公开(公告)号：US07816159B2

公开(公告)日：2010-10-19

申请号：US12105279

申请日：2008-04-18

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Shiun-Chang Jan ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Shiun-Chang Jan ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

摘要： A method for fabricating a pixel structure includes following steps. First, a substrate is provided. Next, a first conductive layer is formed on the substrate. Next, a first shadow mask is disposed over the first conductive layer. Next, a laser is applied through the first shadow mask to irradiate the first conductive layer to form a gate. Next, a gate dielectric layer is formed on the substrate to cover the gate. After that, a channel layer, a source and a drain are simultaneously formed on the gate dielectric layer over the gate, wherein the gate, the channel layer, the source and the drain together form a thin film transistor. A patterned passivation layer is formed on the thin film transistor and the patterned passivation layer exposes a part of the drain. Furthermore, a pixel electrode electrically connecting to the drain is formed.

摘要翻译： 一种用于制造像素结构的方法包括以下步骤。 首先，提供基板。 接下来，在基板上形成第一导电层。 接下来，在第一导电层上设置第一荫罩。 接下来，通过第一荫罩施加激光以照射第一导电层以形成栅极。 接下来，在基板上形成栅电介质层以覆盖栅极。 之后，沟道层，源极和漏极同时形成在栅极上的栅极电介质层上，其中栅极，沟道层，源极和漏极一起形成薄膜晶体管。 图案化的钝化层形成在薄膜晶体管上，并且图案化的钝化层露出一部分漏极。 此外，形成电连接到漏极的像素电极。

公开(公告)号：US07811867B2

公开(公告)日：2010-10-12

申请号：US12617712

申请日：2009-11-12

申请人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang

发明人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for manufacturing a pixel structure is provided. A gate and a gate insulating layer are sequentially formed on a substrate. A semiconductor layer and a second metal layer are sequentially formed on the gate insulating layer. The semiconductor layer and the second metal layer are patterned to form a channel layer, a source and a drain by using a patterned photoresist layer formed thereon, wherein the source and drain are disposed on a portion of the channel layer. The gate, channel, source and drain form a thin film transistor. A passivation layer is formed on the patterned photoresist layer, the gate insulating layer and the thin film transistor. Then, the patterned photoresist layer is removed, such that the passivation layer thereon is removed simultaneously to form a patterned passivation layer and the drain is exposed. A pixel electrode is formed on the patterned passivation layer and the drain.

摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 栅极和栅极绝缘层依次形成在基板上。 半导体层和第二金属层依次形成在栅极绝缘层上。 通过使用形成在其上的图案化光致抗蚀剂层，将半导体层和第二金属层图案化以形成沟道层，源极和漏极，其中源极和漏极设置在沟道层的一部分上。 栅极，沟道，源极和漏极形成薄膜晶体管。 在图案化的光致抗蚀剂层，栅极绝缘层和薄膜晶体管上形成钝化层。 然后，去除图案化的光致抗蚀剂层，使得其上的钝化层被同时去除以形成图案化的钝化层，并且漏极被暴露。 在图案化的钝化层和漏极上形成像素电极。

公开(公告)号：US07781766B2

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：US11625359

申请日：2007-01-22

申请人： Chih-Hung Shih ,  Ming-Yuan Huang ,  Chih-Chun Yang

发明人： Chih-Hung Shih ,  Ming-Yuan Huang ,  Chih-Chun Yang

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255

摘要： The invention provides a method for manufacturing an array substrate utilizing a laser ablation process. A conductive layer can be selectively patterned by the laser ablation process without a photo mask due to different adhesions between the conductive layer and other materials. The patterned conductive layer thus formed adjoins an inorganic passivation layer to provide a substantially continuous surface.

摘要翻译： 本发明提供一种使用激光烧蚀工艺制造阵列基板的方法。 由于导电层和其它材料之间的不同粘附，可以通过激光烧蚀工艺来选择性地构图导电层，而不需要光掩膜。 如此形成的图案化导电层与无机钝化层相邻以提供基本连续的表面。

公开(公告)号：US07749821B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US12489451

申请日：2009-06-23

申请人： Hsiang-Chih Hsiao ,  Chih-Chun Yang ,  Chin-Yueh Liao

发明人： Hsiang-Chih Hsiao ,  Chih-Chun Yang ,  Chin-Yueh Liao

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

摘要： A method of fabricating a pixel structure includes first forming a first, a second, and a third dielectric layers over an active device and a substrate. Etching rates of the first and the third dielectric layers are lower than an etching rate of the second dielectric layer. A contact opening exposing a portion of the active device is formed in the third, the second, and the first dielectric layers. The third and the second dielectric layers are patterned to form a number of stacked structures. An electrode material layer is formed and fills the contact opening. The electrode material layer located on the stacked structures and the electrode material layer located on the first dielectric layer are separated. The stacked structures and the electrode material layer thereon are simultaneously removed to define a pixel electrode and to form at least an alignment slit in the pixel electrode.

摘要翻译： 制造像素结构的方法包括首先在有源器件和衬底上形成第一，第二和第三电介质层。 第一和第三介电层的蚀刻速率低于第二介电层的蚀刻速率。 在第三，第二和第一电介质层中形成暴露有源器件的一部分的接触开口。 图案化第三和第二介电层以形成多个层叠结构。 形成电极材料层并填充接触开口。 位于堆叠结构上的电极材料层和位于第一介电层上的电极材料层被分离。 同时去除其上的层叠结构和电极材料层以限定像素电极并且在像素电极中形成至少一个对准狭缝。

公开(公告)号：US20100084660A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：US12633975

申请日：2009-12-09

申请人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Han-Tu Lin

发明人： Kuo-Lung Fang ,  Chih-Chun Yang ,  Han-Tu Lin

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124

摘要： A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure includes a substrate, a gate disposed thereon, an insulation layer disposed on the substrate and overlying the gate, a patterned semiconductor layer disposed on the insulation layer, a source and a drain disposed on the patterned semiconductor layer, a protective layer overlying the insulation layer, the source and the boundary of the drain to expose a portion of the drain, and a pixel electrode disposed on the substrate, overlying the protective layer overlying the boundary of the drain, electrically connected to the exposed drain.

摘要翻译： 提供半导体结构。 半导体结构包括衬底，设置在其上的栅极，设置在衬底上并覆盖栅极的绝缘层，设置在绝缘层上的图案化半导体层，设置在图案化半导体层上的源极和漏极，保护层覆盖 所述绝缘层，所述漏极的源极和边界以暴露所述漏极的一部分，以及设置在所述衬底上的像素电极，覆盖所述保护层，所述保护层覆盖所述漏极的边界，电连接到所述暴露的漏极。

公开(公告)号：US07648865B1

公开(公告)日：2010-01-19

申请号：US12233607

申请日：2008-09-19

申请人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for manufacturing a pixel structure is provided. First, a gate and a gate insulating layer are sequentially formed on the substrate. A channel layer and a second metal layer are sequentially formed on the gate insulating layer. The second metal layer is patterned to form a source and a drain by using a patterned photoresist layer formed thereon, wherein the source and the drain are disposed on a portion of the channel layer. The gate, the channel, the source and the drain form a thin film transistor. A passivation layer is formed on the patterned photoresist layer, the gate insulating layer and the thin film transistor. Then, the patterned photoresist layer is removed, such that the passivation layer thereon is removed simultaneously to form a patterned passivation layer and the drain is exposed. A pixel electrode is formed on the patterned passivation layer and the drain.

摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 首先，在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层。 沟道层和第二金属层依次形成在栅极绝缘层上。 图案化第二金属层以通过使用其上形成的图案化光致抗蚀剂层来形成源极和漏极，其中源极和漏极设置在沟道层的一部分上。 栅极，沟道，源极和漏极形成薄膜晶体管。 在图案化的光致抗蚀剂层，栅极绝缘层和薄膜晶体管上形成钝化层。 然后，去除图案化的光致抗蚀剂层，使得其上的钝化层被同时去除以形成图案化的钝化层，并且漏极被暴露。 在图案化的钝化层和漏极上形成像素电极。

公开(公告)号：US20090148987A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12105278

申请日：2008-04-18

申请人： Ta-Wen Liao ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Chin-Yueh Liao ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Ta-Wen Liao ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Chin-Yueh Liao ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G02F1/136227 ,  G02F1/13439

摘要： A method for fabricating a pixel structure is disclosed. A substrate is provided. A first conductive layer is formed on the substrate, and a first shadow mask exposing a portion of the first conductive layer is disposed over the first conductive layer. Laser is used to irradiate the first conductive layer for removing the part of the first conductive layer and forming a gate. A gate dielectric layer is formed on the substrate to cover the gate. A channel layer is formed on the gate dielectric layer over the gate. A source and a drain are formed on the channel layer and respectively above both sides of the gate. A patterned passivation layer is formed to cover the channel layer and expose the drain. An electrode material layer is formed to cover the patterned passivation layer and the exposed drain.

摘要翻译： 公开了一种用于制造像素结构的方法。 提供基板。 第一导电层形成在衬底上，并且暴露第一导电层的一部分的第一阴影掩模设置在第一导电层上。 激光用于照射第一导电层以去除第一导电层的一部分并形成栅极。 栅极电介质层形成在衬底上以覆盖栅极。 沟道层形成在栅极上的栅极电介质层上。 源极和漏极形成在沟道层上并且分别在栅极的两侧上方。 形成图案化的钝化层以覆盖沟道层并露出漏极。 形成电极材料层以覆盖图案化的钝化层和暴露的漏极。

公开(公告)号：US20100285623A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12837787

申请日：2010-07-16

申请人： Chih-Hung Shih ,  Ming-Yuan Huang ,  Chih-Chun Yang

发明人： Chih-Hung Shih ,  Ming-Yuan Huang ,  Chih-Chun Yang

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255

摘要： The invention provides a method for manufacturing an array substrate utilizing a laser ablation process. A conductive layer can be selectively patterned by the laser ablation process without a photo mask due to different adhesions between the conductive layer and other materials. The patterned conductive layer thus formed adjoins an inorganic passivation layer to provide a substantially continuous surface.

摘要翻译： 本发明提供一种使用激光烧蚀工艺制造阵列基板的方法。 由于导电层和其它材料之间的不同粘附，可以通过激光烧蚀工艺来选择性地构图导电层，而不需要光掩膜。 如此形成的图案化导电层与无机钝化层相邻以提供基本连续的表面。

公开(公告)号：US20100055853A1

公开(公告)日：2010-03-04

申请号：US12617712

申请日：2009-11-12

申请人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang ,  Chia-Chi Tsai

发明人： Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuan Huang ,  Han-Tu Lin ,  Chih-Hung Shih ,  Ta-Wen Liao ,  Kuo-Lung Fang ,  Chia-Chi Tsai

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1288

摘要： A method for manufacturing a pixel structure is provided. A gate and a gate insulating layer are sequentially formed on a substrate. A semiconductor layer and a second metal layer are sequentially formed on the gate insulating layer. The semiconductor layer and the second metal layer are patterned to form a channel layer, a source and a drain by using a patterned photoresist layer formed thereon, wherein the source and drain are disposed on a portion of the channel layer. The gate, channel, source and drain form a thin film transistor. A passivation layer is formed on the patterned photoresist layer, the gate insulating layer and the thin film transistor. Then, the patterned photoresist layer is removed, such that the passivation layer thereon is removed simultaneously to form a patterned passivation layer and the drain is exposed. A pixel electrode is formed on the patterned passivation layer and the drain.

摘要翻译： 提供了一种用于制造像素结构的方法。 栅极和栅极绝缘层依次形成在基板上。 半导体层和第二金属层依次形成在栅极绝缘层上。 通过使用形成在其上的图案化光致抗蚀剂层，将半导体层和第二金属层图案化以形成沟道层，源极和漏极，其中源极和漏极设置在沟道层的一部分上。 栅极，沟道，源极和漏极形成薄膜晶体管。 在图案化的光致抗蚀剂层，栅极绝缘层和薄膜晶体管上形成钝化层。 然后，去除图案化的光致抗蚀剂层，使得其上的钝化层被同时去除以形成图案化的钝化层，并且漏极被暴露。 在图案化的钝化层和漏极上形成像素电极。

公开(公告)号：US20100025698A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12576840

申请日：2009-10-09

申请人： Chih-Hung Shih ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuang Huang

发明人： Chih-Hung Shih ,  Chih-Chun Yang ,  Ming-Yuang Huang

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A display panel includes a substrate having a display area and a blank area. The blank area includes at least one of a non-metal line region and a metal-line region. The non-metal line region includes a plurality of insulating patterns and a first conductive pattern layer formed on the substrate. The insulating patterns are isolated from each other by the first conductive pattern layer. The metal-line region includes an insulating multilayer formed on the substrate and a conductive pattern layer formed on the insulating multilayer. Several isolated zones are formed by the conductive pattern layer on the surface of the insulating multilayer.

摘要翻译： 显示面板包括具有显示区域和空白区域的基板。 空白区域包括非金属线区域和金属线区域中的至少一个。 非金属线区域包括多个绝缘图案和形成在基板上的第一导电图案层。 绝缘图案通过第一导电图案层彼此隔离。 金属线区域包括形成在基板上的绝缘层和形成在绝缘层上的导电图案层。 由绝缘多层的表面上的导电图案层形成几个隔离区。