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    Magnetic tracks, information storage devices using magnetic domain wall movement, and methods of manufacturing the same
    2.
    发明申请
    Magnetic tracks, information storage devices using magnetic domain wall movement, and methods of manufacturing the same 有权
    磁轨，使用磁畴壁运动的信息存储装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20090073859A1

    公开(公告)日：2009-03-19

    申请号：US12155896

    申请日：2008-06-11

    申请人： Young-jin Cho ,  Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Ji-young Bae ,  Sun-ae Seo ,  Chang-won Lee

    发明人： Young-jin Cho ,  Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Ji-young Bae ,  Sun-ae Seo ,  Chang-won Lee

    IPC分类号： G11B3/00

    CPC分类号： G11C19/0841 ,  G11C11/14

    摘要： Information storage devices and methods of manufacturing the same are provided. A magnetic track of the information storage device includes a magnetic layer in which at least one magnetic domain forming region and at least one magnetic domain wall forming region are alternately disposed in a lengthwise direction. The at least one magnetic domain forming regions has a different magnetic anisotropic energy relative to the at least one magnetic domain wall forming region. An intermediate layer is formed under the magnetic layer. The intermediate layer includes at least one first material region and at least one second material region. Each of the at least one first material regions and the at least one second material regions corresponds to one of the at least one magnetic domain forming regions and the at least one magnetic domain wall forming regions.

    摘要翻译： 提供信息存储装置及其制造方法。 信息存储装置的磁道包括其中至少一个磁畴形成区域和至少一个磁畴壁形成区域沿长度方向交替布置的磁性层。 所述至少一个磁畴形成区域相对于所述至少一个磁畴壁形成区域具有不同的磁各向异性能量。 中间层形成在磁性层下面。 中间层包括至少一个第一材料区域和至少一个第二材料区域。 所述至少一个第一材料区域和所述至少一个第二材料区域中的每一个对应于所述至少一个磁畴形成区域和所述至少一个磁畴壁形成区域中的一个。

    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of manufacturing the same
    4.
    发明授权
    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of manufacturing the same 失效
    使用磁畴壁运动的信息存储装置及其制造方法相同

    公开(公告)号：US07910232B2

    公开(公告)日：2011-03-22

    申请号：US12149641

    申请日：2008-05-06

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Chang-won Lee

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Chang-won Lee

    IPC分类号： G11B5/76

    CPC分类号： G11B5/855 ,  G11B5/7325 ,  G11C11/14 ,  G11C19/0841

    摘要： Information storage devices and methods of manufacturing the same are provided. An information storage device includes a magnetic layer formed on an underlayer. The underlayer has at least one first region and at least one second region. The first and second regions have different crystallinity characteristics. The magnetic layer has at least one third region formed on the at least one first region and at least one fourth region formed on the at least one second region. The third and fourth regions have different magnetic anisotropic energy constants.

    摘要翻译： 提供信息存储装置及其制造方法。 信息存储装置包括形成在底层上的磁性层。 底层具有至少一个第一区域和至少一个第二区域。 第一和第二区域具有不同的结晶度特性。 磁性层具有形成在至少一个第一区域上的至少一个第三区域和形成在至少一个第二区域上的至少一个第四区域。 第三和第四区域具有不同的磁各向异性能量常数。

    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of manufacturing the same
    5.
    发明申请
    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of manufacturing the same 失效
    使用磁畴壁运动的信息存储装置及其制造方法相同

    公开(公告)号：US20090130492A1

    公开(公告)日：2009-05-21

    申请号：US12149641

    申请日：2008-05-06

    申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Chang-won Lee

    发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Chang-won Lee

    IPC分类号： G11B5/62 ,  G11B5/73 ,  B05D3/10 ,  B05D1/36 ,  B05D3/00

    CPC分类号： G11B5/855 ,  G11B5/7325 ,  G11C11/14 ,  G11C19/0841

    摘要： Information storage devices and methods of manufacturing the same are provided. An information storage device includes a magnetic layer formed on an underlayer. The underlayer has at least one first region and at least one second region. The first and second regions have different crystallinity characteristics. The magnetic layer has at least one third region formed on the at least one first region and at least one fourth region formed on the at least one second region. The third and fourth regions have different magnetic anisotropic energy constants.

    摘要翻译： 提供信息存储装置及其制造方法。 信息存储装置包括形成在底层上的磁性层。 底层具有至少一个第一区域和至少一个第二区域。 第一和第二区域具有不同的结晶度特性。 磁性层具有形成在至少一个第一区域上的至少一个第三区域和形成在至少一个第二区域上的至少一个第四区域。 第三和第四区域具有不同的磁各向异性能量常数。