公开(公告)号：US07786462B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11975615

申请日：2007-10-19

申请人： Sergey A. Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Sergey A. Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L29/06 ,  G11C11/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A chalcogenide material and chalcogenide memory device having less stringent requirements for formation, improved thermal stability and/or faster operation. The chalcogenide materials include materials comprising Ge, Sb and Te in which the Ge and/or Te content is lean relative to the commonly used Ge2Sb2Te5 chalcogenide composition. Electrical devices containing the instant chalcogenide materials show a rapid convergence of the set resistance during cycles of setting and resetting the device from its as-fabricated state, thus leading to a reduced or eliminated need to subject the device to post-fabrication electrical formation prior to end-use operation. Improved thermal stability is manifested in terms of prolonged stability of the resistance of the device at elevated temperatures, which leads to an inhibition of thermally induced setting of the reset state in the device. Significant improvements in the 10 year data retention temperature are demonstrated. Faster device operation is achieved through an increased speed of crystallization, which acts to shorten the time required to transform the chalcogenide material from its reset state to its set state in an electrical memory device.

摘要翻译： 一种硫族化物材料和硫族化物记忆装置，其对形成，改进的热稳定性和/或更快的操作要求不太严格。 硫属化物材料包括Ge，Sb和Te的材料，其中Ge和/或Te含量相对于通常使用的Ge 2 Sb 2 Te 5硫族化物组合物是稀的。 包含瞬时硫族化物材料的电气装置显示设定循环期间的设定电阻的快速收敛以及将器件从其制造状态复位，从而导致减少或消除了将器件置于后制造电形成之前 最终使用操作。 改进的热稳定性表现在器件在升高的温度下的电阻的延长的稳定性，这导致抑制器件中复位状态的热诱导设置。 展示了10年数据保存温度的显着改进。 通过提高结晶速度实现更快的器件操作，其用于缩短将硫族化物材料从其复位状态转换到其在电存储器件中的设定状态所需的时间。

公开(公告)号：US20070034851A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11301211

申请日：2005-12-12

申请人： Sergey Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj

发明人： Sergey Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Guy Wicker ,  Wolodymyr Czubatyj

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625

摘要： A chalcogenide material and chalcogenide memory device exhibiting fast operation (short set pulse times) over an extended range of reset state resistances. Electrical devices containing the instant chalcogenide materials permit rapid transformations from the reset state to the set state for reset and set states having a high resistance ratio. The instant devices thus provide for high resistance contrast and improved readability of memory states while preserving fast operational speeds for the device. The chalcogenide materials include materials comprising Ge, Sb and Te in which the Ge and/or Te content is lean relative to the commonly used Ge2Sb2Te5 chalcogenide composition. In one embodiment, the atomic concentration of Ge is between 11% and 22%, the atomic concentration of Sb is between 22% and 65%, and the atomic concentration of Te is between 28% and 55%. In a preferred embodiment, the atomic concentration of Ge is between 15% and 18%, the atomic concentration of Sb is between 32% and 35%, and the atomic concentration of Te is between 48% and 51%.

摘要翻译： 硫化物材料和硫族化物存储器件在复位状态电阻的延长范围内表现出快速操作（短脉冲时间）。 包含瞬时硫族化物材料的电气装置允许从复位状态到设定状态的快速转换以及具有高电阻比的置位状态。 因此，即时设备提供高电阻对比度和改善存储器状态的可读性，同时保持设备的快速操作速度。 硫属化物材料包括Ge，Sb和Te的材料，其中Ge和/或Te含量相对于通常使用的Ge 2 Sb 2 Te 5是稀的 硫族化合物组合物。 在一个实施方案中，Ge的原子浓度为11％至22％，Sb的原子浓度为22％至65％，Te的原子浓度为28％至55％。 在优选的实施方式中，Ge的原子浓度为15％〜18％，Sb的原子浓度为32％〜35％，Te的原子浓度为48％〜51％。

公开(公告)号：US20110085376A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12969756

申请日：2010-12-16

申请人： Guy Wicker

发明人： Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286

摘要： By using a resistive film as a shunt, the snapback exhibited when transitioning from the reset state or amorphous phase of a phase change material, may be reduced or avoided. The resistive film may be sufficiently resistive that it heats the phase change material and causes the appropriate phase transitions without requiring a dielectric breakdown of the phase change material.

摘要翻译： 通过使用电阻膜作为分路，可以减少或避免从相变材料的复位状态或非晶相转变时的突出。 电阻膜可以具有足够的电阻性，使得其加热相变材料并引起适当的相变，而不需要相变材料的介电击穿。

公开(公告)号：US07916514B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US11810228

申请日：2007-06-04

申请人： Guy Wicker

发明人： Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/01

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286

摘要： By using a resistive film as a shunt, the snapback exhibited when transitioning from the reset state or amorphous phase of a phase change material, may be reduced or avoided. The resistive film may be sufficiently resistive that it heats the phase change material and causes the appropriate phase transitions without requiring a dielectric breakdown of the phase change material.

摘要翻译： 通过使用电阻膜作为分路，可以减少或避免从相变材料的复位状态或非晶相转变时的突出。 电阻膜可以具有足够的电阻性，使得其加热相变材料并引起适当的相变，而不需要相变材料的介电击穿。

公开(公告)号：US07579210B1

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US12054919

申请日：2008-03-25

申请人： Guy Wicker

发明人： Guy Wicker

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/24

摘要： An electronic device including a planar segmented contact. A method for forming the device includes depositing a first insulator on a substrate, forming an opening in the first insulator, disposing a conductive material in the opening where the conductive material defines two or more conductive regions, forming a second insulator over the conductive layer, removing a portion of the second insulator to expose less than all of the conductive regions, recessing at least one of the exposed conductive regions, forming a third insulator over the recessed conductive region, and planarizing to expose at least one of the non-recessed conductive regions without exposing a recessed conductive region. An electrically stimulable material may then be formed over an exposed non-recessed conductive region.

摘要翻译： 一种包括平面分段接触的电子设备。 一种用于形成该器件的方法包括在衬底上沉积第一绝缘体，在第一绝缘体中形成开口，在导电材料限定两个或多个导电区域的开口中设置导电材料，在导电层上形成第二绝缘体， 移除所述第二绝缘体的一部分以暴露出小于所有导电区域，使所述暴露的导电区域中的至少一个凹陷，在所述凹进的导电区域上形成第三绝缘体，以及平坦化以暴露所述非凹陷导电 区域，而不暴露凹陷的导电区域。 然后可以在暴露的非凹入的导电区域上形成电刺激材料。

公开(公告)号：US20070238225A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：US11400632

申请日：2006-04-07

申请人： Guy Wicker

发明人： Guy Wicker

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/141

摘要： A phase change memory may be formed using a chalcogenide material that includes selenium. The inclusion of selenium improves the heat stability of the resulting memory device. The chalcogenide may also be a lean germanium composition.

摘要翻译： 可以使用包括硒的硫族化物材料形成相变记忆体。 硒的包含改善了所得到的存储器件的热稳定性。 硫族化物还可以是贫锗组合物。

公开(公告)号：US07242019B2

公开(公告)日：2007-07-10

申请号：US10318706

申请日：2002-12-13

申请人： Guy Wicker

发明人： Guy Wicker

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286

摘要： By using a resistive film as a shunt, the snapback exhibited when transitioning from the reset state or amorphous phase of a phase change material, may be reduced or avoided. The resistive film may be sufficiently resistive that it heats the phase change material and causes the appropriate phase transitions without requiring a dielectric breakdown of the phase change material.

摘要翻译： 通过使用电阻膜作为分路，可以减少或避免从相变材料的复位状态或非晶相转变时的突出。 电阻膜可以具有足够的电阻性，使得其加热相变材料并引起适当的相变，而不需要相变材料的介电击穿。

公开(公告)号：US20100110780A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12291111

申请日：2008-11-06

申请人： Guy Wicker

发明人： Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092

摘要： A minimal-duration current pulse is employed to program a programmable resistance memory to a high-resistance, RESET state. Although the duration and magnitude of RESET programming pulses in accordance with the principles of the present invention may vary depending, for example, upon the composition and structure of a cell, a method and apparatus in accordance with the principles of the present invention employs the briefest pulse practicable for a given cell or array of cells.

摘要翻译： 采用最小持续时间电流脉冲将可编程电阻存储器编程为高电阻复位状态。 虽然根据本发明的原理的RESET编程脉冲的持续时间和幅度可以根据例如单元的组成和结构而变化，但是根据本发明的原理的方法和装置使用最简单的 脉冲对于给定的细胞或细胞阵列是可行的。

公开(公告)号：US20070096072A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11399297

申请日：2006-04-06

申请人： Richard Dodge ,  Guy Wicker

发明人： Richard Dodge ,  Guy Wicker

IPC分类号： H01L29/02 ,  G11C11/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L45/1253 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

摘要： A lateral phase change memory includes a pair of electrodes separated by an insulating layer. The first electrode is formed in an opening in an insulating layer and is cup-shaped. The first electrode is covered by the insulating layer which is, in turn, covered by the second electrode. As a result, the spacing between the electrodes may be very precisely controlled and limited to very small dimensions. The electrodes are advantageously formed of the same material, prior to formation of the phase change material region.

摘要翻译： 横向相变存储器包括由绝缘层隔开的一对电极。 第一电极形成在绝缘层的开口中并且是杯形的。 第一电极被绝缘层覆盖，绝缘层又被第二电极覆盖。 结果，电极之间的间隔可以被非常精确地控制并且被限制在非常小的尺寸。 在形成相变材料区域之前，电极有利地由相同的材料形成。

公开(公告)号：US20060226410A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11103188

申请日：2005-04-11

申请人： Guy Wicker ,  Fabio Pellizzer ,  Enrico Varesi ,  Agostino Pirovano

发明人： Guy Wicker ,  Fabio Pellizzer ,  Enrico Varesi ,  Agostino Pirovano

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

摘要： A phase change memory may be formed of two vertically spaced layers of phase change material. An intervening dielectric may space the layers from one another along a substantial portion of their lateral extent. An opening may be provided in the intervening dielectric to allow the phase change layers to approach one another more closely. As a result, current density may be increased at this location, producing heating.

摘要翻译： 相变存储器可以由两个相互垂直间隔的相变材料层形成。 中间电介质可以沿着它们的横向范围的大部分将层彼此间隔开。 可以在中介电介质中提供开口，以允许相变层更接近彼此。 结果，在这个位置可能增加电流密度，产生加热。