公开(公告)号：US20140073039A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13607720

申请日：2012-09-08

申请人： Yi-Hsien Chang ,  Chun-Ren Cheng ,  Shih-Wei Lin ,  Yi-Shao Liu

发明人： Yi-Hsien Chang ,  Chun-Ren Cheng ,  Shih-Wei Lin ,  Yi-Shao Liu

IPC分类号： G01N27/414 ,  H01L21/8232 ,  C12M1/34

CPC分类号： G01N27/4145 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/283

摘要： The present disclosure provides a biological field effect transistor (BioFET) and a method of fabricating a BioFET device. The method includes forming a BioFET using one or more process steps compatible with or typical to a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The BioFET device includes a plurality of micro wells having a sensing gate bottom and a number of stacked well portions. A bottom surface area of a well portion is different from a top surface area of a well portion directly below. The micro wells are formed by multiple etching operations through different materials, including a sacrificial plug, to expose the sensing gate without plasma induced damage.

摘要翻译： 本公开提供了生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。 该方法包括使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。 BioFET器件包括具有感测栅极底部和多个堆叠阱部分的多个微孔。 井部的底面积与直接在下方的井口部的顶面积不同。 微孔通过不同材料的多次蚀刻操作形成，包括牺牲塞，以暴露感测门而不产生等离子体的损伤。

公开(公告)号：US08405169B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12905358

申请日：2010-10-15

申请人： Chun-Ren Cheng ,  Yi-Hsien Chang ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Lan-Lin Chao

发明人： Chun-Ren Cheng ,  Yi-Hsien Chang ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Lan-Lin Chao

IPC分类号： H01L27/14 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/0038

摘要： A device is provided which includes a transparent substrate. An opaque layer is disposed on the transparent substrate. A conductive layer disposed on the opaque layer. The opaque layer and the conductive layer form a handling layer, which may be used to detect and/or align the transparent wafer during fabrication processes. In an embodiment, the conductive layer includes a highly-doped silicon layer. In an embodiment, the opaque layer includes a metal. In embodiment, the device may include a MEMs device.

摘要翻译： 提供了一种包括透明基板的装置。 在透明基板上设置不透明层。 设置在不透明层上的导电层。 不透明层和导电层形成处理层，其可用于在制造工艺期间检测和/或对准透明晶片。 在一个实施例中，导电层包括高度掺杂的硅层。 在一个实施例中，不透明层包括金属。 在实施例中，设备可以包括MEMs设备。

公开(公告)号：US08883021B2

公开(公告)日：2014-11-11

申请号：US13465928

申请日：2012-05-07

申请人： Yi-Hsien Chang ,  Chun-Ren Cheng ,  Yi-Shao Liu ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Yeh-Tseng Li ,  Wen-Hsiang Lin

发明人： Yi-Hsien Chang ,  Chun-Ren Cheng ,  Yi-Shao Liu ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Yeh-Tseng Li ,  Wen-Hsiang Lin

IPC分类号： B23P15/00 ,  C03C25/00 ,  C23F1/00 ,  H01B13/00

CPC分类号： B81C1/00349 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00214 ,  B82Y20/00 ,  G01N27/44791

摘要： A method of forming of MEMS nanostructures includes a portion of a substrate is recessed to form a plurality of mesas in the substrate. Each of the plurality of mesas has a top surface and a sidewall surface. A light reflecting layer is deposited over the substrate thereby covering the top surface and the sidewall surface of each mesa. A protection layer is formed over the light reflecting layer. An ARC layer is formed over the protection layer. An opening in a photo resist layer is formed over the ARC layer over each mesa. A portion of the ARC layer, the protection layer and the light reflecting layer are removed through the opening to expose the top surface of each mesa. The photo resist layer and the ARC layer over the top surface of each mesa are removed.

摘要翻译： MEMS纳米结构的形成方法包括：衬底的一部分被凹入以在衬底中形成多个台面。 多个台面中的每一个具有顶表面和侧壁表面。 光反射层沉积在衬底上，从而覆盖每个台面的顶表面和侧壁表面。 在光反射层上形成保护层。 在保护层上形成ARC层。 在每个台面上的ARC层上形成光致抗蚀剂层的开口。 通过开口去除ARC层，保护层和光反射层的一部分以暴露每个台面的顶表面。 去除每个台面的顶表面上的光致抗蚀剂层和ARC层。

公开(公告)号：US20120091454A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12907620

申请日：2010-10-19

申请人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

发明人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

IPC分类号： H01L23/58 ,  C23F1/08 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method for process control is disclosed. The method includes performing an etching process on a semiconductor substrate forming a structure and a test structure having a pattern and a releasing mechanism coupled to the pattern; and monitoring the pattern of the test structure to determine whether the etching process is complete.

摘要翻译： 公开了一种用于过程控制的方法。 该方法包括对形成结构的半导体衬底和具有耦合到图案的图案和释放机构的测试结构进行蚀刻处理; 并监测测试结构的图案，以确定蚀刻过程是否完成。

公开(公告)号：US20120091598A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US12905358

申请日：2010-10-15

申请人： Chun-Ren Cheng ,  Yi-Hsien Chang ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Lan-Lin Chao

发明人： Chun-Ren Cheng ,  Yi-Hsien Chang ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Li-Cheng Chu ,  Hung-Hua Lin ,  Yuan-Chih Hsieh ,  Lan-Lin Chao

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/71

CPC分类号： B81C1/0038

摘要： A device is provided which includes a transparent substrate. An opaque layer is disposed on the transparent substrate. A conductive layer disposed on the opaque layer. The opaque layer and the conductive layer form a handling layer, which may be used to detect and/or align the transparent wafer during fabrication processes. In an embodiment, the conductive layer includes a highly-doped silicon layer. In an embodiment, the opaque layer includes a metal. In embodiment, the device may include a MEMs device.

摘要翻译： 提供了一种包括透明基板的装置。 在透明基板上设置不透明层。 设置在不透明层上的导电层。 不透明层和导电层形成处理层，其可用于在制造工艺期间检测和/或对准透明晶片。 在一个实施例中，导电层包括高度掺杂的硅层。 在一个实施例中，不透明层包括金属。 在实施例中，设备可以包括MEMs设备。

公开(公告)号：US20140054461A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：US13595743

申请日：2012-08-27

申请人： Alexander Kalnitsky ,  Chia-Hua Chu ,  Fei-Lung Lai ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Yi-Hsien Chang

发明人： Alexander Kalnitsky ,  Chia-Hua Chu ,  Fei-Lung Lai ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Yi-Hsien Chang

IPC分类号： G01J1/44 ,  G01J5/20 ,  H01L31/18 ,  G01J5/00

CPC分类号： G01J1/1626 ,  G01J1/4204 ,  G01J3/465 ,  H01L31/02164 ,  H01L31/103 ,  H01L31/105

摘要： A light detector includes a first light sensor and a second light sensor to detect incident light. A Ge film is disposed over the first light sensor to pass infra-red (IR) wavelength light and to block visible wavelength light. The Ge film does not cover the second light sensor.

摘要翻译： 光检测器包括第一光传感器和用于检测入射光的第二光传感器。 将Ge膜设置在第一光传感器上以通过红外（IR）波长的光并阻挡可见波长的光。 Ge膜不覆盖第二个光传感器。

公开(公告)号：US08647892B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US12907620

申请日：2010-10-19

申请人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

发明人： Kai-Chih Liang ,  Wen-Chuan Tai ,  Chun-Ren Cheng

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： A method for process control is disclosed. The method includes performing an etching process on a semiconductor substrate forming a structure and a test structure having a pattern and a releasing mechanism coupled to the pattern; and monitoring the pattern of the test structure to determine whether the etching process is complete.

摘要翻译： 公开了一种用于过程控制的方法。 该方法包括对形成结构的半导体衬底和具有耦合到图案的图案和释放机构的测试结构进行蚀刻处理; 并监测测试结构的图案，以确定蚀刻过程是否完成。

公开(公告)号：US20130105868A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：US13480161

申请日：2012-05-24

申请人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

发明人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

摘要： The present disclosure provides a bio-field effect transistor (BioFET) and a method of fabricating a BioFET device. The method includes forming a BioFET using one or more process steps compatible with or typical to a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The BioFET device may include a substrate; a gate structure disposed on a first surface of the substrate and an interface layer formed on the second surface of the substrate. The interface layer may allow for a receptor to be placed on the interface layer to detect the presence of a biomolecule or bio-entity.

摘要翻译： 本公开提供了生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。 该方法包括使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。 BioFET器件可以包括衬底; 设置在基板的第一表面上的栅极结构和形成在基板的第二表面上的界面层。 界面层可以允许将受体置于界面层上以检测生物分子或生物实体的存在。