利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

254 条记录 (耗时 0.033 秒)

    Sidewall memory with self-aligned asymmetrical source and drain configuration
    22.
    发明授权
    Sidewall memory with self-aligned asymmetrical source and drain configuration 有权
    具有自对准非对称源极和漏极配置的侧壁存储器

    公开(公告)号：US07732310B2

    公开(公告)日：2010-06-08

    申请号：US11633926

    申请日：2006-12-05

    申请人： Tzyh-Cheang Lee ,  Fu-Liang Yang

    发明人： Tzyh-Cheang Lee ,  Fu-Liang Yang

    IPC分类号： H01L21/425

    CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

    摘要： A method of forming a semiconductor structure includes providing a semiconductor substrate and forming a memory cell at a surface of the semiconductor substrate. The step of forming the memory cell includes forming a gate dielectric on the semiconductor substrate and a control gate on the gate dielectric; forming a first and a second tunneling layer on a source side and a drain side of the memory cell, respectively; tilt implanting a lightly doped source region underlying the first tunneling layer, wherein the tilt implanting tilts only from the source side to the drain side, and wherein a portion of the semiconductor substrate under the second tunneling layer is free from the tilt implanting; forming a storage on a horizontal portion of the second tunneling layer; and forming a source region and a drain region in the semiconductor substrate.

    摘要翻译： 形成半导体结构的方法包括提供半导体衬底并在半导体衬底的表面形成存储单元。 形成存储单元的步骤包括在半导体衬底上形成栅极电介质，在栅极电介质上形成控制栅极; 在存储单元的源极侧和漏极侧分别形成第一和第二隧穿层; 倾斜注入第一隧穿层下面的轻掺杂源区，其中倾斜注入仅从源侧倾斜到漏极侧，并且其中第二隧穿层下的半导体衬底的一部分没有倾斜注入; 在所述第二隧道层的水平部分上形成储存器; 以及在所述半导体衬底中形成源区和漏区。

    Phase change memory cell with roundless micro-trenches
    24.
    发明授权
    Phase change memory cell with roundless micro-trenches 有权
    具有圆形微沟槽的相变存储单元

    公开(公告)号：US07642170B2

    公开(公告)日：2010-01-05

    申请号：US11864719

    申请日：2007-09-28

    申请人： Tzyh-Cheang Lee ,  Chun-Sheng Liang ,  Fu-Liang Yang

    发明人： Tzyh-Cheang Lee ,  Chun-Sheng Liang ,  Fu-Liang Yang

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

    摘要： A method for constructing a phase change memory device includes forming a first dielectric layer on a substrate; forming a first conductive component in the first dielectric layer; forming a second dielectric layer over the first conductive component in the first dielectric layer; forming a conductive crown in the second dielectric layer, the conductive crown being in contact and alignment with the conductive component; depositing a third dielectric layer in the conductive crown; and forming a trench filled with chalcogenic materials having an amorphous phase and a crystalline phase programmable by controlling a temperature thereof to represent logic states, wherein the trench extends across the conductive crown, such that the trench is free from a rounded end portion caused by lithography during fabrication of the phase change memory device.

    摘要翻译： 一种构造相变存储器件的方法包括：在衬底上形成第一电介质层; 在所述第一介电层中形成第一导电组分; 在所述第一介电层中的所述第一导电部件上形成第二电介质层; 在所述第二介电层中形成导电冠，所述导电冠与所述导电部件接触并对齐; 在导电冠中沉积第三电介质层; 并且形成填充有具有非晶相和结晶相的硫化物的沟槽，其可通过控制其温度来表示逻辑状态，其中所述沟槽延伸穿过所述导电冠，使得所述沟槽没有由光刻引起的圆形端部 在相变存储器件的制造过程中。

    Phase change memory cell with roundless micro-trenches
    25.
    发明申请
    Phase change memory cell with roundless micro-trenches 有权
    具有圆形微沟槽的相变存储单元

    公开(公告)号：US20090087945A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：US11864719

    申请日：2007-09-28

    申请人： Tzyh Cheang Lee ,  Chun-Sheng Liang ,  Fu-Liang Yang

    发明人： Tzyh Cheang Lee ,  Chun-Sheng Liang ,  Fu-Liang Yang

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

    摘要： A method for constructing a phase change memory device includes forming a first dielectric layer on a substrate; forming a first conductive component in the first dielectric layer; forming a second dielectric layer over the first conductive component in the first dielectric layer; forming a conductive crown in the second dielectric layer, the conductive crown being in contact and alignment with the conductive component; depositing a third dielectric layer in the conductive crown; and forming a trench filled with chalcogenic materials having an amorphous phase and a crystalline phase programmable by controlling a temperature thereof to represent logic states, wherein the trench extends across the conductive crown, such that the trench is free from a rounded end portion caused by lithography during fabrication of the phase change memory device.

    摘要翻译： 一种构造相变存储器件的方法包括：在衬底上形成第一电介质层; 在所述第一介电层中形成第一导电组分; 在所述第一介电层中的所述第一导电部件上形成第二电介质层; 在所述第二介电层中形成导电冠，所述导电冠与所述导电部件接触并对齐; 在导电冠中沉积第三电介质层; 并且形成填充有具有非晶相和结晶相的硫化物的沟槽，其可通过控制其温度来表示逻辑状态，其中所述沟槽延伸穿过导电冠，使得沟槽没有由光刻引起的圆形端部 在相变存储器件的制造过程中。

    Structure and method for a sidewall SONOS memory device
    27.
    发明申请
    Structure and method for a sidewall SONOS memory device 有权
    侧壁SONOS存储器件的结构和方法

    公开(公告)号：US20070161195A1

    公开(公告)日：2007-07-12

    申请号：US11327185

    申请日：2006-01-06

    申请人： Tzyh-Cheang Lee ,  Fu-Liang Yang ,  Jiunn-Ren Hwang ,  Tsung-Lin Lee

    发明人： Tzyh-Cheang Lee ,  Fu-Liang Yang ,  Jiunn-Ren Hwang ,  Tsung-Lin Lee

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28282 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

    摘要： A system and method for a sidewall SONOS memory device is provided. An electronic device includes a non-volatile memory. A substrate includes source/drain regions. A gate stack is directly over the substrate and between the source/drain regions. The gate stack has a sidewall. A nitride spacer is formed adjacent to the gate stack. A first oxide material is formed directly adjacent the spacer. An oxide-nitride-oxide structure is formed between the spacer and the gate stack. The oxide-nitride-oxide structure has a generally L-shaped cross-section on at least one side of the gate stack. The oxide-nitride-oxide structure includes a vertical portion and a horizontal portion. The vertical portion is substantially aligned with the sidewall and located between the first oxide material and the gate sidewall. The horizontal portion is substantially aligned with the substrate and located between the first oxide and the substrate.

    摘要翻译： 提供了一种用于侧壁SONOS存储器件的系统和方法。 电子设备包括非易失性存储器。 衬底包括源极/漏极区域。 栅极堆叠直接在衬底上并且在源极/漏极区域之间。 栅极堆叠具有侧壁。 在栅叠层附近形成氮化物间隔物。 第一氧化物材料直接邻近间隔物形成。 在间隔物和栅极叠层之间形成氧化物 - 氧化物 - 氧化物结构。 氧化物 - 氧化物 - 氧化物结构在栅极堆叠的至少一侧具有大致L形的横截面。 氧化物 - 氮化物 - 氧化物结构包括垂直部分和水平部分。 垂直部分基本上与侧壁对准并且位于第一氧化物材料和栅极侧壁之间。 水平部分基本上与衬底对准并位于第一氧化物和衬底之间。

    Phase change memory
    28.
    发明授权
    Phase change memory 有权
    相变记忆

    公开(公告)号：US07989920B2

    公开(公告)日：2011-08-02

    申请号：US12703571

    申请日：2010-02-10

    申请人： Tzyh-Cheang Lee ,  Ming-Yi Yang ,  Fu-Liang Yang ,  Denny Duan-Iee Tang

    发明人： Tzyh-Cheang Lee ,  Ming-Yi Yang ,  Fu-Liang Yang ,  Denny Duan-Iee Tang

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： A phase change memory is provided. The method includes forming contact plugs in a first dielectric layer. A second dielectric layer is formed overlying the first dielectric layer and a trench formed therein exposing portions of the contact plugs. A metal layer is formed over surfaces of the trench. One or more heaters are formed from the metal layer such that each heater is formed along one or more sidewalls of the trench, wherein the portion of the heater along the sidewalls does not include a corner region of adjacent sidewalls. The trench is filled with a third dielectric layer, and a fourth dielectric layer is formed over the third dielectric layer. Trenches are formed in the fourth dielectric layer and filled with a phase change material. An electrode is formed over the phase change material.

    摘要翻译： 提供了相变存储器。 该方法包括在第一电介质层中形成接触塞。 形成第二电介质层，覆盖第一电介质层和形成在其中的沟槽，暴露接触插塞的部分。 在沟槽的表面上形成金属层。 从金属层形成一个或多个加热器，使得每个加热器沿着沟槽的一个或多个侧壁形成，其中加热器沿着侧壁的部分不包括相邻侧壁的拐角区域。 沟槽填充有第三电介质层，并且在第三介电层上形成第四电介质层。 在第四电介质层中形成沟槽并填充相变材料。 在相变材料上形成电极。