公开(公告)号：US20090101902A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：US12076297

申请日：2008-03-17

申请人： Han-Tu Lin ,  Chien-Hung Chen ,  Shiun-Chang Jan

发明人： Han-Tu Lin ,  Chien-Hung Chen ,  Shiun-Chang Jan

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

摘要： A substrate comprising a thin-film-transistor (TFT) region, a pixel region, a gate-line region and a data-line region is provided. A transparent conductive layer and a first metal layer are orderly formed on the substrate. A conductive stack layer is formed within each of the TFT/pixel/gate-line regions and the end of the data-line region. Next, a first insulating layer and a semiconductor layer are orderly formed, and a patterned first insulating layer and a patterned semiconductor layer are formed above the conductive stack layer within the TFT region. Then, a second metal layer and a first photoresist layer are respectively formed. Afterwards, the second and the first metal layers are patterned by using the first photoresist layer as a photomask. Finally, the first photoresist layer is reflowed by heat, and part of the reflowed first photoresist layer covers a channel formed within the TFT region.

摘要翻译： 提供了包括薄膜晶体管（TFT）区域，像素区域，栅极线区域和数据线区域的衬底。 在衬底上有序地形成透明导电层和第一金属层。 在每个TFT /像素/栅极线区域和数据线区域的末端中形成导电堆叠层。 接下来，有序地形成第一绝缘层和半导体层，并且在TFT区域内的导电堆叠层的上方形成图案化的第一绝缘层和图案化半导体层。 然后，分别形成第二金属层和第一光致抗蚀剂层。 之后，通过使用第一光致抗蚀剂层作为光掩模来对第二和第一金属层进行构图。 最后，第一光致抗蚀剂层通过热回流，并且回流的第一光致抗蚀剂层的一部分覆盖形成在TFT区域内的沟道。

公开(公告)号：US20090087954A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12017342

申请日：2008-01-22

申请人： Han-Tu Lin ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Han-Tu Lin ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14692 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A method for fabricating a pixel structure using a laser ablation process is provided. This fabrication method forms a gate, a channel layer, a source, a drain, a passivation layer, and a pixel electrode sequentially by using a laser ablation process. Particularly, the fabrication method is not similar to a photolithography and etching process, so as to reduce the complicated photolithography and etching processes, such as spin coating process, soft-bake, hard-bake, exposure, developing, etching, and stripping. Therefore, the fabrication method simplifies the process and thus reduces the fabrication cost.

摘要翻译： 提供了一种使用激光烧蚀工艺制造像素结构的方法。 该制造方法通过使用激光烧蚀工艺依次形成栅极，沟道层，源极，漏极，钝化层和像素电极。 特别地，制造方法与光刻和蚀刻工艺不同，从而减少旋涂，软烘烤，硬烘烤，曝光，显影，蚀刻和剥离等复杂的光刻和蚀刻工艺。 因此，制造方法简化了工艺，从而降低了制造成本。

公开(公告)号：US20090053861A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12040914

申请日：2008-03-02

申请人： Chin-Yueh Liao ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Chin-Yueh Liao ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： A method for fabricating a pixel structure is provided. A substrate is provided, and a gate is formed on the substrate. A gate dielectric layer covering the gate is formed on the substrate. A semiconductor layer is formed on the gate dielectric layer. A first shadow mask exposing parts of the semiconductor layer is provided above the semiconductor layer. A laser is irradiated on the semiconductor layer through the first shadow mask to remove parts of semiconductor layer and form a channel layer. A source and a drain are respectively formed on the channel layer at both sides of the gate. A patterned passivation layer which covers the channel layer and exposes the drain is formed. A conductive layer is formed to cover the patterned passivation layer and the drain. The conductive layer is automatically patterned by the patterned passivation layer to form a pixel electrode.

摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 提供衬底，并且在衬底上形成栅极。 在基板上形成覆盖栅极的栅介质层。 在栅极电介质层上形成半导体层。 暴露半导体层的部分的第一荫罩设置在半导体层的上方。 通过第一荫罩将激光照射在半导体层上，以除去半导体层的一部分并形成沟道层。 源极和漏极分别形成在栅极两侧的沟道层上。 形成覆盖沟道层并露出漏极的图案化钝化层。 形成导电层以覆盖图案化的钝化层和漏极。 导电层由图形化的钝化层自动图案化以形成像素电极。

公开(公告)号：US08476100B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US12731152

申请日：2010-03-25

申请人： Kuang-Ting Chou ,  Han-Tang Chou ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin

发明人： Kuang-Ting Chou ,  Han-Tang Chou ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method of forming thin film solar cell includes the following steps. A substrate is provided, and a plurality of first electrodes are formed on the substrate. A printing process is performed to print a light-absorbing material on the substrate and the first electrodes to form a plurality of light-absorbing patterns. Each of the light-absorbing patterns corresponds to two adjacent first electrodes, partially covers the two adjacent first electrodes, and partially exposes the two adjacent first electrodes. A plurality of second electrodes are formed on the light-absorbing patterns.

摘要翻译： 一种形成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤。 提供基板，并且在基板上形成多个第一电极。 执行打印处理以在基板和第一电极上印刷光吸收材料以形成多个光吸收图案。 每个光吸收图案对应于两个相邻的第一电极，部分地覆盖两个相邻的第一电极，并且部分地暴露两个相邻的第一电极。 多个第二电极形成在光吸收图案上。

公开(公告)号：US20110318856A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US13225568

申请日：2011-09-06

申请人： Shine-Kai Tseng ,  Han-Tu Lin ,  Shiun-Chang Jan ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Shine-Kai Tseng ,  Han-Tu Lin ,  Shiun-Chang Jan ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for fabricating a TFT array substrate includes following steps. A gate pattern and a first pad pattern are formed on a substrate. A gate insulation layer and a semiconductor layer covering the two patterns are sequentially formed. A patterned photoresist layer having different resist blocks is formed, and patterns and thicknesses of the resist blocks in different regions are adjusted. The semiconductor layer and the gate insulation layer above the first pad pattern are removed through performing an etching process and reducing a thickness of the patterned photoresist layer. After removing the patterned photoresist layer, a source pattern, a drain pattern, and a second pad pattern electrically connected to the first pad pattern are formed. A patterned passivation layer is formed on the gate insulation layer and has a second opening exposing the source pattern or the drain pattern and a third opening exposing the second pad pattern.

摘要翻译： 制造TFT阵列基板的方法包括以下步骤。 在基板上形成栅极图案和第一焊盘图案。 依次形成覆盖这两个图案的栅绝缘层和半导体层。 形成具有不同抗蚀剂块的图案化光致抗蚀剂层，并且调整不同区域中的抗蚀剂块的图案和厚度。 通过执行蚀刻工艺并减小图案化光致抗蚀剂层的厚度来去除第一焊盘图案上方的半导体层和栅极绝缘层。 在去除图案化的光致抗蚀剂层之后，形成电连接到第一焊盘图案的源图案，漏极图案和第二焊盘图案。 图案化的钝化层形成在栅极绝缘层上，并且具有暴露源图案或漏极图案的第二开口和暴露第二焊盘图案的第三开口。

公开(公告)号：US07998803B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US13013887

申请日：2011-01-26

申请人： Han-Tu Lin ,  Chien-Hung Chen

发明人： Han-Tu Lin ,  Chien-Hung Chen

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214

摘要： A method for manufacturing a pixel structure is provided. First, a first mask process is performed to form a patterned first metal layer on a substrate, wherein the patterned first metal layer includes a gate. Next, a second mask process is performed to form a patterned insulating layer and a patterned semiconductor layer over the gate, wherein the patterned insulating layer is disposed on the patterned first metal layer, and the patterned semiconductor layer is disposed on the patterned insulating layer. Then, a third mask process is performed to define a thin film transistor (TFT) and a pixel electrode connected thereto and to form a passivation layer to cover the TFT.

摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 首先，执行第一掩模处理以在基板上形成图案化的第一金属层，其中图案化的第一金属层包括栅极。 接下来，执行第二掩模处理以在栅极上形成图案化绝缘层和图案化半导体层，其中图案化绝缘层设置在图案化的第一金属层上，并且图案化的半导体层设置在图案化的绝缘层上。 然后，执行第三掩模处理以限定连接到其上的薄膜晶体管（TFT）和像素电极，并形成覆盖TFT的钝化层。

公开(公告)号：US20110155234A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：US12731152

申请日：2010-03-25

申请人： Kuang-Ting Chou ,  Han-Tang Chou ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin

发明人： Kuang-Ting Chou ,  Han-Tang Chou ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

CPC分类号： H01L31/0749 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： A method of forming thin film solar cell includes the following steps. A substrate is provided, and a plurality of first electrodes are formed on the substrate. A printing process is performed to print a light-absorbing material on the substrate and the first electrodes to form a plurality of light-absorbing patterns. Each of the light-absorbing patterns corresponds to two adjacent first electrodes, partially covers the two adjacent first electrodes, and partially exposes the two adjacent first electrodes. A plurality of second electrodes are formed on the light-absorbing patterns.

摘要翻译： 一种形成薄膜太阳能电池的方法包括以下步骤。 提供基板，并且在基板上形成多个第一电极。 执行打印处理以在基板和第一电极上印刷光吸收材料以形成多个光吸收图案。 每个光吸收图案对应于两个相邻的第一电极，部分地覆盖两个相邻的第一电极，并且部分地暴露两个相邻的第一电极。 多个第二电极形成在光吸收图案上。

公开(公告)号：US07816159B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12105279

申请日：2008-04-18

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Shiun-Chang Jan ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Shiun-Chang Jan ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

摘要： A method for fabricating a pixel structure includes following steps. First, a substrate is provided. Next, a first conductive layer is formed on the substrate. Next, a first shadow mask is disposed over the first conductive layer. Next, a laser is applied through the first shadow mask to irradiate the first conductive layer to form a gate. Next, a gate dielectric layer is formed on the substrate to cover the gate. After that, a channel layer, a source and a drain are simultaneously formed on the gate dielectric layer over the gate, wherein the gate, the channel layer, the source and the drain together form a thin film transistor. A patterned passivation layer is formed on the thin film transistor and the patterned passivation layer exposes a part of the drain. Furthermore, a pixel electrode electrically connecting to the drain is formed.

摘要翻译： 一种用于制造像素结构的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 接下来，在基板上形成第一导电层。 接下来，在第一导电层上设置第一荫罩。 接下来，通过第一荫罩施加激光以照射第一导电层以形成栅极。 接下来，在基板上形成栅电介质层以覆盖栅极。 之后，沟道层，源极和漏极同时形成在栅极上的栅极电介质层上，其中栅极，沟道层，源极和漏极一起形成薄膜晶体管。 图案化的钝化层形成在薄膜晶体管上，并且图案化的钝化层露出一部分漏极。 此外，形成电连接到漏极的像素电极。

公开(公告)号：US07811867B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12617712

申请日：2009-11-12

申请人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for manufacturing a pixel structure is provided. A gate and a gate insulating layer are sequentially formed on a substrate. A semiconductor layer and a second metal layer are sequentially formed on the gate insulating layer. The semiconductor layer and the second metal layer are patterned to form a channel layer, a source and a drain by using a patterned photoresist layer formed thereon, wherein the source and drain are disposed on a portion of the channel layer. The gate, channel, source and drain form a thin film transistor. A passivation layer is formed on the patterned photoresist layer, the gate insulating layer and the thin film transistor. Then, the patterned photoresist layer is removed, such that the passivation layer thereon is removed simultaneously to form a patterned passivation layer and the drain is exposed. A pixel electrode is formed on the patterned passivation layer and the drain.

摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 栅极和栅极绝缘层依次形成在基板上。 半导体层和第二金属层依次形成在栅极绝缘层上。 通过使用形成在其上的图案化光致抗蚀剂层，将半导体层和第二金属层图案化以形成沟道层，源极和漏极，其中源极和漏极设置在沟道层的一部分上。 栅极，沟道，源极和漏极形成薄膜晶体管。 在图案化的光致抗蚀剂层，栅极绝缘层和薄膜晶体管上形成钝化层。 然后，去除图案化的光致抗蚀剂层，使得其上的钝化层被同时去除以形成图案化的钝化层，并且漏极被暴露。 在图案化的钝化层和漏极上形成像素电极。

公开(公告)号：US07781776B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US12190887

申请日：2008-08-13

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Hsiang-Lin Lin ,  Han-Tu Lin

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Hsiang-Lin Lin ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/124

摘要： An active device array substrate and its fabricating method are provided. According to the subject invention, the elements of an array substrate such as the thin film transistors, gate lines, gate pads, data lines, data pads and storage electrodes, are provided by forming a patterned first metal layer, an insulating layer, a patterned semiconductor layer and a patterned metal multilayer. Furthermore, the subject invention uses the means of selectively etching certain layers. Using the aforesaid means, the array substrate of the subject invention has some layers with under-cut structures, and thus, the number of the time-consuming and complicated mask etching process involved in the production of an array substrate can be reduced. The subject invention provides a relatively simple and time-saving method for producing an array substrate.

摘要翻译： 提供一种有源器件阵列衬底及其制造方法。 根据本发明，诸如薄膜晶体管，栅极线，栅极焊盘，数据线，数据焊盘和存储电极之类的阵列基板的元件通过形成图案化的第一金属层，绝缘层，图案化 半导体层和图案化金属多层。 此外，本发明使用选择性蚀刻某些层的方法。 使用上述方法，本发明的阵列基板具有一些具有欠切割结构的层，因此可以减少与制造阵列基板有关的耗时且复杂的掩模蚀刻工艺的数量。 本发明提供了用于制造阵列基板的相对简单且省时的方法。