公开(公告)号：US20090056797A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：US12196501

申请日：2008-08-22

申请人： Allen M. Barnett ,  Jeffrey Barnett ,  Kevin Allison ,  Jerome S. Culik

发明人： Allen M. Barnett ,  Jeffrey Barnett ,  Kevin Allison ,  Jerome S. Culik

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device having a front and back orientation and comprising: a crystalline substrate having a resistivity greater than about 0.01 ohm-cm; and an epitaxy thin-film layer in front of said substrate, said thin-film layer contacting said substrate in at least one region to define a p-n junction.

摘要翻译： 一种具有正面和背面取向的光伏器件，包括：电阻率大于约0.01欧姆 - 厘米的晶体衬底; 以及在所述衬底前面的外延薄膜层，所述薄膜层在至少一个区域中与所述衬底接触以限定p-n结。

公开(公告)号：US5356509A

公开(公告)日：1994-10-18

申请号：US962475

申请日：1992-10-16

申请人： Nancy Terranova ,  Allen M. Barnett

发明人： Nancy Terranova ,  Allen M. Barnett

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02639 ,  Y10S438/933

摘要： A method for growing a compound semiconductor, such as GaAs or InP, on a non-lattice matched substrate, such as Si, utilizes close-spaced vapor transport to deposit nucleation enhancing interlayer and liquid phase epitaxy to form the compound semiconductor. When used in conjunction with a growth mask, the method is also adapted to selective area epitaxy.

摘要翻译： 在诸如Si的非晶格匹配衬底上生长诸如GaAs或InP的化合物半导体的方法利用紧密间隔的蒸气传输来沉积成核增强层间和液相外延以形成化合物半导体。 当与生长掩模结合使用时，该方法也适用于选择性区域外延。

公开(公告)号：US4582952A

公开(公告)日：1986-04-15

申请号：US605791

申请日：1984-04-30

申请人： James B. McNeely ,  Allen M. Barnett

发明人： James B. McNeely ,  Allen M. Barnett

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/078 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/0687 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/544

摘要： An improved tandem solar cell includes a gallium arsenide phosphide top solar cell and silicon bottom solar cell. The gallium arsenide phosphide solar cell is fabricated on a transparent gallium phosphide substrate and either placed in series with the silicon solar cell for a two terminal device or wired separately for a four terminal device. The top solar cell should have an energy gap between 1.77 and 2.09 eV for optimum energy conversion efficiency. A compositionally graded transition layer between the gallium phosphide substrate and the active semiconductor layers reduces dislocations in the active region. A gallium phosphide cap layer over the gallium arsenide phosphide solar cell reduces surface recombination losses.

摘要翻译： 改进的串联太阳能电池包括砷化镓磷化物顶部太阳能电池和硅底部太阳能电池。 砷化镓磷化物太阳能电池制造在透明磷化镓衬底上，并且与硅太阳能电池串联放置在两端子器件上或者分别用于四端子器件。 顶级太阳能电池应具有1.77至2.09 eV之间的能隙，以获得最佳的能量转换效率。 磷化镓衬底和有源半导体层之间的组成渐变过渡层减少有源区中的位错。 砷化镓磷化物太阳能电池上的磷化镓帽层减少了表面复合损失。

公开(公告)号：US4544799A

公开(公告)日：1985-10-01

申请号：US605038

申请日：1984-04-30

申请人： Allen M. Barnett

发明人： Allen M. Barnett

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/06

CPC分类号： H01L31/0693 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/544

摘要： Passivated gallium arsenide solar photovoltaic cells with high resistance to moisture and oxygen are provided by means of a gallium arsenide phosphide window graded through its thickness from arsenic rich to phosphorus rich.

摘要翻译： 具有高耐水分和氧气的钝化砷化镓太阳能光伏电池通过其浓度从富砷浓缩至富磷的砷化镓磷化物窗口提供。

公开(公告)号：US4251286A

公开(公告)日：1981-02-17

申请号：US76596

申请日：1979-09-18

申请人： Allen M. Barnett

发明人： Allen M. Barnett

IPC分类号： H01L31/0336 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC分类号： H01L31/186 ,  H01L31/03365 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： Electrical path failures in thin film photovoltaic cells are avoided by disposing at least one blocking layer in the cell to prevent undesired electrical contact which might otherwise occur between the transparent and opaque electrical contacts as well as between one of the contacts and the semiconductor which is remote from it.

摘要翻译： 通过在电池中设置至少一个阻挡层来避免薄膜光伏电池中的电路故障，以防止可能发生在透明和不透明电触点之间以及触点之间的一个触点和远程半导体之间的不期望的电接触 从中。