公开(公告)号：US09496488B2

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：US14070471

申请日：2013-11-01

Applicant: Samsung Electronics Co., Ltd.

Inventor： Hyungjoon Kwon ,  Sechung Oh ,  Vladimir Urazaev ,  Ken Tokashiki ,  Jongchul Park ,  Gwang-Hyun Baek ,  Jaehun Seo ,  Sangmin Lee

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

Abstract: Provided are semiconductor devices and methods of fabricating the same. The semiconductor device may include lower wires, upper wires crossing the lower wires, select elements provided at intersections between the lower and upper wires, and memory elements provided between the select elements and the upper wires. Each of the memory elements may include a lower electrode having a top width greater than a bottom width, and a data storage layer including a plurality of magnetic layers stacked on a top surface of the lower electrode and having a rounded edge.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件可以包括下部布线，穿过下部布线的上部布线，在下部布线和上部布线之间的交叉处提供的选择元件以及设置在选择元件和上部布线之间的存储元件。 每个存储元件可以包括具有大于底部宽度的顶部宽度的下部电极，以及包括堆叠在下部电极的顶表面上并且具有圆形边缘的多个磁性层的数据存储层。