公开(公告)号：US20120042125A1

公开(公告)日：2012-02-16

申请号：US12856985

申请日：2010-08-16

申请人： Ajay Kumar ,  Rajesh Chepuri ,  Shailesh Marathe ,  Niranjan Pendharkar

发明人： Ajay Kumar ,  Rajesh Chepuri ,  Shailesh Marathe ,  Niranjan Pendharkar

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/08 ,  G06F12/00

CPC分类号： G06F12/126 ,  G06F11/0709 ,  G06F11/0787 ,  G06F12/0866

摘要： A computer-implemented method for efficient sequential logging on caching-enabled storage devices may include 1) identifying a storage device with a cache, 2) allocating space on the storage device for a sequential log, 3) calculating a target size for the sequential log based at least in part on an input/output load directed to the sequential log, and then 4) restricting the sequential log to a portion of the allocated space corresponding to the target size. Various other methods, systems, and computer-readable media are also disclosed.

摘要翻译： 用于在启用高速缓存的存储设备上有效顺序登录的计算机实现的方法可以包括：1）使用高速缓存识别存储设备，2）在存储设备上分配用于顺序日志的空间，3）计算顺序日志的目标大小 至少部分地基于指向顺序日志的输入/输出负载，然后4）将顺序日志限制为对应于目标大小的所分配的空间的一部分。 还公开了各种其它方法，系统和计算机可读介质。

公开(公告)号：US08084757B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12015984

申请日：2008-01-17

申请人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar

发明人： Banqiu Wu ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H05H1/00

CPC分类号： G03F7/70916 ,  G03F7/70858

摘要： Embodiments of the present invention provide methods and apparatus for removing debris particles using a stream of charged species. One embodiment of the present invention provides an apparatus for removing debris particles from a beam of radiation comprising a charged species source configured to dispense electrically charged species, and a collecting plate biased electrically opposite to the charged species from the charged species source, wherein the collecting plate and the charged species source are disposed on opposite sides of the beam of radiation, a stream of charged species from the charged species source to the collecting plate intersects the beam of radiation, the stream of charged species is configured to attach and remove debris particles from the beam of radiation by electrostatic force, and the collecting plate is configured to receive the charged species and the debris particles removed from the beam of radiation.

摘要翻译： 本发明的实施例提供了使用带电物质流去除碎屑颗粒的方法和装置。 本发明的一个实施例提供了一种用于从辐射束去除碎屑颗粒的装置，包括被配置成分配带电物质的带电物质源，以及与带电物质源电荷相反的收集板，其中收集 板和带电物质源设置在辐射束的相对侧上，从带电物质源到收集板的带电物流流与辐射束相交，带电物质流被配置为附着和去除碎屑颗粒 通过静电力从辐射束获得，并且收集板被配置为接收带电物质并且从辐射束去除碎屑颗粒。

公开(公告)号：US20110312157A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13160713

申请日：2011-06-15

申请人： Wei-Sheng Lei ,  Brad Eaton ,  Madhava Rao Yalamanchili ,  Saravjeet Singh ,  Ajay Kumar ,  James M. Holden

发明人： Wei-Sheng Lei ,  Brad Eaton ,  Madhava Rao Yalamanchili ,  Saravjeet Singh ,  Ajay Kumar ,  James M. Holden

IPC分类号： H01L21/822 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L21/822 ,  B23K26/36 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of dicing semiconductor wafers, each wafer having a plurality of integrated circuits, are described. A method includes forming a mask above the semiconductor wafer. The mask is composed of a layer covering and protecting the integrated circuits. The mask is patterned with a femtosecond-based laser scribing process to provide a patterned mask with gaps. The patterning exposes regions of the semiconductor wafer between the integrated circuits. The semiconductor wafer is then etched through the gaps in the patterned mask to singulate the integrated circuits.

摘要翻译： 对具有多个集成电路的每个晶片进行切割的半导体晶片的方法进行了说明。 一种方法包括在半导体晶片上形成掩模。 掩模由覆盖和保护集成电路的层组成。 使用基于飞秒的激光划线工艺对掩模进行图案化以提供具有间隙的图案化掩模。 图案化使得集成电路之间的半导体晶片的区域露出。 然后通过图案化掩模中的间隙蚀刻半导体晶片，以对集成电路进行分离。

公开(公告)号：US08017029B2

公开(公告)日：2011-09-13

申请号：US11589477

申请日：2006-10-30

申请人： Madhavi R. Chandrachood ,  Michael N. Grimbergen ,  Khiem K. Nguyen ,  Richard Lewington ,  Ibrahim M. Ibrahim ,  Sheeba J. Panayil ,  Ajay Kumar

发明人： Madhavi R. Chandrachood ,  Michael N. Grimbergen ,  Khiem K. Nguyen ,  Richard Lewington ,  Ibrahim M. Ibrahim ,  Sheeba J. Panayil ,  Ajay Kumar

IPC分类号： G01R31/00

CPC分类号： H01J37/32935 ,  G03F1/80

摘要： A plasma etch method includes simultaneously illuminating an array of plural locations on front surface of the workpiece through the backside of the workpiece with light of a wavelength range for which the workpiece is transparent, while viewing light reflected from the array of plural locations to the backside of the workpiece. The method further includes determining plural etch depths at the array of locations from the light reflected from the array of locations on the front side of the workpiece, and deducing from the plural etch depths a spatial distribution of etch rate across the array of locations. The method also includes changing the etch rate distribution by adjusting a tunable element of the reactor.

摘要翻译： 等离子体蚀刻方法包括通过工件的背面同时以工件为透明的波长范围的光照亮工件的前表面上的多个位置的阵列，同时观察从多个位置的阵列反射到背面的光 的工件。 该方法还包括：从位于工件前侧的位置阵列反射的光中确定多个位置阵列处的多个蚀刻深度，并从多个蚀刻深度中推导穿过该阵列阵列的蚀刻速率的空间分布。 该方法还包括通过调节反应器的可调谐元件来改变蚀刻速率分布。

公开(公告)号：US07829471B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11192989

申请日：2005-07-29

申请人： Ajay Kumar

发明人： Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23F4/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67207

摘要： A method and apparatus for process integration in manufacture of a photomask are disclosed. In one embodiment, a cluster tool suitable for process integration in manufacture of a photomask including a vacuum transfer chamber having coupled thereto at least one hard mask deposition chamber and at least one plasma chamber configured for etching chromium. In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber; and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.

摘要翻译： 公开了一种用于制造光掩模中的工艺集成的方法和装置。 在一个实施例中，适用于制造光掩模中的工艺集成的集群工具，该光掩模包括与至少一个硬掩模沉积室耦合的真空传送室和被配置用于蚀刻铬的至少一个等离子体室。 在另一个实施例中，用于制造光掩模中的工艺集成的方法包括在第一处理室中的基板上沉积硬掩模，在衬底上沉积抗蚀剂层，图案化抗蚀剂层，通过形成在 图案化的抗蚀剂层在第二室中; 以及通过在第三室中形成在硬掩模中的孔蚀刻铬层。

公开(公告)号：US07788346B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US10087224

申请日：2002-03-01

申请人： Ajay Kumar ,  Hanumantha Rao Susarla ,  Prakash Khemani

发明人： Ajay Kumar ,  Hanumantha Rao Susarla ,  Prakash Khemani

IPC分类号： G06F15/16

CPC分类号： G06F11/1464 ,  G06F11/1451

摘要： A client-server system may include a distributed store configured to maintain a primary state of session data including one or more attributes. One or more other nodes may include other instances of the primary state. The system may compare the primary state to a benchmark primary state to generate a subset of the attributes of the session data that have been modified in the primary state. Another instance of the primary state may be synchronized with the primary state using the subset of the attributes. In one embodiment, the comparing may include performing binary differencing of binary representations of the primary state and the benchmark primary state to determine the modified attributes. In another embodiment, the comparing may include performing object graph differencing of object graph representations of the primary state and the benchmark primary state to determine the modified attributes.

摘要翻译： 客户机 - 服务器系统可以包括被配置为维持包括一个或多个属性的会话数据的主要状态的分布式存储。 一个或多个其他节点可以包括主状态的其他实例。 系统可以将主状态与基准主状态进行比较，以生成在主状态下修改的会话数据的属性的子集。 主状态的另一个实例可以使用属性的子集与主状态同步。 在一个实施例中，比较可以包括执行主状态和基准主状态的二进制表示的二进制差分以确定修改的属性。 在另一个实施例中，比较可以包括执行主状态和基准主状态的对象图表示的对象图差分以确定修改的属性。

公开(公告)号：US07743083B2

公开(公告)日：2010-06-22

申请号：US10422453

申请日：2003-04-24

申请人： Sankara R. Bhogi ,  Ajay Kumar ,  Bala Dutt ,  Venugopal Rao K ,  Senthil K. Krishnan ,  Srinivasan Kannan

发明人： Sankara R. Bhogi ,  Ajay Kumar ,  Bala Dutt ,  Venugopal Rao K ,  Senthil K. Krishnan ,  Srinivasan Kannan

IPC分类号： G06F7/00

CPC分类号： G06F9/466

摘要： A system and method for implementing a common transaction manager interface. A system may implement an application server with a transaction manager module configured to provide a common application interface to a local transaction manager and a global transaction manager. The transaction manager module may be configured to determine if a transaction initiated by an application component should be managed by the local transaction manager or the global transaction manager. The local transaction manger may be configured to create a local transaction object for each transaction managed by the local transaction manager, and the global transaction manger may be configured to create a global transaction object for each transaction managed by the global transaction manager. The local transaction objects and the global transaction objects may provide a common application interface for implementing their respective transactions.

摘要翻译： 用于实现公共事务管理器接口的系统和方法。 系统可以实现具有事务管理器模块的应用服务器，该事务管理器模块被配置为向本地事务管理器和全局事务管理器提供公共应用接口。 事务管理器模块可以被配置为确定由应用组件发起的事务是否应由本地事务管理器或全局事务管理器来管理。 可以将本地事务管理器配置为为由本地事务管理器管理的每个事务创建本地事务对象，并且可以将全局事务管理器配置为为由全局事务管理器管理的每个事务创建全局事务对象。 本地事务对象和全局事务对象可以提供用于实现其相应事务的通用应用接口。

公开(公告)号：US07640545B2

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：US10618828

申请日：2003-07-14

申请人： Ajay Kumar ,  Bala Dutt ,  Venugopal Rao K ,  Sankara R. Bhogi ,  Srinivasan Kannan

发明人： Ajay Kumar ,  Bala Dutt ,  Venugopal Rao K ,  Sankara R. Bhogi ,  Srinivasan Kannan

IPC分类号： G06F9/46 ,  G06F7/00 ,  G06Q20/00

CPC分类号： G06Q40/02 ,  G06Q20/108 ,  G06Q20/38 ,  Y10S707/99938

摘要： A transaction manager may be paused so that the transactions it manages are prevented from making transaction state changes. While the transaction manager is paused, the transactions that the transaction manager is executing may not be allowed to complete. A transaction manager may be configured to obtain permission from a transaction freeze manager in order to transition the state of a transaction. The transaction freeze manager may function as a read/write lock manager controlling locks on a transaction freeze object. In servicing a transaction state transition request, the transaction freeze manager may grant the transaction manager a read lock on the transaction freeze object. In servicing a transaction manager pause request, the transaction freeze manager may grant an administrative entity a write lock on the transaction freeze object.

摘要翻译： 事务管理器可以被暂停，使得其管理的事务被阻止进行事务状态改变。 当事务管理器暂停时，事务管理器正在执行的事务可能不被允许完成。 可以将事务管理器配置为从事务冻结管理器获得许可以便转换事务的状态。 事务冻结管理器可以用作控制事务冻结对象上的锁的读/写锁管理器。 在处理事务状态转换请求时，事务处理管理器可以授予事务管理器对事务冻结对象的读锁定。 在为事务管理器暂停请求提供服务时，事务冻结管理器可以向管理实体授予对事务冻结对象的写锁定。

公开(公告)号：US07413036B2

公开(公告)日：2008-08-19

申请号：US10591549

申请日：2004-03-04

申请人： Arnold R. Law ,  Ajay Kumar

发明人： Arnold R. Law ,  Ajay Kumar

IPC分类号： E21B17/07

CPC分类号： E21B17/076

摘要： A telescoping sub (50) for mining operations and the like. The telescoping sub (50) includes a rotor (94) portion coupleadle to the rotary head of a drilling rig, and a stator (74) portion that is coupleable to a drill rod. The rotor (94) portion is slideadly coupled to the stator (74) portion and is moveable with respect thereto between an extended position and a retracted position. With the telescoping sub (50) in the retracted position, the drilling rig is operated to drill to a first depth. The drilling rig is then operated to move the rotor (94) portion to the extended position, and the drilling rig is operated to drill to a second depth that is greater than the first depth.

摘要翻译： 用于采矿作业的伸缩子（50）等。 伸缩子（50）包括到钻机的旋转头的转子（94）部分联接件和可耦合到钻杆的定子（74）部分。 转子（94）部分滑动地联接到定子（74）部分并且可以在延伸位置和缩回位置之间相对于其移动。 当伸缩式副（50）处于缩回位置时，钻机被操作以钻到第一深度。 然后操作钻机以将转子（94）部分移动到延伸位置，并且钻机被操作以钻到大于第一深度的第二深度。

公开(公告)号：US07375038B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US11238424

申请日：2005-09-28

申请人： Ajay Kumar

发明人： Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C23F4/00 ,  G03F1/80 ,  G03F7/70433 ,  H01J37/321

摘要： Methods for etching chromium and forming a photomask using a carbon hard mask are provided. In one embodiment, a method of a chromium layer includes providing a substrate in a processing chamber, the substrate having a chromium layer partially exposed through a patterned carbon hard mask layer, providing a process gas containing chlorine and carbon monoxide into the etching chamber, and maintaining a plasma of the process gas and etching the chromium layer through the carbon hard mask layer. The method of etching a chromium layer through a patterned carbon hard mask layer is useful for fabricating photomasks.

摘要翻译： 提供了使用碳硬掩模蚀刻铬并形成光掩模的方法。 在一个实施例中，铬层的方法包括在处理室中提供衬底，所述衬底具有通过图案化的碳硬掩模层部分暴露的铬层，向蚀刻室提供含有氯和一氧化碳的工艺气体，以及 维持工艺气体的等离子体，并通过碳硬掩模层蚀刻铬层。 通过图案化的碳硬掩模层蚀刻铬层的方法可用于制造光掩模。