公开(公告)号：USD555130S1

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US29253887

申请日：2006-02-15

申请人： Ki-Sung Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Ki-Sung Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD543189S1

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US29254686

申请日：2006-02-28

申请人： Yun-Bin Jung ,  Ki-Sung Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Yun-Bin Jung ,  Ki-Sung Kim ,  Yoon-Young Cho ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD520482S1

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US29217189

申请日：2004-11-15

申请人： Ki-Sung Kim ,  Chang-Hwan Hwang ,  Yoon-Young Cho

设计人： Ki-Sung Kim ,  Chang-Hwan Hwang ,  Yoon-Young Cho

公开(公告)号：USD515061S1

公开(公告)日：2006-02-14

申请号：US29217183

申请日：2004-11-15

申请人： Ki-Sung Kim ,  Chang-Hwan Hwang ,  Yoon-Young Cho

设计人： Ki-Sung Kim ,  Chang-Hwan Hwang ,  Yoon-Young Cho

公开(公告)号：USD512396S1

公开(公告)日：2005-12-06

申请号：US29217186

申请日：2004-11-15

申请人： Ki-Sung Kim ,  Chang-Hwan Hwang ,  Yoon-Young Cho

设计人： Ki-Sung Kim ,  Chang-Hwan Hwang ,  Yoon-Young Cho

公开(公告)号：US08116117B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12632018

申请日：2009-12-07

申请人： Woo-Yeong Cho ,  Ki-Sung Kim ,  Du-Eung Kim ,  Kwang-Jin Lee ,  Jun-Soo Bae

发明人： Woo-Yeong Cho ,  Ki-Sung Kim ,  Du-Eung Kim ,  Kwang-Jin Lee ,  Jun-Soo Bae

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/5678 ,  G11C7/04 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2211/5634

摘要： Disclosed is a method of driving a multi-level variable resistive memory device. A method of driving a multi-level variable resistive memory device includes supplying a write current to a variable resistive memory cell so as to change resistance of the variable resistive memory cell, verifying whether or not changed resistance enters a predetermined resistance window, the intended resistance window depending on the resistance of reference cells, and supplying a write current having an increased or decreased amount from the write current supplied most recently on the basis of the verification result so as to change resistance of the variable resistive memory cell.

摘要翻译： 公开了一种驱动多电平可变电阻存储器件的方法。 一种驱动多电平可变电阻存储器件的方法包括向可变电阻存储器单元提供写入电流，以便改变可变电阻存储器单元的电阻，验证改变的电阻是否进入预定电阻窗，预期电阻 窗口，取决于参考单元的电阻，并且基于验证结果从最近提供的写入电流提供具有增加或减少量的写入电流，以便改变可变电阻存储单元的电阻。

公开(公告)号：USD647500S1

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US29381921

申请日：2010-12-27

申请人： Ki-Sung Kim

设计人： Ki-Sung Kim

公开(公告)号：US20110193214A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US13089120

申请日：2011-04-18

申请人： Soo-Jin Paek ,  Woo-Seop Kim ,  Ki-Sung Kim

发明人： Soo-Jin Paek ,  Woo-Seop Kim ,  Ki-Sung Kim

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/0401

摘要： A semiconductor package having a structure in which heat produced in the interior of the package is effectively spread to the outside of the package is provided. The semiconductor package includes one or more semiconductor chips, one or more substrates (PCBs) having the semiconductor chips respectively attached thereto, a plurality of conductive balls such as a plurality of solder balls to provide voltages and signals to the one or more semiconductor chips, and a heat sink positioned to spread heat produced in the interior of the package to the outside and directly connected to at least one of the plurality of solder balls.

摘要翻译： 提供了一种半导体封装，其具有将封装内部产生的热有效地扩散到封装外部的结构。 半导体封装包括一个或多个半导体芯片，分别具有半导体芯片的一个或多个基板（PCB），多个导电球，例如多个焊球，以向一个或多个半导体芯片提供电压和信号， 以及散热器，定位成将包装内部产生的热量扩散到外部并直接连接到多个焊球中的至少一个。

公开(公告)号：USD591714S1

公开(公告)日：2009-05-05

申请号：US29322259

申请日：2008-07-31

申请人： Ki-Sung Kim ,  Seung-Min Park ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Ki-Sung Kim ,  Seung-Min Park ,  Chang-Hwan Hwang

公开(公告)号：USD581383S1

公开(公告)日：2008-11-25

申请号：US29290366

申请日：2007-11-27

申请人： Ki-Sung Kim ,  Sang-Min Hyun ,  Chang-Hwan Hwang

设计人： Ki-Sung Kim ,  Sang-Min Hyun ,  Chang-Hwan Hwang