ,  Satoshi Tanaka ,  Soichi Inoue

发明人： Toshiya Kotani ,  Satoshi Tanaka ,  Soichi Inoue

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F9/455 ,  G06F11/22

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A method for designing a semiconductor integrated circuit is provided which comprises compacting a design layout of a semiconductor integrated circuit on the basis of a given design rule to obtain a compacted pattern, predicting a pattern to be formed at a surface area of a wafer for forming the semiconductor integrated circuit on the basis of the compacted pattern, obtaining an evaluated value by comparing the predicted pattern with the compacted pattern, deciding whether the evaluated value satisfies a predetermined condition, and modifying the design rule when the evaluated value is decided as not satisfying the predetermined condition.

摘要翻译： 提供了一种用于设计半导体集成电路的方法，其包括基于给定的设计规则压缩半导体集成电路的设计布局以获得压缩图案，预测在用于形成的晶片的表面区域形成的图案 所述半导体集成电路基于所述压实图案，通过将所述预测图案与所述压实图案进行比较来获得评价值，判定所述评价值是否满足预定条件，以及当所述评价值被判定为不满足时修改所述设计规则 预定条件。

公开(公告)号：US07925090B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US11601797

申请日：2006-11-20

申请人： Toshiya Kotani ,  Kazuya Fukuhara ,  Kyoko Izuha

发明人： Toshiya Kotani ,  Kazuya Fukuhara ,  Kyoko Izuha

IPC分类号： G06K9/34

CPC分类号： G03F7/70441

摘要： A method of determining a photo mask, includes specifying a mask pattern for a photo mask for a first exposure apparatus, specifying a plurality of exposure conditions allowed to be set for a second exposure apparatus, predicting a projection image of the mask pattern to be projected on a substrate by the second exposure apparatus, for each of the exposure conditions, predicting a processed pattern to be formed on a substrate surface on the basis of the projection image, for each of the exposure conditions, determining whether or not the processed pattern meets a predetermined condition for each of the exposure conditions, and determining that the photo mask is applicable to the second exposure apparatus if the processed pattern meets the predetermined condition for at least one of the exposure conditions.

摘要翻译： 一种确定光掩模的方法包括：为第一曝光装置指定用于光掩模的掩模图案，指定允许为第二曝光装置设置的多个曝光条件，预测要投影的掩模图案的投影图像 在第二曝光装置的基板上，对于每个曝光条件，对于每个曝光条件，基于投影图像预测要在基板表面上形成的处理图案，确定处理图案是否满足 对于每个曝光条件的预定条件，并且如果处理的图案满足至少一个曝光条件的预定条件，则确定光掩模适用于第二曝光装置。

公开(公告)号：US20100275174A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12801895

申请日：2010-06-30

申请人： Ayako Nakano ,  Satoshi Tanaka ,  Toshiya Kotani

发明人： Ayako Nakano ,  Satoshi Tanaka ,  Toshiya Kotani

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5068 ,  G03F1/36

摘要： A correction target pattern having a size not more than a threshold value is extracted from first design data containing a pattern of a semiconductor integrated circuit. The first characteristic of the semiconductor integrated circuit is calculated on the basis of the first design data. Second design data is generated by correcting the correction target pattern contained in the first design data. The second characteristic of the semiconductor integrated circuit is calculated on the basis of the second design data. It is checked whether the characteristic difference between the first characteristic and the second characteristic falls within a tolerance. It is decided to use the second design data to manufacture the semiconductor integrated circuit when the characteristic difference falls within the tolerance.

摘要翻译： 从包含半导体集成电路的图案的第一设计数据中提取尺寸不大于阈值的校正对象图案。 基于第一设计数据计算半导体集成电路的第一特性。 通过校正包含在第一设计数据中的校正目标图案来生成第二设计数据。 基于第二设计数据计算半导体集成电路的第二特性。 检查第一特性和第二特性之间的特性差是否落在公差之内。 当特性差在公差范围内时，决定使用第二设计数据来制造半导体集成电路。

公开(公告)号：US07788626B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11138407

申请日：2005-05-27

申请人： Shigeki Nojima ,  Satoshi Tanaka ,  Toshiya Kotani ,  Kyoko Izuha ,  Soichi Inoue

发明人： Shigeki Nojima ,  Satoshi Tanaka ,  Toshiya Kotani ,  Kyoko Izuha ,  Soichi Inoue

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A pattern data correction method is disclosed, which comprises preparing an integrated circuit pattern, setting a tolerance to the pattern that is allowable error range when the pattern is transferred on a substrate, creating a target pattern within the tolerance, and making correction for the target pattern to make a first correction pattern under a predetermined condition.

摘要翻译： 公开了一种图案数据校正方法，其包括：准备集成电路图案，在图案在衬底上传送时设定容许误差范围的容许度，在公差内产生目标图案，并对目标进行校正 模式以在预定条件下进行第一校正模式。

公开(公告)号：US20100190342A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12683993

申请日：2010-01-07

申请人： Toshiya Kotani ,  Hiromitsu Mashita ,  Takafumi Taguchi ,  Ryuji Ogawa

发明人： Toshiya Kotani ,  Hiromitsu Mashita ,  Takafumi Taguchi ,  Ryuji Ogawa

IPC分类号： H01L21/30 ,  G06F17/50

CPC分类号： G06F17/5081

摘要： A pattern generating method includes: extracting, from a shape of a pattern generated on a substrate, a contour of the pattern shape; setting evaluation points as verification points for the pattern shape on the contour; calculating curvatures on the contour in the evaluation points; and verifying the pattern shape based on whether the curvatures satisfy a predetermined threshold set in advance.

摘要翻译： 图案生成方法包括：从在基板上产生的图案的形状提取图案形状的轮廓; 将评估点设置为轮廓上图案形状的验证点; 计算评估点轮廓上的曲率; 以及基于曲率是否满足预先设定的预定阈值来验证图案形状。

公开(公告)号：US20100185313A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12688644

申请日：2010-01-15

申请人： Hiromitsu MASHITA ,  Katsumi Iyanagi ,  Takafumi Taguchi ,  Toshiya Kotani ,  Hidefumi Mukai ,  Taiga Uno ,  Takashi Nakazawa

发明人： Hiromitsu MASHITA ,  Katsumi Iyanagi ,  Takafumi Taguchi ,  Toshiya Kotani ,  Hidefumi Mukai ,  Taiga Uno ,  Takashi Nakazawa

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/80 ,  G03F1/36 ,  G03F1/54

摘要： A pattern data creating method comprising: referring to a first correspondence relation between an amount of dimension variation between a first pattern formed on a substrate and a second pattern formed by processing the substrate using the first pattern and either one of a pattern total surface area and a pattern boundary length of the first pattern; and creating pattern data for forming the first pattern.

摘要翻译： 一种图形数据生成方法，包括：参照形成在基板上的第一图案和通过使用第一图案处理基板而形成的第二图案之间的尺寸变化量之间的第一对应关系，以及图案总表面积和 第一图案的图案边界长度; 以及创建用于形成第一图案的图案数据。

公开(公告)号：US07700997B2

公开(公告)日：2010-04-20

申请号：US11346293

申请日：2006-02-03

申请人： Takuya Futatsuyama ,  Toshiya Kotani ,  Hiromitsu Mashita ,  Atsushi Maesono ,  Ayako Nakano ,  Tadahito Fujisawa

发明人： Takuya Futatsuyama ,  Toshiya Kotani ,  Hiromitsu Mashita ,  Atsushi Maesono ,  Ayako Nakano ,  Tadahito Fujisawa

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11517

摘要： According to this invention, the NAND type flash memory of high reliability is realized. It provides a semiconductor memory device comprising: a plurality of memory cells; a plurality of word lines formed by a first gate wiring layer; a plurality of first transistors for providing voltages to said word lines; and electrical connections for connection said word lines and sources or drains of said first transistors, said electrical connections being formed of both first wirings of a first wiring layer formed above said first gate wiring layer and second wirings of a second wiring layers formed above said first wiring layer.

摘要翻译： 根据本发明，实现了高可靠性的NAND型闪速存储器。 它提供一种半导体存储器件，包括：多个存储单元; 由第一栅极布线层形成的多个字线; 用于向所述字线提供电压的多个第一晶体管; 以及用于连接所述字线和所述第一晶体管的源极或漏极的电连接，所述电连接由形成在所述第一栅极布线层上方的第一布线层的第一布线和形成在所述第一晶体管上方的第二布线层的第二布线形成 接线层。

公开(公告)号：US20100021825A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：US12478479

申请日：2009-06-04

申请人： Chikaaki KODAMA ,  Hirotaka Ichikawa ,  Kazuyuki Masukawa ,  Toshiya Kotani

发明人： Chikaaki KODAMA ,  Hirotaka Ichikawa ,  Kazuyuki Masukawa ,  Toshiya Kotani

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/36

摘要： A mask pattern data creation method includes: determining whether or not a spacing of adjacent assist pattern feature data is not more than a prescribed spacing, based on: initial position data indicating an initially set position of the assist pattern feature data determined based on an illumination condition; and initial size data indicating an initially set size of the assist pattern feature data satisfying a size condition to not optically form an image on the transfer destination; and moving at least one of the adjacent assist pattern feature data or reducing a size of the at least one to increase the spacing of the assist pattern feature data to exceed a prescribed spacing in the case where it is determined that the spacing of the assist pattern feature data is not more than the prescribed spacing.

摘要翻译： 掩模图案数据创建方法包括：基于：基于指示基于照明确定的辅助图案特征数据的初始设置位置的初始位置数据来确定相邻辅助图案特征数据的间隔是否不大于规定间距 条件; 以及初始尺寸数据，其指示辅助图案特征数据的初始设置尺寸，其满足不在转印目的地上光学地形成图像的尺寸条件; 以及在确定所述辅助图案的间距的情况下，移动所述相邻辅助图案特征数据中的至少一个或减小所述至少一个的尺寸以增加所述辅助图案特征数据的间隔超过规定间隔 特征数据不超过规定的间距。

公开(公告)号：US07614026B2

公开(公告)日：2009-11-03

申请号：US11521440

申请日：2006-09-15

申请人： Toshiya Kotani ,  Hirotaka Ichikawa

发明人： Toshiya Kotani ,  Hirotaka Ichikawa

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/68

摘要： A pattern of a desired size is formed on a semiconductor substrate by the following procedure. A property, including at least one of an aberration of an exposure device, a property of an illumination, a property of a projection lens, and a pattern coverage in a shot, are allocated, in a first database, to predetermined positions assigned in a chip. A second database is prepared by pairing a cell name of a cell extracted from hierarchical processing of a design pattern and arrangement positional data of the cell. The property data is allocated to the cell based on the first and second databases. Mask data processing based on at least one of the property data is executed, and the cell subjected to the mask data processing is rearranged on the chip.

摘要翻译： 通过以下步骤在半导体衬底上形成期望尺寸的图案。 在第一数据库中，将包括曝光装置的像差，照明特性，投影透镜的特性和图案覆盖率中的至少一个的属性分配给第一数据库中指定的预定位置 芯片。 通过配置从设计图案的分层处理提取的单元的单元名称和单元的排列位置数据来准备第二数据库。 基于第一和第二数据库将属性数据分配给小区。 执行基于属性数据中的至少一个的掩模数据处理，并且经受掩模数据处理的单元被重新排列在芯片上。

公开(公告)号：US20090199148A1

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：US12385454

申请日：2009-04-08

申请人： Suigen Kyoh ,  Toshiya Kotani ,  Soichi Inoue

发明人： Suigen Kyoh ,  Toshiya Kotani ,  Soichi Inoue

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F7/70441

摘要： Disclosed is a method of producing a pattern for a semiconductor device, comprising extracting part of a pattern layout, perturbing a pattern included in the part of the pattern layout to generate a perturbation pattern, correcting the perturbation pattern, predicting a first pattern, to be formed on a wafer, from the corrected perturbation pattern, acquiring a first difference between the perturbation pattern and the first pattern, and storing information concerning the perturbation pattern including information concerning the first difference.