利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

93 条记录 (耗时 0.048 秒)

    Magnetic tracks, information storage devices including magnetic tracks, and methods of operating information storage devices
    22.
    发明申请
    Magnetic tracks, information storage devices including magnetic tracks, and methods of operating information storage devices 失效
    磁迹，包括磁迹的信息存储设备，以及操作信息存储设备的方法

    公开(公告)号：US20100149863A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12461062

    申请日：2009-07-30

    申请人： Sung-chul Lee ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pl ,  Ji-young Bae

    发明人： Sung-chul Lee ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pl ,  Ji-young Bae

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

    摘要： A magnetic track includes first and second magnetic domain regions having different lengths and different magnetic domain wall movement speeds. A longer of the first and second magnetic domain regions serves as an information read/write region. An information storage device includes a magnetic track. The magnetic track includes a plurality of magnetic domain regions and a magnetic domain wall region formed between neighboring magnetic domain regions. The plurality of magnetic domain regions includes a first magnetic domain region and at least one second magnetic domain region having a smaller length than the first magnetic domain region. The information storage device further includes a first unit configured to perform at least one of an information recording operation and an information reproducing operation on the first magnetic domain region, and a magnetic domain wall movement unit configured to move a magnetic domain wall of the magnetic domain wall region.

    摘要翻译： 磁道包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一和第二磁畴区域。 第一和第二磁畴区域中较长的区域用作信息读/写区域。 信息存储装置包括磁道。 磁道包括多个磁畴区域和形成在相邻磁畴区域之间的磁畴壁区域。 多个磁畴区域包括第一磁畴区域和具有比第一磁畴区域更小的长度的至少一个第二磁畴区域。 信息存储装置还包括被配置为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个的第一单元和被配置为移动磁畴的磁畴壁的磁畴壁移动单元 墙区域。

    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of manufacturing the same
    30.
    发明授权
    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of manufacturing the same 失效
    使用磁畴壁运动的信息存储装置及其制造方法相同

    公开(公告)号：US07910232B2

    公开(公告)日：2011-03-22

    申请号：US12149641

    申请日：2008-05-06

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Chang-won Lee

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Chang-won Lee

    IPC分类号： G11B5/76

    CPC分类号： G11B5/855 ,  G11B5/7325 ,  G11C11/14 ,  G11C19/0841

    摘要： Information storage devices and methods of manufacturing the same are provided. An information storage device includes a magnetic layer formed on an underlayer. The underlayer has at least one first region and at least one second region. The first and second regions have different crystallinity characteristics. The magnetic layer has at least one third region formed on the at least one first region and at least one fourth region formed on the at least one second region. The third and fourth regions have different magnetic anisotropic energy constants.

    摘要翻译： 提供信息存储装置及其制造方法。 信息存储装置包括形成在底层上的磁性层。 底层具有至少一个第一区域和至少一个第二区域。 第一和第二区域具有不同的结晶度特性。 磁性层具有形成在至少一个第一区域上的至少一个第三区域和形成在至少一个第二区域上的至少一个第四区域。 第三和第四区域具有不同的磁各向异性能量常数。