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    MEMS nanostructures and methods of forming the same
    1.
    发明授权
    MEMS nanostructures and methods of forming the same 有权
    MEMS纳米结构及其形成方法

    公开(公告)号：US08883021B2

    公开(公告)日：2014-11-11

    申请号：US13465928

    申请日：2012-05-07

    申请人： Yi-Hsien Chang ,  Chun-Ren Cheng ,  Yi-Shao Liu ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Yeh-Tseng Li ,  Wen-Hsiang Lin

    发明人： Yi-Hsien Chang ,  Chun-Ren Cheng ,  Yi-Shao Liu ,  Allen Timothy Chang ,  Ching-Ray Chen ,  Yeh-Tseng Li ,  Wen-Hsiang Lin

    IPC分类号： B23P15/00 ,  C03C25/00 ,  C23F1/00 ,  H01B13/00

    CPC分类号： B81C1/00349 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00111 ,  B81C1/00206 ,  B81C1/00214 ,  B82Y20/00 ,  G01N27/44791

    摘要： A method of forming of MEMS nanostructures includes a portion of a substrate is recessed to form a plurality of mesas in the substrate. Each of the plurality of mesas has a top surface and a sidewall surface. A light reflecting layer is deposited over the substrate thereby covering the top surface and the sidewall surface of each mesa. A protection layer is formed over the light reflecting layer. An ARC layer is formed over the protection layer. An opening in a photo resist layer is formed over the ARC layer over each mesa. A portion of the ARC layer, the protection layer and the light reflecting layer are removed through the opening to expose the top surface of each mesa. The photo resist layer and the ARC layer over the top surface of each mesa are removed.

    摘要翻译： MEMS纳米结构的形成方法包括：衬底的一部分被凹入以在衬底中形成多个台面。 多个台面中的每一个具有顶表面和侧壁表面。 光反射层沉积在衬底上，从而覆盖每个台面的顶表面和侧壁表面。 在光反射层上形成保护层。 在保护层上形成ARC层。 在每个台面上的ARC层上形成光致抗蚀剂层的开口。 通过开口去除ARC层，保护层和光反射层的一部分以暴露每个台面的顶表面。 去除每个台面的顶表面上的光致抗蚀剂层和ARC层。

    Triple-Axis MEMS Accelerometer Having a Bottom Capacitor
    4.
    发明申请
    Triple-Axis MEMS Accelerometer Having a Bottom Capacitor 有权
    具有底电容的三轴MEMS加速度计

    公开(公告)号：US20100308424A1

    公开(公告)日：2010-12-09

    申请号：US12751633

    申请日：2010-03-31

    申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

    发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

    IPC分类号： H01L29/84

    CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/86

    摘要： An integrated circuit structure includes a substrate having a top surface; a first conductive layer over and contacting the top surface of the substrate; a dielectric layer over and contacting the first conductive layer, wherein the dielectric layer includes an opening exposing a portion of the first conductive layer; and a proof-mass in the opening and including a second conductive layer at a bottom of the proof-mass. The second conductive layer is spaced apart from the portion of the first conductive layer by an air space. Springs anchor the proof-mass to portions of the dielectric layer encircling the opening. The springs are configured to allow the proof-mass to make three-dimensional movements.

    摘要翻译： 集成电路结构包括具有顶表面的基板; 在衬底的顶表面上方并接触第一导电层; 电介质层，其与所述第一导电层接触并接触，其中所述电介质层包括露出所述第一导电层的一部分的开口; 并且在开口中具有证明质量，并且包括在质量块的底部的第二导电层。 第二导电层通过空气间隔与第一导电层的部分间隔开。 弹簧将证明质量锚定到围绕开口的介电层的部分。 弹簧被配置为允许证明物质进行三维运动。

    Triple-axis MEMS accelerometer having a bottom capacitor
    5.
    发明授权
    Triple-axis MEMS accelerometer having a bottom capacitor 有权
    具有底部电容器的三轴MEMS加速度计

    公开(公告)号：US08106470B2

    公开(公告)日：2012-01-31

    申请号：US12751633

    申请日：2010-03-31

    申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

    发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

    IPC分类号： H01L21/32

    CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/86

    摘要： An integrated circuit structure includes a substrate having a top surface; a first conductive layer over and contacting the top surface of the substrate; a dielectric layer over and contacting the first conductive layer, wherein the dielectric layer includes an opening exposing a portion of the first conductive layer; and a proof-mass in the opening and including a second conductive layer at a bottom of the proof-mass. The second conductive layer is spaced apart from the portion of the first conductive layer by an air space. Springs anchor the proof-mass to portions of the dielectric layer encircling the opening. The springs are configured to allow the proof-mass to make three-dimensional movements.

    摘要翻译： 集成电路结构包括具有顶表面的基板; 在衬底的顶表面上方并接触第一导电层; 电介质层，其与所述第一导电层接触并接触，其中所述电介质层包括露出所述第一导电层的一部分的开口; 并且在开口中具有证明质量，并且包括在质量块的底部的第二导电层。 第二导电层通过空气间隔与第一导电层的部分间隔开。 弹簧将证明质量锚定到围绕开口的介电层的部分。 弹簧被配置为允许证明物质进行三维运动。