公开(公告)号：US06498707B1

公开(公告)日：2002-12-24

申请号：US09367952

申请日：1999-08-25

申请人： Zheng Gao ,  Song S. Xue ,  Sining Mao

发明人： Zheng Gao ,  Song S. Xue ,  Sining Mao

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

摘要： A giant magnetoresistive stack (10) for use in a magnetic read head includes a NiFeCr seed layer (12), a ferromagnetic free layer (14), a nonmagnetic spacer layer (16), a ferromagnetic pinned layer (18), and a CrMnPt pinning layer (20). The ferromagnetic free layer (14) has a rotatable magnetic moment and is positioned adjacent to the NiFeCr seed layer (12). The ferromagnetic pinned layer (18) has a fixed magnetic moment and is positioned adjacent to the CrMnPt pinning layer (20). The nonmagnetic spacer layer (16) is positioned between the free layer (14) and the pinned layer (18). The combination of layers with their respective atomic percentage compositions and thicknesses results in a GMR ratio of at least 12%.

摘要翻译： 用于磁读头的巨磁阻堆叠（10）包括NiFeCr晶种层（12），铁磁自由层（14），非磁性间隔层（16），铁磁性钉扎层（18）和CrMnPt 钉扎层（20）。 铁磁自由层（14）具有可旋转的磁矩并且被定位成与NiFeCr晶种层（12）相邻。 铁磁钉扎层（18）具有固定的磁矩并且邻近CrMnPt钉扎层（20）定位。 非磁性间隔层（16）位于自由层（14）和被钉扎层（18）之间。 层与其各自的原子百分比组成和厚度的组合导致GMR比至少为12％。

公开(公告)号：US06256176B1

公开(公告)日：2001-07-03

申请号：US09355784

申请日：1999-07-27

申请人： Sining Mao ,  Nurul Amin ,  Edward S. Murdock

发明人： Sining Mao ,  Nurul Amin ,  Edward S. Murdock

IPC分类号： G11B539

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3935 ,  G11B5/3938 ,  G11B2005/3996

摘要： A magnetic read head (30) for use in a magnetic data storage and retrieval system has a first current contact (40), a second current contact (42), a magnetoresistive read sensor (34), and a demagnetization field balance element (50). Positioned between the first and second current contacts (40, 42) are both the magnetoresistive read sensor (34) and the demagnetization field balance element (50). The demagnetization field balance element (50) is both electrically isolated from and magnetically coupled to the magnetoresistive read sensor (34).

摘要翻译： 用于磁数据存储和检索系统的磁读头（30）具有第一电流触点（40），第二电流触点（42），磁阻读取传感器（34）和去磁场平衡元件（50） ）。 位于第一和第二电流触头（40,42）之间的是磁阻读取传感器（34）和去磁场平衡元件（50）。 去磁场平衡元件（50）与磁阻读取传感器（34）电隔离并磁耦合到磁阻读取传感器（34）。

公开(公告)号：US20130017413A1

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：US13620499

申请日：2012-09-14

申请人： Nurul Amin ,  Sining Mao

发明人： Nurul Amin ,  Sining Mao

IPC分类号： G11B5/673

CPC分类号： G11B5/84 ,  B26D3/16 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/743 ,  G11B5/82 ,  G11B5/851 ,  G11B5/865 ,  Y10T83/04

摘要： A method of fabricating a discrete track magnetic recording media. A base layer is provided onto which repeating and alternating magnetic layer and non-magnetic layers are deposited. The thickness of the magnetic layer corresponds to the width of the track of the recording media. A cylindrical rod can be used as the base layer, such that the alternating magnetic and non-magnetic layers spiraling or concentric layers around the rod. The resulting media layer can be cut or sliced into individual magnetic media or used to imprint other media discs with the discrete pattern of the media layer.

摘要翻译： 一种制造离散轨道磁记录介质的方法。 提供基层，沉积重复和交替的磁性层和非磁性层。 磁性层的厚度对应于记录介质的轨道的宽度。 可以使用圆柱形棒作为基层，使得交替的磁性和非磁性层围绕杆螺旋或同心层。 所得到的介质层可以被切割或切成单独的磁性介质，或用于用介质层的离散图案印刷其它介质盘。

公开(公告)号：US08194365B1

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12553897

申请日：2009-09-03

申请人： Qunwen Leng ,  Chando Park ,  Yimin Guo ,  Christian Kaiser ,  Mahendra Pakala ,  Sining Mao

发明人： Qunwen Leng ,  Chando Park ,  Yimin Guo ,  Christian Kaiser ,  Mahendra Pakala ,  Sining Mao

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3906 ,  G01R33/098 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A method and system for providing a magnetic structure in magnetic transducer is described. The magnetic structure includes a pinned layer, a nonmagnetic spacer layer, and a free layer. The nonmagnetic spacer layer is between the pinned layer and the free layer. The free layer includes a first magnetic layer, a second magnetic layer, and a magnetic insertion layer between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The first magnetic layer has a first magnetostriction. The second magnetic layer has a second magnetostriction opposite to the first magnetostriction. The magnetic insertion layer provides a growth texture barrier between the first magnetic layer and the second magnetic layer.

摘要翻译： 描述了一种用于在磁换能器中提供磁结构的方法和系统。 磁结构包括钉扎层，非磁性间隔层和自由层。 非磁性间隔层位于被钉扎层和自由层之间。 自由层包括在第一磁性层和第二磁性层之间的第一磁性层，第二磁性层和磁性插入层。 第一磁性层具有第一磁致伸缩。 第二磁性层具有与第一磁致伸缩相反的第二磁致伸缩。 磁性插入层在第一磁性层和第二磁性层之间提供生长结构屏障。

公开(公告)号：US20080225584A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11724740

申请日：2007-03-16

申请人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Yiming Shi ,  Song S. Xue ,  Sining Mao

发明人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Yiming Shi ,  Song S. Xue ,  Sining Mao

IPC分类号： G11C11/15

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673

摘要： The present invention relates to a memory cell including a first reference layer having a first magnetization with a first magnetization direction and a second reference layer having a second magnetization with a second magnetization direction substantially perpendicular to the first magnetization direction. A storage layer is disposed between the first reference layer and second reference layer and has a third magnetization direction about 45° from the first magnetization direction and about 135° from the second magnetization direction when the memory cell is in a first data state, and a fourth magnetization direction opposite the third magnetization direction when the memory cell is in a second data state.

摘要翻译： 本发明涉及包括具有第一磁化方向的第一磁化的第一参考层和具有基本上垂直于第一磁化方向的第二磁化方向的第二磁化的第二参考层的存储单元。 存储层设置在第一参考层和第二参考层之间，并且当存储单元处于第一数据状态时，具有从第一磁化方向大约45°的第三磁化方向和从第二磁化方向开始的大约135°的存储层， 当存储单元处于第二数据状态时与第三磁化方向相反的第四磁化方向。

公开(公告)号：US20080225435A1

公开(公告)日：2008-09-18

申请号：US11724536

申请日：2007-03-15

申请人： Chunhong Hou ,  Shaoping Li ,  John M. Wolf ,  Sining Mao

发明人： Chunhong Hou ,  Shaoping Li ,  John M. Wolf ,  Sining Mao

IPC分类号： G11B5/127

CPC分类号： G11B5/314 ,  G11B5/02 ,  G11B5/1278 ,  G11B2005/0005

摘要： A writer includes a write element having a tip portion for generating a write field and a conductive assembly that delivers a write assist current through the tip portion to generate a write assist field.

摘要翻译： 写入器包括具有用于产生写入场的尖端部分的写入元件和通过尖端部分传送写入辅助电流以产生写入辅助字段的导电组件。

公开(公告)号：US20080165452A1

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：US11651245

申请日：2007-01-09

申请人： Steven Paul Bozeman ,  Olle Gunnar Heinonen ,  Sining Mao

发明人： Steven Paul Bozeman ,  Olle Gunnar Heinonen ,  Sining Mao

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/1278 ,  G11B2005/0008

摘要： A magnetic writer includes a first write element and a second write element. The first write element produces a first field when a first current is passed through a first coil. The second write element, which is disposed relative to the first write element, produces a second field when a second current is passed through a second coil such that the second field at least partially opposes the first field.

摘要翻译： 磁性写入器包括第一写入元件和第二写入元件。 当第一电流通过第一线圈时，第一写元件产生第一场。 当第二电流通过第二线圈使得第二场至少部分地与第一场相对时，相对于第一写元件布置的第二写入元件产生第二场。

公开(公告)号：US20080137224A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11634767

申请日：2006-12-06

申请人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Yiming Shi ,  Sining Mao ,  Patrick J. Ryan ,  Song S. Xue ,  Shaoping Li

发明人： Kaizhong Gao ,  Haiwen Xi ,  Yiming Shi ,  Sining Mao ,  Patrick J. Ryan ,  Song S. Xue ,  Shaoping Li

IPC分类号： G11B5/02

CPC分类号： G11B5/1278 ,  G11B2005/001

摘要： A magnetic writer includes a write element and an oscillation device disposed adjacent to the write element. The first oscillation device includes a first magnetic layer, a second magnetic layer having a magnetization vector including a component perpendicular to a major plane of the first magnetic layer. The first nonmagnetic layer disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The first oscillation device generates a high-frequency oscillation field when a current is directed perpendicular to the major plane of the first magnetic layer.

摘要翻译： 磁性写入器包括写入元件和邻近写入元件设置的振荡器件。 第一振荡装置包括第一磁性层，具有包括垂直于第一磁性层的主平面的分量的磁化矢量的第二磁性层。 设置在第一磁性层和第二磁性层之间的第一非磁性层。 当电流垂直于第一磁性层的主平面时，第一振荡装置产生高频振荡场。

公开(公告)号：US07177122B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US10694483

申请日：2003-10-27

申请人： Chunhong Hou ,  Sining Mao ,  Eric S. Linville ,  Olle Heinonen ,  Xuefei Tang ,  Qing He ,  Eric W. Singleton ,  Song S. Xue

发明人： Chunhong Hou ,  Sining Mao ,  Eric S. Linville ,  Olle Heinonen ,  Xuefei Tang ,  Qing He ,  Eric W. Singleton ,  Song S. Xue

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/3932 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0018 ,  G11B2005/3996

摘要： A biasing system for a tri-layer reader stack magnetoresistive sensor is disclosed. The tri-layer reader stack includes a first ferromagnetic free layer, a second ferromagnetic free layer, and a magnetoresistive layer between the first and second ferromagnetic free layers. The free layers are positioned in the tri-layer reader stack such that quiescent state magnetizations of the free layers are antiparallel. A biasing layer is positioned with regard to the tri-layer reader stack, typically separated from the tri-layer reader stack by a nonmagnetic spacer layer. A biasing means is positioned such that a magnetization of the biasing layer is perpendicular to the quiescent state magnetizations of the free layers. This biasing results in the free layers having biased magnetizations directed substantially orthogonal with respect to each other.

摘要翻译： 公开了一种用于三层读取器堆叠磁阻传感器的偏置系统。 三层读取器堆叠包括第一铁磁自由层，第二铁磁自由层和在第一和第二铁磁性自由层之间的磁阻层。 自由层位于三层读取器堆叠中，使得自由层的静态状态磁化反平行。 偏置层相对于三层读取器堆叠定位，通常通过非磁性间隔层与三层读取器堆叠分离。 偏置装置被定位成使得偏置层的磁化垂直于自由层的静态状态磁化。 该偏置导致自由层具有相对于彼此基本上正交的偏磁化。

公开(公告)号：US20050088789A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10694483

申请日：2003-10-27

申请人： Chunhong Hou ,  Sining Mao ,  Eric Linville ,  Olle Heinonen ,  Xuefei Tang ,  Qing He ,  Eric Singleton ,  Song Xue

发明人： Chunhong Hou ,  Sining Mao ,  Eric Linville ,  Olle Heinonen ,  Xuefei Tang ,  Qing He ,  Eric Singleton ,  Song Xue

IPC分类号： G11B5/127 ,  G11B5/39

CPC分类号： G11B5/3932 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/0018 ,  G11B2005/3996

摘要： A biasing system for a tri-layer reader stack magnetoresistive sensor is disclosed. The tri-layer reader stack includes a first ferromagnetic free layer, a second ferromagnetic free layer, and a magnetoresistive layer between the first and second ferromagnetic free layers. The free layers are positioned in the tri-layer reader stack such that quiescent state magnetizations of the free layers are antiparallel. A biasing layer is positioned with regard to the tri-layer reader stack, typically separated from the tri-layer reader stack by a nonmagnetic spacer layer. A biasing means is positioned such that a magnetization of the biasing layer is perpendicular to the quiescent state magnetizations of the free layers. This biasing results in the free layers having biased magnetizations directed substantially orthogonal with respect to each other.

摘要翻译： 公开了一种用于三层读取器堆叠磁阻传感器的偏置系统。 三层读取器堆叠包括第一铁磁自由层，第二铁磁自由层和在第一和第二铁磁性自由层之间的磁阻层。 自由层位于三层读取器堆叠中，使得自由层的静态状态磁化反平行。 偏置层相对于三层读取器堆叠定位，通常通过非磁性间隔层与三层读取器堆叠分离。 偏置装置被定位成使得偏置层的磁化垂直于自由层的静态状态磁化。 该偏置导致自由层具有相对于彼此基本上正交的偏磁化。